【目的】エピタキシャル成長面の凹凸が小さく、良好な特性を有し、生産性に優れた半導体エピタキシャル基板を提供する。
【構成】基板の結晶学的面方位が、１つの｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾きの大きさが0.05°以上0.6°以下である単結晶砒化ガリウム基板上にエピタキシャル成長により結晶が形成されており、エピタキシャル結晶の少なくとも一部がＩｎ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ結晶（ただし０＜ｘ＜１）であり、かつエピタキシャル成長が熱分解気相成長方法によって行われることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

垂直成長領域と横方向成長領域と融合領域とを有する第１のＩＩＩ族窒化物層を含む高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。ＩＩＩ族窒化物チャネル層が、第１のＩＩＩ族窒化物層上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物バリア層が、このＩＩＩ族窒化物チャネル層上に設けられている。ドレインコンタクトとソースコンタクトとびゲートコンタクトとが、そのバリア層上に設けられている。ゲートコンタクトは、第１のＩＩＩ族窒化物層の横方向成長領域上のバリア層の一部分上に配置され、そのソースコンタクト及び／又はドレインコンタクトのうちの一方の少なくとも一部分は、第１のＩＩＩ族窒化物層の垂直成長領域上のバリア層の一部分上に配置されている。
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【課題】Ｓｉまたはシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板上に、薄い（３００ｎｍ未満）歪み緩和Ｓｉ_1-xＧｅ_xバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】これらのバッファ層は、歪みを緩和し、著しく平坦な表面を有し、貫通転位（ＴＤ）密度が低い、すなわち１０⁶ｃｍ^-2未満である、一様な分布の不整合転位を有する。この手法は、擬似格子整合またはほぼ擬似格子整合したＳｉ_1-xＧｅ_x層すなわち不整合転位が存在しない層を成長させることから開始し、次いでＨｅまたは他の軽元素を注入し、続いてアニーリングを行って、実質的な歪み緩和を得る。この方法によって機能する極めて有効な歪み緩和機構は、Ｓｉ／Ｓｉ_1-xＧｅ_x界面の下に、Ｓｉ（００１）表面に平行な、Ｈｅが誘導した小板（泡でない）における転位核化である。
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【課題】高いシートキャリア濃度を維持しつつ高い電子移動度が実現された半導体素子等を提供する。
【解決手段】基板３の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層４を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１半導体層５と、ＡｌＮからなる第２半導体層６と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌ_xＧａ_1-xＮであってｘ≧０．２である第３半導体層７が積層されてなる半導体層群を形成することにより、格子欠陥や結晶格子の不規則性などに起因した電子移動度の低下が抑制され、１５Ｋにおいて１×１０¹³／ｃｍ²以上のシートキャリア濃度と２００００ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上の電子移動度とを有するＨＥＭＴ素子が実現される。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ性能を向上させる。
【解決手段】
本発明は、ヘテロ構造上で、若干のＨＥＭＴトランジスタを製造する方法と同様に、ＭＯＣＶＤを用いてＳｉＮ層をいささかも除去することなく、表面に接点を蒸着させることにより、構造の冷却および反応器からの試料の取り出しに先立ち、高温で成長が起こる反応器内で、最上部ＡｌＧａＮ層上の表面を薄いＳｉＮ層で覆うことにより、より高性能（出力）を伴い、有機金属気相成長法により成長させられた、ＨＥＭＴ、ＭＯＳＨＦＥＴ、ＭＩＳＨＦＥＴ素子、またはＭＥＳＦＥＴ素子のような、ＩＩＩ族−Ｎ電界効果素子を製造するための新規な方法を解説している。本発明は素子も解説している。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 電子電流の広がりを抑止し、高電界における電子速度を高めることができる窒化物系化合物半導体結晶、その製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置２０は、ＳｉＣ基板２１と、このＳｉＣ基板２１上に順次形成されたアンドープＧａＮ層２２と、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３と、このＳｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層上にそれぞれ形成されたＴｉＡｌソース電極２４と、ＴｉＡｌドレイン電極２５と、ＮｉＡｕゲート電極２６とを備える。Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３は、結晶方位の［０００１］方向の電気伝導度が大きく、［０００１］方向に直交する方向が小さくなるように形成されるとともに、電気伝導度の最大値と最小値の比が１０以上になるように形成される。また、各電極は、［０００１］方向と直交する方向に設けられる。 （もっと読む）

本発明は、印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。本発明の方法、デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成することができる。また、本発明は、伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスも提供する。 （もっと読む）

基板の支持表面上に形成された、横方向に隣接した導電性半導体領域により構成された横方向に延びているスタックを備える半導体デバイスおよびそのデバイスを作製する方法。
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【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＳｉＣ半導体１のイオン注入層２は、４Ｈ型ＳｉＣの｛０３−３８｝面から１０°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 （もっと読む）