【課題】ソース電極近傍における２次元電子ガス層の生成不足を解消すること。
【解決手段】第１非ｐ型層１０４の膜厚は、凸部（中央部１０３ａ）の形成によって不均一になっている。即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。また、第１非ｐ型層１０４の厚膜部の端部は、ゲート絶縁膜１０６の周縁部の直下にまで潜り込む様に延びている。そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。また、ゲート電極Ｇの下においては空乏層の上端面αは、第２非ｐ型層１０５の内部にまで入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】電極間の電界分布を均一化することにより高耐圧化を図れる電子デバイスを提供する。
【解決手段】この発明の電子デバイスによれば、アンドープＡｌＧａＮ層１０３の誘電率よりも高い誘電率を有する誘電体層１０８がゲートショットキ電極１０６の対向部１０６Ａを覆っていることで、ゲートショットキ電極１０６とドレインオーミック電極１０７との間の耐圧を向上できる。さらに、誘電体層１０８はゲートショットキ電極１０６からドレインオーミック電極１０７に向かって先細の先細部１０９を有するので、ゲートショットキ電極１０６に近いほど電界の集中を緩和する効果が高くなり、特に、電極間の電界分布を均一化して高耐圧化を図れる。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセス構造を有するIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲートリセス領域に生じる応力の影響に起因する高抵抗化を抑制し、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、第１のIII−Ｖ族窒化物からなる第１の半導体層１４と、第１の半導体層１４の上に形成された第２のIII−Ｖ族窒化物からなり、第１の半導体層１４を露出するゲートリセス部１６を有する第２の半導体層１５と、第１の半導体層１４におけるゲートリセス部１６の上に形成されたゲート電極１８とを備えている。第２の半導体層１５が第１の半導体層１４に加える応力と第２の半導体層１４の厚さとの積は、０．１Ｎ／ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、ノーマリオフ型で且つ動作電流を高めることができるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、サファイアからなる基板１０１上に順次形成され、それぞれ窒化物半導体からなる、バッファ層１０２と、下地層１０３と、第１の半導体層１０４と、第２の半導体層１０５と、コントロール層１０６と、コンタクト層１０７とを備えている。また、第２の半導体層１０５の上におけるコントロール層１０６の両測方の領域には、それぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極１０８並びにドレイン電極１０９が形成され、コンタクト層１０７の上にはＮｉからなるゲート電極１１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板としてＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物を用いながら、その上部に成長される窒化物半導体の結晶性をよくするとともに、膜剥れやクラックの発生を防止し、漏れ電流が少なく高特性の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１がＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板１に接して第１の窒化物半導体層２が設けられ、その第１の窒化物半導体層２上に、開口部を有するマスク層４、開口部から横方向に選択成長される第２の窒化物半導体層５と、その第２の窒化物半導体層５上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層６〜８が積層されている。 （もっと読む）

【課題】 III−V族化合物半導体を利用する半導体装置に関し、特に、半導体領域に含まれるｐ型不純物が、隣接する他の半導体領域に拡散する現象を効果的に抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｍｇがドープされた窒化ガリウム・アルミニウム（Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎ）から構成されるｐ^＋型の半導体領域１４と、Ｓｉがドープされた窒化ガリウム・アルミニウム（Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎ）から構成されるｎ⁻型の半導体領域１２と、ｐ^＋型の半導体領域１４とｎ⁻型の半導体領域１２の間に形成され、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から構成される不純物拡散抑制領域１３を備えている。不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい （もっと読む）

【課題】 より確実且つ容易に高耐圧を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体からなる第１の層と、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップが大なる第２の窒化物半導体からなる第２の層と、前記第２の層の上に設けられたソース電極と、前記第２の層の上に設けられたドレイン電極と、前記第２の層の上に設けられたゲート電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記ゲート電極の少なくともいずれかに接続され、少なくとも一部が前記第１の層に接して設けられたｐ型ポリシリコン層と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型トランジスタ及びその製造方法に関し、容量の増加を招かず、ゲート−ドレイン間に低抵抗な微細な電界緩和用電極を設ける。
【解決手段】 ゲート−ドレイン間に金属的性質を示すカーボンナノチューブからなる電界緩和用電極８を設ける。 （もっと読む）

【課題】
Ｉｎを含む層をストッパー層として作成されたリセス構造を有するＪ−ＦＥＴにおいて、Ｉｎを含む層に形成されるＩｎ酸化物やＩｎＡｓ半導体によるリーク電流を抑止する構造を有するＪ−ＦＥＴを提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１上に、第１導電型のチャネル層１０５と、チャネル層１０５の上に形成された半導体層に形成されたリセス構造１１９の内部に埋め込まれ、ゲート電極１１７に接続された第２導電型の半導体層１１４と、を備える電界効果トランジスタであって、リセス構造１１９は、Ｉｎを含むリセスストッパー層１１０を用いて作成され、第２導電型の半導体層１１４の底面が接する半導体層は、Ｉｎを含まない層であり、第２導電型の半導体層１１４の側面が接する半導体層のうち、最上に位置する半導体層が、Ｉｎを含まない層である、電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 ２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）においてコラプスの改善が要求されている。
【解決手段】 本発明に従うＨＥＭＴは、電子走行層（８）とｎ型電子供給層（９）とを含む半導体基板（１）有する。半導体基板（１）の一方の主面上にソース電極（３）及びドレイン電極（４）及びゲート電極（５）が形成されている。ゲート電極（５）はソース電極（３）とドレイン電極（４）との間に配置されている。
半導体基板（１）の一方の主面（１２）上にｐ型有機半導体膜（６）が設けられている。このｐ型有機半導体膜（６）の働きでコラプスが改善される。 （もっと読む）

自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。ＳＢＤアノード領域におけるＳｉＣ表面は、ＳＢＤのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。
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【課題】 ゲート電極端に集中する電界を緩和しつつ、フィールドプレート電極の端の絶縁膜中に集中する電界を緩和することができる電界効果型トランジスタを得る。
【解決手段】 表面にチャネル層が形成された半導体基板と、半導体基板上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に配置され、チャネル層とショットキ接合されたゲート電極と、ゲート電極のドレイン電極側に庇状に形成されたフィールドプレート電極と、フィールドプレート電極とチャネル層との間及びゲート電極とドレイン電極との間のチャネル層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、ゲート電極からドレイン電極に向かって電位勾配を有する複数の電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。溝１３の底部である底壁１３Ａに接触する位置には絶縁体としての酸化物層１４が配置されており、かつ溝１３の側壁１３Ｂに接触するようにｎ型層１２とショットキー接触可能な金属膜１５が溝１３を埋めるように形成されている。さらに、ｎ型層１２の第２の面１２Ｂに接触するようにアノード電極１６が配置されている。 （もっと読む）

トランジスタ、典型的にはＭＥＳＦＥＴを製造する方法は、ダイヤモンド材料のさらなる層を堆積させることができる成長面を有する単結晶ダイヤモンド材料を含む基板を形成することを含む。基板は、好ましくは、ＣＶＤプロセスにより形成され、高純度である。成長面は、３ｎｍ以下の二乗平均平方根粗さを有するか、又は３ｎｍを超える段差若しくは突起部を有しない。さらなるダイヤモンド層が、成長面上に堆積され、トランジスタの活性領域を定める。任意選択のｎ＋遮蔽層を基板内又は基板上に形成し、続いて、高純度ダイヤモンドの追加層を堆積する。この方法の一実施形態では、真性ダイヤモンドの層は、高純度層の上面に直接形成され、その後に、ホウ素ドープ（「デルタドープ」）層が続く。デルタドープ層内にトレンチが形成され、これによりゲート領域を定める。
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【課題】ブロッキング特性が効率的で、かつ複雑でないプロセスによって製造することができる炭化シリコントレンチ装置の端部構造を提供する。
【解決手段】炭化シリコン半導体装置に、１つまたは複数のトレンチからなる端部領域を設け、かつこの端部領域に、端部領域と半導体装置の活性領域とを連絡するメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】
ゲート・ドレイン間の静電容量を低減することによって、ゲインを増大させた電界効果トランジスタ及び半導体装置並びに電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】
不純物の添加によりゲートが形成される第１の半導体層の上面に第２の半導体層形成する工程と、ドレイン電極が形成されるドレイン電極形成領域からゲート側に膨出させた形状に第２の半導体層をパターニングする工程と、第２の半導体層の上面に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にドレイン電極形成用の開口を形成する工程と、この開口を介して第２の半導体層をエッチング除去する工程とにより、ドレイン電極近傍の少なくともゲート電極側に低静電容量領域を設けた電界効果トランジスタを有する半導体装置とした。 （もっと読む）

【課題】 耐圧が高く、オン抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板（１０）と、該基板上に形成され、ＳｉＣドリフト層（１４）と、ＧａＮ系半導体層（１８）と、ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極（６０）若しくはエミッタ電極並びにゲート電極（６２）と、前記ＳｉＣドリフト層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極（６４）またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。ＳｉＣドリフト層を有することによりドリフト層の厚膜化が可能となりドレイン耐圧が高くできる。さらに、チャネル移動度の高いＧａＮ系半導体層をチャネル層として用いることによりオン抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン間の電流−電圧特性におけるヒステリシス現象を防ぎ、出力電力を向上させた、ＧａＮ系化合物半導体からなる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体からなるバッファ層２、電子走行層３および電子供給層４が順次積層されてなる電界効果トランジスタにおいて、前記基板１裏面側に電界発光層１１を設け、前記電界発光層１１からの光は基板１を透過して、前記バッファ層２、電子走行層３および電子供給層４を照射するようにする。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素トランジスタ装置の、微細化によるデバイス特性改善を阻む要因を除去する。
【解決手段】 高濃度ｎ型炭化珪素基板（２）表面上にエピタキシャル成長により低濃度ｎ型ドリフト層（３）、更に、互いに離間した複数の高濃度ｐ型ゲート領域（４）を形成し、該構造上に低濃度ｎ型チャネル領域（７）と低濃度ｎ型領域１（９）をエピタキシャル成長させ、イオン注入により高濃度ｎ型ソース領域（５）を形成し、前記高濃度ｎ型ソース領域（５）上へソース電極（６）、ドライエッチングによりデバイスセル外に露出した高濃度ｐ型層（１０）上へゲート電極（８）、高濃度ｎ型炭化珪素基板（２）の裏面にドレイン電極（１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート−ドレイン間の耐圧を維持しつつ、使用可能な周波数帯域を広めることが可能な電界効果型トランジスタとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板１０の上に形成されたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａの両脇の半導体基板１０上にそれぞれ形成されたソース電極３０ａ及びドレイン電極３０ｂと、ソース電極３０ａの横から延びてゲート電極１４ａを上方から横断し、ゲート幅方向に互いに間隔がおかれた複数のエアブリッジ３０ｃと、ゲート電極１４ａとドレイン電極３０ｂとの間において複数のエアブリッジ３０ｃの先端を連結し、エアブリッジ３０ｃと共にソースウォールを構成する導電体３０ｄと、を有することを特徴とする電界効果型トランジスタによる。 （もっと読む）