【課題】減圧下であっても広範囲の圧力で放電し、効率良く一様に処理できる板状陰極表面処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０の内部に設けられた陰極機構３０、陰極機構３０内の板状陰極３６、板状陰極３６の放電にさらされる面の反対側に磁気機構４０を配し、磁気機構４０により板状陰極３６の放電にさらされる面の一端から出て他端に入る磁力線４１１を発生させ、陰極表面上にほぼこれと平行な成分をもつ磁界を設定する手段、板状陰極３６に電力を供給して表面にある磁界４１１と少くとも直交する成分を有する電界４２０を発生する手段、放電空間の圧力をガス導入系と排気系により調整することの出来る板状陰極放電を利用する表面処理装置であって、磁気機構４０が磁力線の遠回り手段を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電流が真空容器内のグランド電位のものに流れる現象を抑制し、安定して成膜を行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンのプラズマ室1は、成膜室10に連結され、連結部側から順に、陽極4、中間電極3および陰極2が配置されている。陽極4と成膜室10との間には、グランド電位のグリッド5が備えられている。これにより、プラズマ電流の一部は、グランド電位のグリッド5に流れるため、成膜室内のグランド電位の物体にプラズマ電流が流れるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された１以上の元素と、第１元素と、第２元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第１元素を含む第１ガスおよび前記第２元素を含む第２ガスから選択された１以上のガスを前記成膜室に供給し、前記１以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第１ガスと前記第２ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の微細ホールに対して高いボトムカバレッジ率で、かつ、膜厚分布の面内均一性よく成膜できる高い生産性の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｗを保持し、チャンバ内が、１０〜３０Ｐａの高圧力領域に保持されるようにスパッタガスを導入し、基板に対向近接配置されたターゲット２に直流電圧を印加すると共に、基板に高周波バイアス電圧を印加し、ターゲット側の直流プラズマと基板側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマをターゲット及び基板間に発生させてターゲットをスパッタして成膜する。ターゲットの下方に磁場を局所的に形成する磁石ユニット６をターゲット中央から径方向外方にオフセット配置し、成膜中、少なくともターゲットの中央部を除くその外周が侵食されるように磁石ユニットを回転移動する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを低下させるドロップレット発生を低減、かつ良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層製造方法を提供。
【解決手段】ＺｎＯ基板上の化合物エピタキシャル層形成方法で、（ａ）ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面で、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全てまたは一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、論理式：（Ｂ−１）ａｎｄ｛（Ｂ−２）ｏｒ（Ｂ−３）ｏｒ（Ｂ−４）｝、ここで（Ｂ−１）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−２）２×１０^−３ｓｅｃ＜Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−３）０．０１％≦Ｔｏｎ／（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）＜５％（Ｂ−４）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ＜５×１０^−５ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ＜５×１０^−５ｓｅｃを満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数のターゲットを配し、前記真空容器中にガスを導入し前記複数のターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁物の成膜を行うスパッタリング方法において、正の逆パルスを印加する毎に周波数または印加時間の少なくとも１つを変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成長中の膜に付着若しくは埋め込まれて成るパーティクルなどの成膜欠陥が極めて少ない低欠陥薄膜及びその製造方法である低欠陥成膜法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングされた材料内の軽い成分は、スパッタリングされた材料内の重い成分よりも高濃度に堆積される傾向がある。このことから、スパッタリングされた材料が均質に堆積されるスパッタ堆積装置および方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのスパッタターゲット２、第１のプラズマ３、基板ホルダー４、および追加プラズマ５を備えたスパッタ堆積装置を提案する。追加プラズマ５は、ＥＣＷＲプラズマであることが好ましい。別の形態によれば、追加プラズマ５と上記基板ホルダー４との間に、アノード６が備えられている。さらに別の形態によれば、基板ホルダー４は、厚さを変化させた誘電体層を有している。 （もっと読む）

【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 （もっと読む）

真空室内で材料を飛散させる装置であって、−平面内で可動な、平らでかつカソードとして接続可能な少なくとも１つのターゲットを有するターゲット装置を有し、
定置のターゲット環境と、ターゲット装置に対応配置された駆動装置と、ターゲット
に対応配置された少なくとも１つのアノードを有するアノード装置と、
ターゲットの飛散表面からの材料の遊離を助けるための磁場を発生させるための磁気
装置と
を備えている形式のものにおいて、少なくとも１つの非回転対称的な有利には方形のターゲットプレートとして構成されたターゲットが設けられ、該ターゲットがターゲット装置で−平面内で可動であることが提案されている。さらに本発明は材料を飛散させる方法にも関する。
（もっと読む）

歪み誘導原子を含む加速したガスクラスタを用いて、一つ以上の基板面を照射し、半導体基板内にこのような原子を全体的または局所的またはその両方に導入し、さらにドーパント原子やＣを選択的に導入する方法および装置が記述されている。半導体基板や誘電体基板内に導入したり、その上に堆積させた半導体薄膜を形成する処理も記述されている。このような薄膜も、同様にドープしたり歪ませたりできる。
（もっと読む）

【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層（有機絶縁膜層）３０と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域（ミキシング層３１）を形成した。 （もっと読む）