【課題】放熱性が良好で、且つ、製造コストを抑制することができるとともに、高耐圧で高アバランシェ耐量を有する窒素化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ基板１０１上にｐ−３Ｃ−ＳｉＣ層１０２が形成された積層構造が形成され、その上にｉ−ＧａＮ層（チャネル層）１０３、ｎ−ＡｌＧａＮ層（バリア層）１０４が形成されている。ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４上には、ソース電極２０１、ドレイン電極２０２、及びゲート電極２０３が形成されている。ソース電極２０１とドレイン電極２０２は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とオーミックコンタクトを形成している。ゲート電極２０３は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とショットキー接合を形成している。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第１導電型又はｉ型のバリア層としての第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、を備えているものである。 （もっと読む）

ソース電極およびドレイン電極が半導体層に接触した、基板上の複数の活性半導体層を備えるトランジスタ。ゲートが、ソース電極とドレイン電極との間に、複数の半導体層上に形成される。複数のフィールドプレートが、半導体層上に配置され、各フィールドプレートは、ゲートのエッジからドレイン電極に向かって延び、また各フィールドプレートは、前記半導体層から、また他のフィールドプレートから分離される。最上部のフィールドプレートは、ソース電極に電気的に接続され、他のフィールドプレートは、ゲートまたはソース電極に電気的に接続される。
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【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 （もっと読む）