【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、ｍは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａ、環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を溶液から形成する場合において、ゲート絶縁膜の欠陥などに起因するリーク電流やショートの発生を低減することができ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供すること。
【解決方法】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極に表面に形成された単分子膜と、下部電極及び単分子膜の全面を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に離間して形成された１の上部電極及び第２の上部電極と、第１の上部電極と第２の上部電極との間隙に形成された半導体層と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物と高分子材料を含む組成物およびインクを用いることで、耐熱性、大気安定性、基板濡れ性に優れた、電界効果トランジスタ用の材料、および製造法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む組成物およびインク。


（式中、ＸはＳ、Ｓｅ、またはＴｅを表す。） （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに代表される半導体素子の動作特性が改善されるように、微結晶シリコン膜若しくは結晶粒を含む膜の膜質を制御する。また、微結晶シリコン膜若しくは結晶粒を含む膜の堆積過程を制御して、ＴＦＴに代表される半導体素子の特性向上を図る。また、薄膜トランジスタのオン電流を向上させ、オフ電流を低減する。
【解決手段】非晶質構造の中に複数の結晶領域を含む半導体層において、該結晶領域が生成する起点となる結晶核の生成位置と生成密度を制御することで、該半導体層の膜質を制御する。また、半導体層の結晶領域が生成する起点となる結晶核を生成した後、ドナーとなる不純物元素を半導体層に添加して、半導体層の結晶性を高めると共に、半導体層の抵抗率を低減する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】支持基板を介した電位干渉を抑制し、埋込酸化膜による寄生容量に起因する変位電流が流れることを抑制することにより、回路の誤作動を防止する。
【解決手段】支持基板２の不純物濃度を１×１０¹⁴ｃｍ^-3以下とし、かつ、支持基板２の電位をＧＮＤにする。これにより、高電位基準回路部ＨＶ側では、支持基板２の不純物濃度を低くして空乏層が広がるようにすることで空乏層容量を大きくし、埋込酸化膜３との合成容量を小さくすることで変位電流を抑制できる。また、低電位基準回路部ＬＶ側では、支持基板２の電位をＧＮＤに固定することで、埋込酸化膜３にかかる電圧を抑制することができる。したがって、低電位基準回路部ＬＶと高電位基準回路部ＨＶの双方において変位電流を抑制することが可能となる。これにより、回路の誤作動を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 完全空乏形のＳＯＩなどの第１、第２の主面間でキャリアが空乏する半導体薄膜に形成された絶縁ゲートトランジスタのゲート閾値電圧を電子制御する。
【解決手段】 半導体薄膜に接して逆導電形の第３の半導体領域を設け、該半導体領域から逆導電形のキャリアを前記半導体薄膜へ供給する、ないしは前記半導体薄膜から逆導電形のキャリアを前記第３の半導体領域へ引き抜くことにより前記半導体薄膜中のキャリア量を制御する。 （もっと読む）

【課題】静電気による帯電を防止し、素子破壊による不良発生を低減させることができる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板１を製造する各処理工程に長尺プラスチック基板１０をロール・ツー・ロールで供給、巻き取りを行いながらその長尺プラスチック基板１０の一方の面Ｓ１に薄膜トランジスタ５０を形成する薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、少なくとも長尺プラスチック基板１０の一方の面Ｓ１に薄膜トランジスタ５０を形成する前に、長尺プラスチック基板１０の他方の面Ｓ２の全面に導電膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタが用いられた有機半導体素子であって、簡易な工程で製造可能であり、表示装置に用いられた場合に高精細な画像を優れた品質で表示することが可能な有機半導体素子を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁性フィルムと、上記絶縁性フィルム上に形成された有機トランジスタと、上記絶縁性フィルムの上記有機トランジスタが形成された面とは反対側の面上に形成された表示電極とを有し、上記表示電極と、上記有機トランジスタとが上記絶縁性フィルムの貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上できる半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０２と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜１０４であってアスペクト比が√３／３以上のシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜１０４と、開口部に形成された化合物半導体結晶１０８であって絶縁膜１０４の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶１０８と、シード化合物半導体結晶１０８の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層１１２と、を備えた半導体基板。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】基板上に積層された薄膜に影響を与えない絶縁性ＺｎＯ系基板を用いたＺｎＯ系トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｍｇ_ＺＺｎＯ基板１上に、Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３が積層されている。Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。４はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極４上にはゲート電極５が、ドナードープ部３ａ上には各々ソース電極６、ドレイン電極７が形成されている。Ｍｇ_ＺＺｎＯ基板１は、遷移金属を含み、かつ抵抗率が１×１０^５Ωｃｍ以上に絶縁化されている。 （もっと読む）

【課題】 引張り歪み及び／又は圧縮歪みを有する半導体デバイス、並びにその製造方法及び設計構造体を提供する。
【解決手段】 引張り歪み及び／又は圧縮歪みが加えられた半導体デバイス、及びその半導体デバイスを製造する方法、及びチャネルの歪みを増大させるための設計構造体を提供する。本方法は、ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴのゲート構造体を形成するステップと、ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴのゲート構造体上の側壁を、同じ堆積及びエッチング・プロセスを用いて形成するステップとを含む。本方法はまた、ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴのソース及びドレイン領域内に応力材料を供給するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。
【解決手段】膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３０）を形成する。最初に、標準厚さの基板（１８）から半導体膜層（３６）を形成し、次いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディングされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、膜中の複数の層に相互接続部を形成する。１つのそのような膜に複数のダイを接続することができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。 （もっと読む）

【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無色透明性の高い有機薄膜トランジスタ、該トランジスタを用いた透明半導体回路、および開口率の高い画像表示装置並びに受光装置を提供する。
【解決手段】半導体活性層に、膜厚３０ｎｍの薄膜としたときに可視域である４００〜７００ｎｍの範囲の最大吸光度が０．２以下であるｐ型有機半導体材料を用いた透明有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの素子形成に自己整合技術を用いて、高速応答性が良く高密度化が容易であり、高性能な薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】透光性のある透明基板３２と、透明基板３２上に形成された不透明なゲート電極３４を有する。不透明なゲート電極３４と相補的に対向するように自己整合して形成されたソース電極４２及びドレイン電極４４を備える。ゲート電極３４と、ソース電極４２及びドレイン電極４４間に、透光性のゲート絶縁膜３６及び透明半導体層４０を備える。 （もっと読む）