【課題】導体ベースプレートと金属外壁との熱膨張係数が異なることに伴う、銀ロウ付けする際の導体ベースプレートの反りを抑制したパッケージを提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置された半導体装置と、半導体装置を内在し、導体ベースプレート上に配置され、導体ベースプレートと接する面に複数の開放部を有する金属壁と、開放部を充填するブロックとを備えるパッケージ。 （もっと読む）

【課題】埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。
【解決手段】ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。アニーリング中に封入層を使用することで、トランジスタのゲート埋込み部内の半導体への損傷がさらに低減される。アニーリングを、例えばデバイスのオーミックコンタクトのアニーリングによって提供することができる。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


［Ａｒ^１及びＡｒ^２は、芳香族炭化水素環、複素環、又は芳香族炭化水素環と複素環との縮合環である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換シリル基、非置換若しくは置換のカルボキシル基、１価の複素環基、シアノ基又はフッ素原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１０４の上に形成され、ガリウムナイトライドで構成されるバッファ層１０８と前記バッファ層の上に形成され、インジウムアルミニウムナイトライド(InAlN)で構成された第１のバリアサブレイヤーと１１４、第１のバリアサブレイヤーの上に形成され、アルミニウムガリウムナイトライド(AlGaN)で構成された第２のバリアサブレイヤー１１６と、含む、バリア層と、第２のバリアサブレイヤーの上に形成されたソース端子１２０、ゲート端子１２４およびドレイン端子１２８と、を含む高電子移動度トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に良好な電圧分布を形成し、挿入損失特性およびハーモニック特性を向上した高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】無線通信を切り替えるための高周波半導体スイッチに含まれる電界効果型トランジスタ５０であって、基板に形成されたソース領域１００と電気的に接続され、一の方向に延びるソース配線６０と、基板に形成されたドレイン領域１１０と電気的に接続され、ソース配線と略平行に延びるドレイン配線７０と、ソース配線６０およびドレイン配線７０の間において、ソース配線６０およびドレイン配線７０と略平行に延びる平行部分１２２を有するゲート１２０と、ゲート１２０に電圧を印加するためゲート配線８０と、ゲート１２０およびゲート配線８０を電気的に接続するゲートビア８２と、を有し、平行部分１２２は、２つの端部１２６を有し、ゲートビア８２から２つの端部１２６にそれぞれ電圧の印加の経路が形成される電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を制限しつつ厚いIII−Ｖ族半導体層の成長を可能にする方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族半導体装置は、基板１０２の上およびIII−Ｖ族半導体装置の活性領域１１２を支持するバッファ層１１０の下に配置された組成傾斜本体１０８を備える。組成傾斜本体１０８は、基板１０２に圧縮応力を与える第１の領域を含む。組成傾斜本体１０８は、第１の領域上に応力変調領域をさらに含み、その応力変調領域は基板１０２に引張応力を与える。 （もっと読む）

【課題】電子輸送性に優れたｎ型半導体として利用可能であり、しかも溶剤への溶解性にも優れる共役系化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される共役系化合物。［式中、Ｒ^０１及びＲ^０２はアルカン骨格を含む１価の基。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^２１及びＲ^２２は水素原子、ハロゲン原子又は１価の基。Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^２１及びＸ^２２は＝Ｏ，＝Ｓ又は＝ＣＡ_２（Ａは水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示すが、その少なくとも１つは電子吸引性の基。）を示す。Ｚ^１及びＺ^２は−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，−Ｔｅ−，−ＳＯ−等のいずれかの基を示す。Ａｒ^０、Ａｒ^１及びＡｒ^２は芳香族炭化水素基又は複素環基を示す。ｒは１〜６の整数、ｓ及びｔは０〜６の整数を示す。］
（もっと読む）

【課題】電流コラプスの発生を抑制できるIII族窒化物半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１では、第１窒化物半導体層１０３の上に第２窒化物半導体層１０４が設けられ、少なくとも一部が第２窒化物半導体層１０４に接するようにソース電極１０６およびドレイン電極１０７が設けられている。第２窒化物半導体層１０４の上面においてソース電極１０６とドレイン電極１０７との間に位置するように凹部１１０ａが形成されており、ゲート電極１０８が凹部１１０ａの開口を覆うように凹部１１０ａの上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】優れた電子輸送性を有する有機ｎ型半導体として利用可能な新規化合物及び新規重合体の提供。
【解決手段】式（１−１）及び式（１−２）で表される構造単位からなる群より選択される、含窒素縮合環化合物。


［式中、Ａｒ^１は、芳香環を示し、Ｙ^１及びＹ^２のうちいずれか一方は、−Ｃ（＝Ｘ^１）−で表される基を示し、他方は、単結合を示し、Ｙ^３及びＹ^４のうちいずれか一方は、−Ｃ（＝Ｘ^２）−で表される基を示し、他方は、単結合を示し、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子等を示し、Ｚ^１及びＺ^２は、酸素原子等を示す。］ （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性を得つつスイッチング特性が向上した高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなるＨＥＭＴ１００は、ｎ型不純物を含むか又はアンドープの第１層１０３と、第１層上に設けられ第１層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２層１０５と、第２層上に設けられｐ型不純物を含む第３層１０６と、第３層上に設けられ下側から上側に向かってバンドギャップエネルギーが小さくなっている第４層１０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電流電圧のパルス特性を向上させて電流電圧のＤＣ特性に近づける。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート絶縁膜上に設けられ、ゲート絶縁膜上におけるゲート電極の端部の少なくとも一部においてゲート電極と接するゲート境界膜と、を備え、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜は、同種の絶縁材料を含む半導体装置を提供する。ゲート電極およびゲート境界膜上に設けられた絶縁性の保護膜を更に備え、保護膜は、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜とは別種の絶縁材料を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】材料の熱膨張係数の差に起因する反り等を抑制しつつ良好な結晶性の電子走行層及び電子供給層を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３と、電子走行層３上方に形成された電子供給層４と、基板１と電子走行層３との間に形成され、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含むバッファ層２と、が設けられている。ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体８をドライエッチングして形成した平坦表面に電極を形成してもオーミック接触させることができない。
【解決手段】ｐ型III族窒化物半導体８の電極形成範囲をドライエッチングして溝８ｄを形成し、その溝８ｄに金属２０を充填して電極を形成する。ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。溝８ｄを設けておくと、欠陥が少ない溝８ｄの側面においてｐ型III族窒化物半導体８と電極がオーミック接触し、半導体と電極の接触抵抗が低減する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を容易に実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上方に形成されたＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成されたＡｌＧａＮ層４と、ＡｌＧａＮ層４上に形成された電子走行層５と、電子走行層５上方に形成された電子供給層６と、が設けられている。ＡｌＧａＮ層３の組成をＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ、ＡｌＧａＮ層４の組成をＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎと表すと、「０≦ｘ１＜ｘ２≦１」の関係が成り立つ。ＡｌＧａＮ層４の上面には、ＡｌＧａＮ層４の下面に存在する正の電荷よりも多くの負の電荷が存在している。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層のクラックをより一層低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の上方に形成された初期層２と、初期層２上に形成され、III−V族化合物半導体を含むコア層３と、が設けられている。初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】通常の極性面上（すなわちｃ軸方向）に形成するエンハンスメント型の窒化物半導体電界効果トランジスタとして、高い密度のドレイン電流を実現することが可能にする。
【解決手段】窒化物半導体からなるチャネル層半導体６の上方の極性面方向に、チャネル層半導体６よりもバンドギャップの大きい窒化物半導体からなる障壁層半導体５が積層され、ゲート電極２の下方に存在する素子領域のうち少なくとも一部の素子領域を覆う第１領域２１内に存在する障壁層半導体５の層厚が、第１領域２１以外の素子領域を覆う第２領域２２内に存在する障壁層半導体５の層厚よりも薄く形成されるか、または、第１領域２１内には障壁層半導体５が存在しない状態で形成されるとともに、第２領域２２内に存在する障壁層半導体５中に、障壁層半導体５よりもバンドギャップが小さい単一層の量子井戸７または多重層の多重量子井戸を挿入した量子井戸構造が形成される構造にする。 （もっと読む）

【課題】電流コラプス現象が抑制され、且つフィールドプレート電極による電界集中を緩和する効果の低下が抑制された化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体層と、III族窒化物半導体層上に配置された絶縁膜７と、III族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第１の距離Ｔ１の位置に絶縁膜を介して配置されたドレイン電極４と、III族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第１の距離Ｔ１の位置に絶縁膜を介して配置されたソース電極３と、ドレイン電極とソース電極間においてIII族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第２の距離Ｔ３の位置に絶縁膜を介して配置されたゲート電極５と、ドレイン電極とゲート電極間においてIII族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第１の距離Ｔ１より短い第２の距離Ｔ２の位置に絶縁膜を介して配置されたフィールドプレート電極６とを備える。 （もっと読む）

【課題】最小ループと２セルループのオッドモード発振を共に抑制する高周波回路を提供する。
【解決手段】半導体基板上に並列に配列された複数のトランジスタと、第１の絶縁基板上に配置され、複数のトランジスタのゲート端子電極にそれぞれ接続された複数の入力整合回路と、第１の絶縁基板上に配置され、入力整合回路に隣接して配置された入力側第４発振抑制抵抗と、入力側第４発振抑制抵抗に直列接続された入力側第１キャパシタと、隣接する入力整合回路間を繋ぐ伝送線路上の点と入力側第１キャパシタ間に接続された入力側第１インダクタとを有する入力側発振抑制回路とを備え、入力側第１インダクタのインダクタンス値をＬ１、入力側第１キャパシタのキャパシタンス値をＣ１とすると、１／{２π（Ｌ１×Ｃ１）^1/2}で表される入力側第１インダクタと入力側第１キャパシタの共振周波数が、２セルループの発振周波数fosc2に等しい高周波回路。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）