【課題】簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流を増大させたトランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタ素子１０において、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａを有するソース電極１８と、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａを有するドレイン電極２０とが、間隔を持って隔てられ、且つ互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａを対向させて配設させている。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極形成時の活性層へのダメージを抑制するとともに、製造工程の簡略化を図ることが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電層５０をエッチングによってパターニングすることにより、活性層１８に接触するソース電極２０及びドレイン電極２２を形成するとともに、ソース電極２０とドレイン電極２２を除いた部分にソース電極２０及びドレイン電極２２よりも厚みが薄い導電層を第１保護薄膜５６として残存させる工程と、第１保護薄膜５６を半導体又は絶縁体に化学変化させて第２保護薄膜２４を得る工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、Ｒ_０およびＲ_００はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアルコキシアルキル基を表し、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ独立に、フェニレン基、チエニレン基、あるいはチエノチエニレン基を表し、ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_８は独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｘ_１〜Ｘ_３の組み合わせ及び／又はＸ_５〜Ｘ_７の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換又は未置換のベンゼン環、あるいは置換又は未置換のチオフェン環を形成していてもよく、Ｚ_１およびＺ_２は独立に、Ｏ、Ｓ、あるいはＮ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｚ_１およびＺ_２はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、あるいはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す］ （もっと読む）

【課題】チャネルが形成される第１半導体層とソース電極層及びドレイン電極層が接する界面のコンタクト抵抗が高くなる一因は、ソース電極層及びドレイン電極層となる金属材料の表面がゴミや不純物によって汚染され、電気抵抗が高い皮膜が形成される現象である。そこで、皮膜の形成から表面が保護されたソース電極層及びドレイン電極層と第１半導体層が接する半導体装置及びその作成方法を提供する。
【解決手段】成膜後の導電膜を大気にさらすことなく、導電膜上に連続して第１半導体層以下の導電率を有する第２半導体膜を含む保護膜を積層し、当該積層膜をソース電極層及びドレイン電極層に形成し、ソース電極層及びドレイン電極層が第２半導体膜を介して第１半導体層に接する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタによって形成される半導体装置の製造工程において、フォトマスク数を削減し、製造コストを低減することができ、且つ生産性及び信頼性を向上することのできる技術を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨とするものである。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ（セミコンダクタ・オン・インシュレータ）基板内の底部半導体層からの半導体デバイスについて強化された信号分離を可能とする半導体構造、これを製造する方法、およびこれを操作する方法を提供する。
【解決手段】底部半導体層１０と反対の導電性タイプを有するドープ接点領域１８は底部半導体層１０内の埋め込み絶縁体層２０の下に設ける。少なくとも１つの導電ビア構造４７，７７は、相互接続レベル金属ライン９４から、中間工程（ＭＯＬ）誘電体層８０、最上部半導体層３０内の浅いトレンチ分離構造３３、および埋め込み絶縁体層２０を通り、ドープ接点領域１８まで延びる構造とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】エンハンスメント型のトランジスタを用いた論理回路に酸化物半導体を用いたトランジスタを適用することを課題とする。
【解決手段】デプレッション型であるトランジスタ１０１と、エンハンスメント型であるトランジスタ１０２と、を有し、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０２は、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、トランジスタ１０２は、第１の酸化物半導体層におけるソース電極及びドレイン電極の間の領域上に設けられた還元防止層と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３、あるいはＸ_８とＸ_９の少なくとも一方の組み合わせにおいて、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよく、Ｙは酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_１６は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１とＸ_２、あるいはＸ_３とＸ_４の少なくとも一方の組み合わせにおいて、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極と、該ゲート電極上方のゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、を形成し、ウエットエッチングにより、酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層を形成し、島状の酸化物半導体層を覆う導電層を形成し、ドライエッチングにより、導電層を加工してソース電極及びドレイン電極を形成し、島状の酸化物半導体層の一部を除去し、島状の酸化物半導体層に凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブのような筒状形状半導体構造を導電層に用いた半導体装置では、電気特性におけるヒステリシスが大きく、ヒステリシスを低減することが困難である。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層に接する導電層と、導電層を被覆し第１の絶縁層と接する部分を有する第２の絶縁層と、第１の絶縁層の導電層と反対側の面と接する第１の電極とを有し、導電層は離散して配置された半導体構造物を含み、第１の電極から生じる電界の、導電層の第１の絶縁層と接する面における電界強度をＥ_１、導電層の第２の絶縁層と接する面における電界強度をＥ_２としたとき、Ｅ_１＞Ｅ_２、かつ、Ｅ_２≠０である関係を満たすように第１の絶縁層および第２の絶縁層が構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ４００℃未満の温度で誘電体上に半導体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。次に、半導体膜を形成するためのソースガス、例えばＳｉＨ_４、ＧｅＨ_４などが反応炉に供給されて半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高分子化合物が有機溶媒に可溶で凝集性がなく、均質な薄膜形成を行うことが可能であり、該化合物を使用することにより電荷移動度に優れ高耐熱性を有する有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を高分子鎖中に少なくとも一つ有する高分子化合物。
【化１】



（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４〜Ｒ^９は、各々独立して水素原子もしくは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基（ただし、スルホ基、カルボキシル基、ホスホリル基及びヒドロキシル基を除く）を示す。Ｒ^１とＲ^２は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は炭素数１以上の無置換もしくは置換されてもよい一価のアルキル基を示す。ただし、Ｒ^３で表されるアルキル基上の置換基としてアミノ基及びアリール基を除く。） （もっと読む）