【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
薄膜トランジスタのソース・ドレイン間のＯＮ抵抗を低下することができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型に真空中にて半導体膜６を形成し、半導体膜６が形成された転写型に真空中にて連続してゲート絶縁膜７を形成する。そして、基板１上に予め形成されたゲート線２上に接着用樹脂４を介して前記ゲート絶縁膜７および前記半導体膜６を転写する。そして、基板１上に転写された前記半導体膜６に水素イオンをドープする処理を行う。それにより、半導体膜６の抵抗率を低下させることができるので、薄膜トランジスタのゲートがＯＮ状態のときのソース・ドレイン間の接続抵抗を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立に、置換エチニル基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０または１を表す） （もっと読む）

【課題】１３，６−Ｎ−サルフィニルアセトアミドペンタセンを用いた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタに比べ、電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】複数の電極２，３，５と、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層４と、を備える有機半導体トランジスタ。一般式（Ｉ）中、Ｒは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表し、ｎ及びｍは各々独立に１以上３以下の整数を表す。
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【課題】電子デバイスのスイッチング速度等の性能を向上させる。半導体基板の結晶性を向上させる。
【解決手段】ベース基板と、絶縁層と、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層とをこの順に有する半導体基板であって、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層上に設けられる阻害層と、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層に格子整合または擬格子整合している化合物半導体とを備え、阻害層はＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層にまで貫通する開口を有し、かつ化合物半導体の結晶成長を阻害する半導体基板を提供する。また、上記開口の内部でＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層に格子整合または擬格子整合する化合物半導体と、化合物半導体を用いて形成された半導体デバイスとを備える電子デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、チオフェン環、あるいはチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供すること。
【解決手段】複数の電極と下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層とを備える有機半導体トランジスタ。一般式（Ｉ）中、Ｒ^１はそれぞれ独立に炭素数３以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数３以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表し、Ｒ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表す。
（もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体を含む半導体装置を提供すること、又は炭化珪素半導体を含む半導体装置の生産性の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体層若しくは半導体基板の少なくとも一部がエネルギーギャップの大きな半導体領域で構成する。該エネルギーギャップの大きな半導体領域は、好ましくは炭化珪素で形成され、少なくとも絶縁層を介して設けられるゲート電極と重なる位置に設けられる。該半導体領域がチャネル形成領域に含まれる構成することで絶縁破壊耐圧を向上させる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ［ｂ，ｇ，ｋ，ｐ］クリセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ対策をした保護回路および半導体装置を提供する。
【解決手段】集積回路と電気的に接続された信号線と、信号線と第１の電源線との間に設けられた第１のダイオード、及び第１のダイオードと並列に設けられた第２のダイオードと、第１の電源線と第２の電源線との間に設けられた第３のダイオードとを有し、第１のダイオードは、トランジスタをダイオード接続することによって形成されたダイオードであり、第２のダイオードはＰＩＮ接合又はＰＮ接合を有するダイオードである保護回路。上記保護回路は、特に薄膜トランジスタを用いて作製される半導体装置に用いられることで効果を発揮する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のインドール環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流を増大させたトランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタ素子１０において、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａを有するソース電極１８と、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａを有するドレイン電極２０とが、間隔を持って隔てられ、且つ互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａを対向させて配設させている。 （もっと読む）