【課題】 樹脂フィルム上において形成された良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】 樹脂フィルム上に硬化性組成物を塗布したプライマー層を設けることで良好な薄膜トランジスタとなすことができる。また硬化性組成物はポリシロキサン系化合物が好ましい。プライマー層を設けることで薄膜トランジスタの基盤となる樹脂フィルム表面が平坦化されると共に、ポリシロキサン系化合物さらには一般式（Ｉ）に示す特定構造を有する硬化性組成物を用いることで透明性、耐熱性が良好な透明フィルムとなすことができ、良好な特性を有する薄膜トランジスタとなすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体装置及びその製造方法において、基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第１ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物及び前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、ｎ型不純物がドーピングされたソース／ドレイン領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で、閾値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム膜からなる第１導電層１０ａとチタン膜からなる第２導電層１０ｂとにより構成される第２ゲート電極１０を形成する工程と、エッチングにより、チタン膜を除去して、アルミニウム膜により構成され、第２ゲート電極１０の厚みよりも小さい厚みを有する第１ゲート電極１１を形成する工程と、液状の酸化物半導体材料を塗布し、酸化物半導体材料を焼結させることにより、酸化物半導体層を形成する工程と、酸化物半導体層をエッチングによりパターニングして、第１チャネル領域Ｃａを有する第１酸化物半導体層１３ａと、第１チャネル領域Ｃａの厚みＴ_５より小さい厚みＴ_６を有する第２チャネル領域Ｃｂを有する第２酸化物半導体層１３ｂを形成する工程とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に固定電荷を注入することなく閾値電圧をプラス方向にシフトさせることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域４０Ａ上に絶縁材料よりなる固定電荷蓄積層５０を設け、この固定電荷蓄積層５０の上面側に固定電荷制御電極８０を設ける。固定電荷制御電極８０を正（＋）電位、ドレイン電極６０Ｄを負（−）電位とし、ソース電極６０Ｓを電気的に浮いた状態とすると、または、固定電荷制御電極８０のみを正（＋）電位とすると、チャネル電界によって加速されたホットエレクトロン、または衝突電離によって生じたホットエレクトロンが、ドレイン電極６０Ｄ近傍のチャネル領域４０Ａから固定電荷蓄積層５０に注入され、蓄積される。これにより、チャネル領域４０Ａの電位が制御され、閾値電圧Ｖｔｈがプラス方向にシフトする。 （もっと読む）

【課題】新規なチオフェン化合物、および該化合物を含有してなる高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有する優れた有機トランジスタの提供。
【解決手段】下記一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物。さらには、有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


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【課題】閾値電圧のシフトが少なく安定性の向上した酸化物薄膜トランジスタアレイ基板を作製する。
【解決手段】基板上に複数の酸化物薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程と、各酸化物薄膜トランジスタのゲート電極にゲート電圧を印加することによって各酸化物薄膜トランジスタの閾値電圧のシフトを発生させる閾値電圧シフト工程と、ゲート電圧の印加を停止した後、その発生した閾値電圧のシフトを元の閾値電圧に向かって回復させる回復工程とによって作製する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層に含まれる高誘電体粒子がゲート電極側に偏在していない場合に比べ、低電圧でも駆動する電界効果型有機トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記チャネル層は有機半導体層であり、前記ゲート絶縁層は高誘電体粒子及び絶縁性樹脂を含み、前記高誘電体粒子がゲート電極側に偏在している電界効果型有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第２の絶縁膜中に酸素原子を供給し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】低閾値動作が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体領域２と、半導体領域に離間して形成されたソース領域およびドレイン領域１２ａ、１２ｂと、ソース領域１２ａとドレイン領域１２ｂとの間の半導体領域上に形成され、シリコンと酸素を含む第１絶縁膜４と、第１絶縁膜上に形成され、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１つの物質と酸素を含む第２絶縁膜８と、第２絶縁膜上に形成されたゲート電極１０と、を備え、第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面７ａを含む界面領域７に、Ｇｅが導入されており、Ｇｅの面密度が、界面領域７内の第１絶縁膜４側においてピークを有している。 （もっと読む）

【課題】逆スタガ型ＴＦＴにおいて、薄膜の応力を用いてしきい値電圧を制御する。
【解決手段】基板上に形成された電極上に設けられた第１の絶縁層の応力と膜厚の積と、前記第１の絶縁層上に設けられた引張り応力を有する結晶質半導体膜からなる活性層の応力と膜厚の積と、前記活性層上に設けられた第２の絶縁層の応力と膜厚の積を適当な大きさに設定することでしきい値電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造の縦型のＭＩＳＦＥＴの提供
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、一部に空孔４を有する絶縁膜２が設けられ、空孔４上及び絶縁膜２の一部上に横方向半導体層６が設けられ、半導体層６の側面の一部に導電膜３が接して設けられ、絶縁膜２により素子分離されている。半導体層６上の、空孔４直上部に縦方向半導体層７が設けられ、半導体層７の上部にドレイン領域（１０，９）が設けられ、離間し、相対して下部にソース領域８が設けられ、ソース領域８は延在して、半導体層６全体に設けられている。半導体層７の全側面には、ゲート酸化膜１１を介してゲート電極１２が設けられ、ドレイン領域１０、ゲート電極１１及び導電膜３を介したソース領域８には、バリアメタル１８を有する導電プラグ１９を介してバリアメタル２１を有する配線２２が接続されている縦型のＭＩＳＦＥＴ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネルとして用い、閾値電圧を正方向に制御すると共に信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えている。酸化物半導体層１４上に形成されたチャネル保護膜１６は低密度の酸化アルミニウム膜により形成される。低密度の酸化アルミニウム膜は負の固定電荷を有し、これにより薄膜トランジスタの閾値電圧が正方向へシフトする。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。
【解決手段】半導体・オン・インシュレータ（ＳｅＯＩ）基板上に形成された回路であって、電源電位を印加する為の第１、第２の端子間に第２のチャネル型のトランジスタと直列の第１のチャネル型のトランジスタを含み、トランジスタの各々が薄層におけるドレイン領域およびソース領域と、ソース領域とドレイン領域間に延びるチャネルと、チャネルの上方に配置されたフロント・コントロール・ゲートとを備え、各トランジスタが、トランジスタのチャネルの下方のベース基板に形成され、かつトランジスタの閾値電圧を調整する為にバイアスされうるバック・コントロール・ゲートを有し、トランジスタのうちの少なくとも１つが閾値電圧を十分に調整するバックゲート信号の作用の下、空乏モードで動作するように構成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極およびドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過してハロゲン元素を導入（添加）し、加熱処理を行う。このハロゲン元素導入および加熱工程によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】ａ−ＩＧＺＯ薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑える。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、該チャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む酸化性雰囲気による熱処理後のａ−ＩＧＺＯ薄膜の閾値電圧が０±５Ｖ以内、電界効果移動度が５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。該半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを１．０容積％以下０．０１容積％以上含有する乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を１００〜２００℃の温度範囲内で１〜１２０分間、熱処理する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、または絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ未満の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧を制御しやすく、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、支持基板（Ｓｉ基板１）、絶縁層（埋め込み絶縁膜２）および、ＳＯＩ層（極薄Ｓｉ層３）が順に積層してなる基板と、極薄Ｓｉ層３上の少なくとも一部に設けられたトランジスタと、を備え、トランジスタの直下の極薄Ｓｉ層３が、空乏化しており、埋め込み絶縁膜２と極薄Ｓｉ層３との間の界面に、界面準位生成不純物が位置しており、界面の界面準位生成不純物の濃度は、埋め込み絶縁膜２中の界面準位生成不純物の濃度より高い。 （もっと読む）