【課題】 パンチスルー現象を改善し、ボディーの体積を増加させることのできる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子は、シリコン基板、埋め込み酸化膜およびシリコン層の積層構造からなり、前記シリコン層におけるゲート形成領域に、チャンネル幅方向に上端部よりも下端部の方が幅が広いフィンパターンが形成されたＳＯＩ基板と、前記フィンパターンを取り囲むように形成されたゲートと、前記ゲートの両側のシリコン層内に形成された接合領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を支持基板上に形成する半導体基板の作製方法において、単結晶半導体基板を貼り合せた後、再生し、効率的かつ経済的な活用を図る方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の第一の面に、保護層となる引っ張り応力の導電性薄膜を形成し、第二の面が凸型に反るようにする。次いで、単結晶半導体基板の第二の面にイオン種を注入し所定の深さの領域に脆化層を形成する。次いで、単結晶半導体基板と支持基板と接合し、単結晶半導体基板の加熱によって、単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を支持基板上に固定して、半導体基板を作製する。一方、半導体層が分離された単結晶半導体基板の第二の面に再生処理を施す。該再生処理は、熱酸化処理にて酸化膜を形成し、該酸化膜をフッ酸等で除去処理を行う。このとき第一の面の膜は保護膜が形成されているため減ることはない。 （もっと読む）

【課題】ビット線の容量を小さくし、高速動作が得られるダイナミックランダムアクセスメモリを得ること。
【解決手段】ソース／ドレイン領域の一方になる第１の導電層６の上に、第１の半導体層１１、チャネル半導体層１２、ソース／ドレイン領域の他方になり、かつストレージノード２６にもなる第２の導電層１３が設けられている。第２の導電層１３の上にキャパシタ絶縁膜２１が設けられる。キャパシタ絶縁膜２１を介在させて、ストレージノード２６の上にセルプレート２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作特性の制御が容易で微細化に有利なトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域Ｋ内に設けられたトレンチ１００と、トレンチ１００と素子分離領域Ｓとの間の活性領域Ｋに形成されたフィン型チャネル領域１８５と、トレンチ１００に埋設され、ゲート絶縁膜１９１を介してフィン型チャネル１８５と接するゲート電極２２５と、フィン型チャネル１８５と接続され、活性領域Ｋ内においてゲート電極２２５を挟んでトレンチ１００の両側に位置するソース／ドレイン拡散領域２４１と、を具備してなり、ソース／ドレイン拡散領域２４１と半導体基板１０１の接合部２４１ａは、フィン型チャネル領域１８５の最下端部１８５ａより深い位置にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板領域と、基板領域上に位置するアクティブ領域と、アクティブ領域上に位置するゲートパターンと、アクティブ領域の両側エッジに沿ってそれぞれ形成される第１不純物ドーピング領域及び第２不純物ドーピング領域を具備する半導体装置である。該第１不純物ドーピング領域及び第２不純物ドーピング領域は、水平長が垂直長より短く、ゲートパターンとオーバーラップされないように、アクティブ領域の両側エッジに沿って狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に適用される比較的膜厚の厚い絶縁膜中の水素濃度を大幅に低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数のメモリセルトランジスタが設けられる。ｎ型拡散層７、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）２、及び絶縁膜６上と、側壁絶縁膜８の側面とには積層シリコン窒化膜９が形成される。メモリセルトランジスタのゲートの周囲に積層シリコン窒化膜９が設けられる。積層シリコン窒化膜９は、例えば膜厚が略１００ｎｍであり、ｎ層のシリコン窒化膜から構成される。ｎ層のシリコン窒化膜の膜厚は、それぞれ３ｎｍ以下に設定される。ｎ層のシリコン窒化膜は、それぞれ膜中の水素結合がプラズマ処理で置換され、水素が離脱され、膜中の水素濃度が大幅に低減されたシリコン窒化膜である。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止するとともに、回路設計の自由度を増大させることができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向きに結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向きに結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って鋸歯状または正弦波状に衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】駆動力向上、サブスレッショルド係数低減、オフ電流低減、駆動電圧の低減等トランジスタ特性の高性能化、低消費電力化を実現する半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられた導電性電極１０３と、導電性電極１０３上に設けられた絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４を介して導電性電極１０３上部に設けられた半導体１０５と、半導体１０５の両側に、絶縁膜１０４に接して設けられた導電性領域１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 １つの結晶粒内に複数の薄膜トランジスタを配置することのできるような大粒径の結晶を含む結晶シリコンアレイ。
【解決手段】 非晶質シリコン薄膜を結晶化して得られる結晶シリコンアレイの結晶化単位領域（Ｕ）は、７μｍ角以上の正方形領域を内包する大きさを有する二次元結晶部（２１）と、主成長方向（Ｆ１）に間隔を隔てた一対の二次元結晶部の間に形成されて主成長方向に沿って０．２μｍ以上の長さを有する微結晶部（２２）と、３．５μｍ以上の粒長を有する針状結晶部（２３）とを含む。二次元結晶部は、１つの結晶核からの成長により形成され、結晶の主成長方向を有する。針状結晶部は、一対の二次元結晶部の間において主成長方向と直交する方向に沿った成長により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボディ−基板間容量を大きくすることによって大きな信号量を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１０と、半導体基板上に設けられた埋込み絶縁膜２０と、埋込み絶縁膜上に設けられた半導体層３０と、半導体層内に設けられたソース層Ｓおよびドレイン層Ｄと、ソース層と前記ドレイン層との間の半導体層内に設けられ、電気的に浮遊状態であり、データを格納するために電荷を蓄積あるいは放出するボディ領域Ｂと、ボディ領域上に設けられたゲート絶縁膜７０と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極ＷＬと、半導体層の無い素子分離領域において、ボディ領域の側面と絶縁膜を介して対向しているプレート電極ＰＥとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上での同軸トランジスタの提供。
【解決手段】ｐドーピング環状ドレイン半導体領域およびソース半導体領域と、同一の基板で環状ソース及びドレイン半導体領域の間に形成される環状チャネル領域及びこの環状チャネル領域上端で酸化物層により隔離される環状多結晶シリコン或いは導体ゲートとソースを接続し自身の基板或いはウェルを参考電圧とする基層と、基層及び環状ソースを接続するための同軸環状の給電導体層と、半導体内の軸心導体に接続するドレイン等の素子から構成され、この同軸ＰチャネルＭＯＳＦEＴ構造の内の各環状素子と環状各極が同軸構造形態により構成され、その環状ゲートの電圧によりトランジスタの電流の流動方向を制御して、各半径方向に環状導体層から軸心導体への半径方向に流動し集中式により構成する同軸トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】導波損失を抑え、光導波路からの光を効率的にトランジスタ部のチャネルボディに導くことができるようにする。
【解決手段】半導体基板１１上に絶縁膜１２を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備える。トランジスタ部のチャネルボディ１６を、リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、光導波路に対して連続的に形成する。また、チャネルボディ１６の両側面に光導波路に対して連続的に形成された側壁部１５Ｃを形成する。半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディに隣接する領域にドレイン領域１５Ａとソース領域１５Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成にしたがって光学系の大型化を招くことなく、非単結晶半導体膜上での干渉縞の発生を良好に抑えることのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。所定方向（ｙ方向）に沿って配列された複数のシリンドリカルレンズ要素（２３ｂａ）を有するホモジナイザを介して光変調素子を照明する照明系と、光変調素子を介した光に基づいて所定の光強度分布を形成する結像光学系と、複数のシリンドリカルレンズ要素に対して１個おきに設けられた複数の短冊状の光学部材（２５）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】屋内外、または海上において場所を選ばず、必要な生体の表面を必要なタイミングで暖め、且つ、低温やけどを生じさせない装置を提供する。
【解決手段】プラスチック、または繊維体を含むシート上に非接触で電力を受け取ることのできる回路と、発熱回路と、該発熱回路の温度を制御する回路とを有する発熱機能を有するシートを作製する。使用者の身体の一部上に上記シートを配置し、無線信号を送信するバッテリー内蔵の発信装置を携帯する。シートを装着した使用者は、屋内外において発信装置から無線信号を発信させることによってシート上の発熱回路の加熱を行い、その熱を使用者の皮膚に伝導させることが可能である。また、発熱回路の温度を制御する回路により自動で温度制御ができる。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ以上の大きな電圧を印加しなくても、チャネルボディに電荷を蓄積させることの可能な記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置１は、ＭＯＳトランジスタ１０および光照射装置２０を備える。ＭＯＳトランジスタ１０は、半導体基板１１上に絶縁膜１２および半導体層１３を半導体基板１１側からこの順に積層してなるＳＯＩ基板の半導体層１３に形成されており、半導体層１３のうちゲート電極１５直下の部位に、電気的に浮遊したチャネルボディ１８を有している。光照射装置２０は、半導体基板１１の裏面側に配置されており、レンズ２１および光源２２を半導体基板１１側からこの順に配置して構成されている。光照射装置２０は、光源２２から発せられた光を、レンズ２１を介してチャネルボディ１８に照射する。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を、少ない作製工程及び作製コストで作製することを課題とする。
【解決手段】剥離層と、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、前記半導体素子層と電気的に接続される導電性樹脂を形成し、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂上に、繊維体及び有機樹脂層を含む第１の封止層を形成し、前記封止層、前記半導体素子層及び前記剥離層に溝を形成し、前記溝に液体を滴下し、前記剥離層と前記半導体素子層を物理的手段により剥離し、前記導電性樹脂上の前記封止層を除去して開口部を形成し、前記封止層及び前記半導体素子層を、チップに分断し、基材上に形成されたアンテナに前記チップを貼り合わせ、前記アンテナ及び前記チップを覆って、繊維体及び有機樹脂層を含む第２の封止層を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】完全空乏化型のトランジスタ特性を維持しつつ、良好なＳ値と大きなドレイン電流が得られる縦型ＳＧＴ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、完全空乏化が可能な太さに形成された複数の半導体の基柱５と、複数の基柱５の各々の外周面に設けられたゲート絶縁膜１０と、複数の基柱５の隙間を埋めて複数の基柱５の各々の外周面を覆うゲート電極１１と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積化を可能とし、生産性を向上させることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】複数の単結晶半導体基板を配列させた後、配列されたままの状態の複数の単結晶半導体基板に一のベース基板を重ね合わせることで、一のベース基板と該複数の単結晶半導体基板とを貼り合わせる。そして、複数の各単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成する。なお、複数の単結晶半導体基板を配列させて一時的に収容するための容器（トレイ）を用意し、複数の単結晶半導体基板をトレイ内に配列させたまま、上記貼り合わせを行う。次に、複数の単結晶半導体層内に存在する結晶欠陥を低減させるために、複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射するが、レーザビームの照射前或いは照射後に、複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化する。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高く、かつアンテナと素子の重なり部分の凹凸を低減された半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層とを有するチップと、凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナとを有し、前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さと前記凹部の深さは同じである半導体装置に関する。 （もっと読む）