【課題】高度な集積化を実現した、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層と、チャネル形成領域と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、チャネル形成領域とゲート電極との間のゲート絶縁層と、を含み、チャネル形成領域を含む半導体層の側面の一部と、ソース電極またはドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高度な集積化を実現した、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層と、チャネル形成領域と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、チャネル形成領域とゲート電極との間のゲート絶縁層と、を含み、ゲート絶縁層の側面の一部と、ソース電極またはドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第２のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。第２のトランジスタを、オフセット領域を有する構造とすることで、第２のトランジスタのオフ電流を低減させることができ、長期に記憶を保持可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の長時間にわたる保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を含む複数のメモリセルと、増幅回路と、スイッチ素子と、を含む読み出し回路と、リフレッシュ制御回路と、を有し、第１のチャネル形成領域と第２のチャネル形成領域は、異なる材料を主成分として構成され、第１のゲート電極と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方は電気的に接続され、第２のソース電極および第２のドレイン電極の他方と、増幅回路の入力端子の一は電気的に接続され、増幅回路の出力端子は、スイッチ素子を介して第２のソース電極および第２のドレイン電極の他方と接続され、スイッチ素子の導通状態または非導通状態は、リフレッシュ制御回路によって制御される半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ノードコンタクト構造体を有する半導体素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。該バルクモストランジスタ上に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上にソース／ドレイン領域を有する薄膜トランジスタが形成される。該バルクモストランジスタのソース／ドレイン領域上に半導体プラグが形成され、該半導体プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。該薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域及び該半導体プラグは金属プラグと接触し、該金属プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。該半導体プラグ及び該金属プラグは多層のプラグを構成する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減し、特性ばらつきが抑制された多結晶半導体層をチャネル領域とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に絶縁体層を形成する工程と、絶縁体層上に狭窄部を有する非晶質または多結晶質の半導体層を形成する工程と、半導体層上に半導体層よりも熱膨張係数の大きい絶縁体層を形成する工程と、熱処理を行う工程と、絶縁体層を除去する工程と、狭窄部の側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、半導体層中にソース・ドレイン領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バーズビーク効果を軽減することのできる、ＳＯＩウェーハ内にトレンチを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板と、基板上の酸化物層と、酸化物層上の半導体層とを備える多層ウェーハ内にトレンチ構造を製造する方法に関し、本方法は、半導体層および酸化物層を貫通して基板中へ延在するトレンチを形成するステップと、トレンチの内部表面において、半導体層のいくらかの材料が、トレンチの内部表面に露出した酸化物層の部分の一部の上に少なくとも流れるように、形成されたトレンチのアニール処理を行うステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化物ターゲットは、ＧａＯｘからなり、Ｘが１．５未満、好ましくは０．０１以上０．５以下、さらに好ましくは０．１以上０．２以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルに書き込み用のトランジスタ、読み出し用のトランジスタおよび選択用のトランジスタを備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に第１のマスクを形成し、第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、第２のマスクを用いて第１の絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜を覆うように第１の導電膜を形成し、第１の導電膜および第２の絶縁膜に研磨処理を行うことにより、等しい厚さの第３の絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第３の絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の第３の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】電源配線の電位の変動に起因するボディ領域の電位の変動を抑制し得る半導体装置を得る。
【解決手段】シリコン層４の上面内には、パーシャルトレンチ型の素子分離絶縁膜５が選択的に形成されている。電源配線２１は、素子分離絶縁膜５の上方に形成されている。電源配線２１の下方において、素子分離絶縁膜５には、絶縁層３の上面に達する完全分離部分２３が形成されている。換言すれば、半導体装置は、電源配線２１の下方において、シリコン層４の上面から絶縁層３の上面に達して形成された完全分離型の素子分離絶縁膜を備えている。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】互いに離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極においてドレイン電極と対向する側面と、ドレイン電極においてソース電極に対向する側面と、に接して設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に接して設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層、ソース電極及びドレイン電極と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、第１の絶縁層の上面と、ソース電極の上面との高低差、または、第１の絶縁層の上面と、ドレイン電極の上面との高低差は、５ｎｍ未満であり、第２の絶縁層の膜厚は５ｎｍ以上である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。
【解決手段】半導体・オン・インシュレータ（ＳｅＯＩ）基板上に形成された回路であって、電源電位を印加する為の第１、第２の端子間に第２のチャネル型のトランジスタと直列の第１のチャネル型のトランジスタを含み、トランジスタの各々が薄層におけるドレイン領域およびソース領域と、ソース領域とドレイン領域間に延びるチャネルと、チャネルの上方に配置されたフロント・コントロール・ゲートとを備え、各トランジスタが、トランジスタのチャネルの下方のベース基板に形成され、かつトランジスタの閾値電圧を調整する為にバイアスされうるバック・コントロール・ゲートを有し、トランジスタのうちの少なくとも１つが閾値電圧を十分に調整するバックゲート信号の作用の下、空乏モードで動作するように構成される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。また、新たな構造の半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させることを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。また、半導体装置の各メモリセルを構成する、酸化物半導体を用いたトランジスタを直列に接続することにより、隣り合うメモリセルにおいて、酸化物半導体を用いたトランジスタのソース電極またはドレイン電極をお互いに接続させることができ、メモリセルの占有面積を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、容量素子は、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と、ゲート絶縁層と、第２のトランジスタを覆う絶縁層上に設けられた容量素子用電極を含み、第２のトランジスタのゲート電極と、容量素子用電極とは、絶縁層を介して少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置を提供する。第２のトランジスタのゲート電極と、容量素子用電極とを、異なる層で形成することで、半導体装置の集積度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。また、信号線の電位変化のタイミングを、書き込みワード線の電位変化のタイミングより遅らせる。これによって、データの書き込みミスを防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、または絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ未満の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】昇圧効率を向上させた昇圧回路を提供することを課題の一とする。または、昇圧効率を向上させた昇圧回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】単位昇圧回路の出力端子に当たるノード、または当該ノードに接続されたトランジスタのゲート電極をブートストラップ動作により昇圧することで、当該トランジスタにおけるしきい値電位と同等の電位の低下を防ぎ、当該単位昇圧回路の出力電位の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 （もっと読む）