【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定的に電子素子部を形成可能な電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、可撓性を有する金属基材と、上記金属基材の少なくとも一方の表面上に形成された絶縁層と、上記金属基材の他方の表面上に形成され、電磁波剥離性を有する電磁波剥離性粘着樹脂を含む電磁波剥離性粘着層と、を有することを特徴とする電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】従来公知のデバイス素子の形成手法を広く一般的に使用でき、かつ、品質にも優れた薄膜デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一例として、強磁性体層１１の表面側に絶縁層１２を積層して、可撓性の薄膜デバイス基材を得る積層工程と、薄膜デバイス基材を支持するために、前記強磁性体層の裏面側に、強磁性体層と引き合う磁性平板２１を磁力で密着させる支持板密着工程と、薄膜デバイス基材の前記絶縁層上にデバイス素子１３を形成する素子形成工程と、強磁性体層の裏面側から磁性平板２１を取り外す支持板離脱工程と、を備える薄膜デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】粘着剤を介して可撓性基体を剛性基体に短時間で効率よく貼り合わせることが可能な貼り合わせ装置を提供する。
【解決手段】貼り合わせ装置は、積層された転写層および支持層を含む帯状の可撓性基体１を搬送する機構１０と、シート状の剛性基体２を搬送する機構２０と、帯状の可撓性基体を搬送させながら、転写層に粘着剤を塗布する機構３０と、帯状の可撓性基体を搬送させながら、粘着剤が塗布された転写層をシート状に切断する機構４０と、帯状の可撓性基体およびシート状の剛性基体を搬送させながら、シート状に切断された転写層を剛性基体に粘着剤を介して貼り合わせる機構５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第１のトランジスタのゲート電極と、該ゲート電極に接する第２のトランジスタのソース電極とは、エッチングの選択比がとれる材料を用いて形成される半導体装置を提供する。第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極とをエッチングの選択比がとれる材料を用いて形成することで、レイアウトのマージンを低減させることができるため半導体装置の集積度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、相対的に低温工程で製造された薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターを使用して相対的に低温工程で製造された表示装置と、前記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスターは、基板本体と、前記基板本体上に位置し、２０００〜８０００ｏｈｍ／ｓｑ範囲内の表面抵抗を有する多結晶シリコン膜で形成された半導体層と、前記半導体層とそれぞれ互いに接触し、３５０〜２０００ｏｈｍ範囲内の抵抗を有する金属物質で形成されたソース電極およびドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程数を減少させること、半導体装置の歩留まりを向上させること、半導体装置の作製コストを低減することを課題とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することが可能な画像表示装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング特性に優れたＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された半導体層および上記半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、非感光性ポリイミド樹脂からなる非感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便なプロセスで製造可能なものとすることができ、スイッチング特性に優れたＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、可撓性を有する基板と、上記基板上に形成された半導体層および上記半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、５％重量減少温度が４５０℃以上である低アウトガス感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された低アウトガス感光性ポリイミド樹脂を含む低アウトガス感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程と、金属基材上に、上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】紫外線の影響により特性が悪化することを防止することが可能である。
【解決手段】アクティブマトリクス表示装置は、波長２００ｎｍから３２０ｎｍにおける光線透過率が１０％以下であり、波長４５０ｎｍ、波長５４０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるプラスチック基板２上に、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で、酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である非金属元素を含む半導体層７をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ１を有する。また、波長２００ｎｍから３７０ｎｍにおける光線透過率が１０％以下である遮光層８を有し、波長４５０ｎｍ、波長５４０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるプラスチック基板２上に、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である非金属元素を含む半導体層をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ１を有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率が低く、高温で脱ガスを減少させることができる表示装置用高分子基板を提供すると共に、前記高分子基板の製造方法を提供する。また、前記高分子基板を含む表示装置を提供すると共に、前記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】４２０乃至６００℃の温度で重量損失が初期重量に対して１％より小さい高分子基板、前記高分子基板を準備する段階及び前記高分子基板を３５０℃より高い温度で熱処理する段階を含む高分子基板の製造方法、及び前記高分子基板を含む表示装置、並びにその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板を有する素子の形成方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるプラスチック基板を有する素子の形成方法は、プラスチック基板を形成する工程と、前記プラスチック基板を熱処理する工程と、前記熱処理されたプラスチック基板を素子に適用する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際に、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の劣化を抑制することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することができるフレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属箔と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板よりも大面積な基板に、均一な質を有する複数の単結晶半導体層を貼り付けたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。また、該トレイの各々の凹部の間にベース基板支持部を設けることによって、該トレイとベース基板との接触面積を低減する。以上より、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する熱処理の際、単結晶半導体基板及びベース基板の熱分布が均一になるようにする。 （もっと読む）

【課題】不要な領域へのインクの漏れ込みを抑えるとともに、インクの密着性を高めることで、優れた特性と高い信頼性を安定して得ることができる有機ＴＦＴアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配列された複数の有機ＴＦＴを有する有機ＴＦＴアレイの製造方法において、表面が撥液性を有する第１の基板を作成する工程と、下地層の上に複数のソース電極・ドレイン電極がマトリクス状に形成された第２の基板を作成する工程と、第２の基板に形成された複数のソース電極・ドレイン電極で形成される複数のチャネルの間隔と等しい間隔で、第１の基板の表面に有機半導体前駆体溶液を塗布し乾燥させる工程と、有機半導体前駆体溶液が塗布・乾燥された第１の基板と第２の基板とを重ね合わせて、有機半導体前駆体溶液を第２の基板の前記チャネルに転写する工程と、を有する。 （もっと読む）