【課題】チップサイズの大きい高周波部品（ＭＭＩＣ）とパッケージ端子間を接続するインダクタンス成分を抑制し、高周波特性を改善したＭＭＩＣ用パッケージを提供する。
【解決手段】導体ベースプレート２００と、導体ベースプレート２００上に配置され、入力端子２４ａおよび出力端子２４ｂを有するＭＭＩＣ基板２４と、導体ベースプレート２００上に配置され、ＭＭＩＣ基板２４を囲むセラミック枠体１８０と、セラミック枠体１８０上に配置されたパッケージ入力端子２１ａおよびパッケージ出力端子２１ｂと、ＭＭＩＣ基板２４とセラミック枠体１８０との間の導体ベースプレート２００上に配置された結合用基板２５と、結合用基板２５上に配置された結合ライン２５ａとを備え、パッケージ入力端子２１ａと結合ライン２５ａ間、および結合ライン２５ａと入力端子２４ａ間とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】ベース面の反りの少ないパッケージを提供する。
【解決手段】導体ベースプレート２００と、導体ベースプレート上に配置された半導体装置と、半導体装置を内在し、導体ベースプレート上に配置され、導体ベースプレートとは異なる材料からなる金属壁１６とを備え、導体ベースプレートは、対抗する1対の端面１００a・１００bが緩やかな弧を有し、金属壁も緩やかな弧を有しているので、接合時や基板実装時、キャップ半田付け時の反りの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２の裏面から、化合物半導体積層構造２の少なくともバッファ層２ａに不純物、例えばＦｅ，Ｃ，Ｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちから選ばれた少なくとも１種類を導入し、バッファ層２ａの抵抗値を高くする。 （もっと読む）

【課題】良好なノーマリ・オフ動作を可能とすることに加え、アバランシェ耐量が大きく、外部のダイオードを接続することを要せず、確実に安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧のＨＥＭＴを得る。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｄを、少なくとも電極用リセス２Ｄの底面で化合物半導体積層構造２と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造２とショットキー接触するフィールドプレート電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート部におけるリーク電流が低減できる反面、プロセス上の制約があるため製造が困難で、ゲートリーク電流を安定して低減させることが困難だった。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され且つ二次元キャリアガスを有する半導体機能層と、前記半導体機能層上において互いに離間して形成される第１及び第２の主電極と、前記半導体機能層上における前記第１及び第２の主電極間に形成される制御電極と、前記半導体機能層と前記制御電極との間に形成される金属酸化膜と、を備え、
前記金属酸化膜と前記半導体機能層との接合界面における結晶格子は不連続であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】より高い破壊電圧およびより低いオン抵抗を含み、高周波数において十分に機能するパワースイッチングデバイスを提供する。
【解決手段】多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース１８、ドレイン２０、およびゲート２２を含む。第１のスペーサ層２６が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第２のスペーサ層２８が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。第１のスペーサ層上の第１のフィールドプレート３０、及び第２のスペーサ層上の第２のフィールドプレート３２が、ゲートに接続される。第３のスペーサ層３４が、第１のスペーサ層、第２のスペーサ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、第３のフィールドプレート３６が、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、化合物半導体素子の低抵抗伝送を達成すると共に、半導体素子の十分な高放熱性を低コストで実現する半導体装置を得る。
【解決手段】表面に接続電極１１が形成された化合物半導体素子１０と、表面に接続電極２８ａ及び凹部２１が形成された樹脂回路基板２０と、凹部２１内で化合物半導体素子１０を固定する金属材料３２，３３とを有する半導体パッケージであり、化合物半導体素子１０は、凹部２１内において、接続電極１１，２８ａが近接するように偏倚した位置に固定されており、接続電極１１，２８ａがワイヤ接続されており、金属材料３２は、化合物半導体素子１０の底面から側面の少なくとも一部まで被覆する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の電界集中を緩和して耐圧の更なる向上を実現することに加え、デバイス動作速度を向上させ、アバランシェ耐量が大きく、サージに対して強く、例えばインバータ回路等に適用する場合に外部のダイオードを接続することを要せず、ホールが発生しても安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成されたフィールドプレート用リセス２Ｄをｐ型半導体で埋め込み、化合物半導体積層構造２とｐ型半導体層８ａで接触するフィールドプレート８を形成する。 （もっと読む）

【課題】下地基板の導電性を問わずに非破壊でＨＥＭＴ構造のシート抵抗を評価する方法を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴ構造を備えるエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法が、障壁層におけるIII族元素の組成比を除いて評価対象エピタキシャル基板と同一の構造を有する複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてフォトルミネッセンス測定を行い、得られたスペクトルからバンド端ピーク強度値を取得する第１予備測定工程と、複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてシート抵抗値を測定する第２予備測定工程と、取得したバンド端ピーク強度値とシート抵抗値とから検量線を作成する検量線作成工程と、評価対象エピタキシャル基板についてフォトルミネッセンス測定を行ってバンド端ピーク強度値を取得する実測工程と、得られたバンド端ピーク強度値と検量線とに基づいて評価対象エピタキシャル基板のシート抵抗値を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子トラッピングによる、ＤＣ特性とＲＦ特性の差を低減する。
【解決手段】トランジスタ１０は、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極２０，２２が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲート２４が形成される。ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層２８がある。このスペーサ層上にはフィールドプレート３２があり、活性領域の上のスペーサ上をドレイン電極に向かって延びる。このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。少なくとも１つの導電性経路３４，３６が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】リセス等の形成に伴う処理で生じる残渣を適切に除去することができる化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造１を形成し、化合物半導体積層構造１の一部を除去して凹部４を形成し、洗浄剤を用いて凹部４内の洗浄を行う。洗浄剤は、凹部４内に存在する残渣と相溶する基材樹脂と溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】単色性が強く、高効率にテラヘルツ波を発生または検出することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波素子１００は、バッファ層１０２と電子供給層１０４とのヘテロ接合を含む半導体多層構造１０１〜１０４と、半導体多層構造１０１〜１０４上に形成されたゲート電極１０５、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７とを有し、ゲート電極１０５とヘテロ接合界面との間の静電容量は、ドレインとソースとの間を流れる電流の方向と直交する方向に周期的に、第１の静電容量と第１の静電容量の値と異なる第２の静電容量とを有している。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で形成することが可能な高抵抗のバッファ層を備えた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、原料ガスとして有機金属ガリウムを供給しながら、エピタキシャル成長温度とｎ型不純物のドーピングガスの供給量を制御することにより、有機金属ガリウムに起因する炭素がドーピングされて所望の抵抗率となる窒化ガリウム層をバッファ層としてエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高いパッケージングされた半導体装置を提供する。
【解決手段】電極が形成された半導体チップと、前記電極に対応するリードと、前記電極と前記リードとを接続する金属配線と、前記金属配線と前記電極との接続部分及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を覆う第１の樹脂部と、前記金属配線、前記第１の樹脂部及び前記半導体チップを覆う第２の樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トラップの影響を低減し、過渡応答を改善するトランジスタ装置及びトランジスタ装置製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極５とゲート電極６との間のＧａＮチャネル２における一部に形成された、不純物濃度が高い領域である高不純物領域１３を含み、高不純物領域１３は、ゲート電極６とドレイン電極７との間より不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】閾値変動を抑えつつ、ゲートリーク電流を低減させた窒化物半導体ＨＥＭＴ。
【解決手段】窒化物系半導体で形成された半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、ゲート絶縁膜は、酸窒化膜で形成された第１絶縁膜と、タンタル、ハフニウム、ハフニウムアルミニウム、ランタン、およびイットリウムの少なくとも１つを含む第２絶縁膜と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストでしきい値電圧のバラツキの少ないノーマリーオフ化されたＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】基板１０の上方に半導体層２１〜２４を形成する工程と、半導体層２３〜２４にフッ素成分を含むガスを用いたドライエッチングによりリセス５１となる開口部を形成する工程と、半導体層を加熱することによりリセス５１の側面及び底面に付着しているフッ素を半導体層２２〜２４に拡散させフッ素を含む領域を形成する工程と、リセス５１の内面及び半導体層２２〜２４上に絶縁膜３０を形成する工程と、リセス５１が形成されている領域に絶縁膜３０を介し電極４１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域の低抵抗化を図りながら、ノーマリオフを実現する。
【解決手段】半導体装置を、キャリア走行層３及びキャリア供給層５を含む窒化物半導体積層構造と、窒化物半導体積層構造の上方に設けられ、活性化領域１０と不活性領域１０Ａとを有するｐ型窒化物半導体層６と、ｐ型窒化物半導体層の不活性領域上に設けられたｎ型窒化物半導体層７と、ｐ型窒化物半導体層の活性化領域の上方に設けられたゲート電極１３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】高耐圧特性と低オン抵抗特性とを両立した化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体装置を、キャリア走行層２及びキャリア供給層３を含む窒化物半導体積層構造４と、窒化物半導体積層構造の上方に設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、窒化物半導体積層構造の上方のソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極７と、ゲート電極とドレイン電極との間に少なくとも一部が設けられたフィールドプレート８と、窒化物半導体積層構造の上方に形成された複数の絶縁膜９、１０とを備えるものとし、フィールドプレートとドレイン電極との間でゲート電極の近傍よりも複数の絶縁膜の界面の数を少なくする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を有する窒化物半導体を低コストで製造する。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２２，２３，２４と、前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜３０と、前記絶縁膜上に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）