【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる２層構造とする。ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ＩＴＯとを接合させる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の上昇を防ぎつつ、配線間の寄生容量を低減できる表示装置を提供する。また、表示品質を向上させた表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の画素において、信号線と、該信号線と交差する走査線と、信号線から突出する第１の電極と、該第１の電極と対向する第２の電極と、該第２の電極と接続する画素電極とを有する。また、走査線の一部はループ形状であり、第１の電極の一部は、走査線の開口部と重畳する領域に位置する。即ち、第１の電極の一部は、走査線と重畳しない。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の優れたトランジスタを作製する。
【解決手段】基板上に酸化物絶縁膜を形成し、該酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜に含まれる水素を除去させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱した後、該加熱された酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成し、島状の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、該一対の電極及び島状の酸化物半導膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】軽量、薄型、小型であり、かつ読み込んだ画像に明るさのむらが生じないエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】エリアセンサが有する画素は、光源としてのＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードと複数のＴＦＴをそれぞれ有しており、ＥＬ素子とフォトダイオードの動作をＴＦＴで制御していることを特徴とするエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】加速した水素イオンの照射量を増やすことなく、低い加熱処理温度で単結晶半導体基板からベース基板に半導体層を転載できるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】劈開に寄与することなく、脆化領域から半導体基板の表面側に拡散する水素に着眼した。そして、脆化領域からの水素の拡散を防ぎ、且つ脆化領域と半導体基板の表面に挟まれた領域に水素を供給できるキャップ膜を半導体基板に形成し、当該半導体基板からベース基板に半導体層を転載する発明に至った。特に、半導体基板に形成するキャップ膜の水素濃度は水素イオンの照射量以上とすればよい。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑化させることなく、光検出素子および駆動素子において高い特性を示すことが可能な撮像装置、表示撮像装置および電子機器を提供する。
【解決手段】光検出素子３におけるＩ層３２Ｉ（チャネル領域，半導体層）と、ＴＦＴ素子２におけるＩ層２２Ｉ（チャネル領域，半導体層）とにおいて、それらの厚みおよび不純物濃度がそれぞれ互いに略等しくなっている。Ｉ層２２Ｉ，３２Ｉにおける平均トラップ順位密度がそれぞれ、２．０×１０¹⁷（ｃｍ^-3）以下となっている。２種類の半導体層（Ｉ層２２Ｉ，３２Ｉ）を、同一の工程で簡易に形成することができる。また、光検出素子３およびＴＦＴ素子２における特性をそれぞれ、高い値で両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


〔式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｍは０または１を表す〕 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルム上において形成された良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】 樹脂フィルム上に硬化性組成物を塗布したプライマー層を設けることで良好な薄膜トランジスタとなすことができる。また硬化性組成物はポリシロキサン系化合物が好ましい。プライマー層を設けることで薄膜トランジスタの基盤となる樹脂フィルム表面が平坦化されると共に、ポリシロキサン系化合物さらには一般式（Ｉ）に示す特定構造を有する硬化性組成物を用いることで透明性、耐熱性が良好な透明フィルムとなすことができ、良好な特性を有する薄膜トランジスタとなすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オン／オフ比、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される有機半導体を含有してなる有機トランジスタ。


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【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の信頼性を向上させる。また、半導体装置の製造工程を簡略化する。
【解決手段】ＳＯＩ基板ＳＢ上に形成された複数のｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴＱｎを有する半導体装置において、ＢＯＸ膜の下部の支持基板の上面に拡散層であるｎ^＋型半導体領域を形成し、ｎ^＋型半導体領域と電気的に接続され、素子分離領域１を貫くコンタクトプラグＣＴ２を形成することで、支持基板の電位を制御する。ＳＯＩ基板ＳＢの平面において、各ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴＱｎは第１方向に延在しており、第１方向に複数形成されて隣り合うコンタクトプラグＣＴ２同士の間に配置された構造とする。 （もっと読む）