【課題】 ゲート誘電体とゲート電極との間にＶ_t安定化層を含む半導体構造を提供することにある。
【解決手段】 Ｖ_t安定化層は、構造のしきい電圧およびフラットバンド電圧を目標値に安定化することができ、窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、Ｖ_t安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で半導体基板またはゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含む。また、本発明は、このような構造を形成する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】略規則性をもって配列されたチャネル形成領域構成微粒子と有機半導体分子との結合を有するチャネル形成領域を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ソース／ドレイン電極１４、チャネル形成領域１５、ゲート絶縁層１３及びゲート電極１２を備え、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４間に位置する支持体１１の部分とチャネル形成領域１５との間には、下地層３０が形成され、下地層３０は電気的絶縁材料から成る下地層構成微粒子３１が略規則性をもって配列されて成り、チャネル形成領域１５は、導体又は半導体から成るチャネル形成領域構成微粒子２１と、該チャネル形成領域構成微粒子２１と結合した有機半導体分子２２とによって構成された導電路２０を有し、下地層３０の微粒子配列状態に基づき、チャネル形成領域構成微粒子２１が略規則性をもって配列されている。 （もっと読む）

【課題】 微粒子とこの微粒子に結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、その導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置及びその製造方法であって、デバイス構造を工夫することによって性能が向上した半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 金などの微粒子１０と、この微粒子に結合した有機半導体分子１３との結合体を電極２の上に層状に形成し、電極２の反対側の結合体層の面上に電極６を設け、電極２と電極６との間の結合体層の膜厚方向に形成された導電路の導電性を、ゲート電極４を通じて制御する縦型電界効果トランジスタを形成する。上記結合体層では微粒子１０と有機半導体分子１３とが交互に結合したネットワーク型の導電路が形成される。この導電路では、有機半導体分子内の導電路が微粒子内の導電路によって連結され、有機半導体分子内の移動度を最大限に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 微粒子とこの微粒子に結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、その導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置及びその製造方法であって、微粒子のコロイド溶液を形成する際に、微粒子同士の凝集を防止するために微粒子に結合させた保護膜分子を、置換する必要のない半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 金などの導体又は半導体からなる微粒子９に結合した保護膜分子１１と、その微粒子９に隣接した微粒子９に結合した他の保護膜分子１１との間に結合を形成させ、この結果生成する有機半導体分子１２によって、隣接する微粒子９を連結する。この方法によれば、有機半導体分子１２内の導電路が微粒子９内の導電路によって連結され、有機半導体分子１２内の移動度を最大限に利用することができる、三次元ネットワーク型の導電路を、保護膜分子を置換する方法によらず、得ることができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶であることが多い有機半導体膜の導電性を改善した固体組成物の提供。
【解決手段】固体半導体組成物１０は、有機半導体分子の固体マトリックス１２を含み、該マトリックス１２中にナノロッドまたはナノチューブ１４を分散させる。このナノロッドまたはナノチューブ１４は、複数の結晶粒子１６，１８の粒界領域１９を短絡させるブリッジとなり、導電性を補償することができる。尚、ナノロッドまたはナノチューブ１４が組成物全体にわたるパーコレート構造を形成することはない。 （もっと読む）

【課題】有機半導体組成物を利用した薄膜トランジスタを得るにあたって、成膜性がよく、より移動度が向上し、半導体特性に優れた有機半導体組成物を提供する。
【解決手段】ガス中蒸発法により得られた金属微粒子４と、金属微粒子に結合可能な結合性基３が結合するという非常に簡単な方法により、配向膜などの配向処理が不要な半導体組成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型有機半導体材料となり得る、電子吸引性に優れた高分子を提供する。
【解決手段】 下記式（１）で表わされる構造を繰り返し単位として含有させる。


（式（１）中、Ｒ¹〜Ｒ³はそれぞれ独立に水素原子又は１価の置換基を表わす。） （もっと読む）

【課題】 低コスト化が図れ、キャリア移動度および電流のＯＮ/ＯＦＦ比が改善された信頼性の高い薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の主面および第２の主面が平坦であり、かつ、均一な厚みを有する絶縁基板３と、絶縁基板３の第１の主面上に形成されたゲート電極４と、絶縁基板３の第２の主面上に形成され、有機半導体、カーボンナノチューブ、あるいは、カーボンナノチューブを少なくとも含む有機分散材料により構成されるチャネル層２と、チャネル層２上でゲート電極４の両側に位置するように形成されたソース電極１およびドレイン電極５とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の間に延在する分子媒体と、ソース領域、ドレイン領域および分子媒体の間の電気絶縁層とを含む分子デバイスを提供する。本発明の分子デバイス中の分子媒体は、金属−金属結合錯体単分子層と有機単分子層の交互単分子層を有する薄膜である。
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半導体デバイスの性能が向上する方法及び装置が提供される。一実施形態において、第１の電流領域（６４、７６、２３）、チャンネル領域及び第２の電流領域（７５、３３、６６）が互いに隣接している。第２の電流領域（７５、３３、６６）は、第１の電流領域（６４、７６、２３）における第１の元素の含有量より大きい合金の第１の元素の含有量を有し、第２の電流領域（７５、３３、６６）は、チャンネル領域における第１の元素の含有量より大きい第１の元素の含有量を有している。さらに、合金は第２の元素を含み、第１の元素は第１の価電子数を有し、第２の元素は第２の価電子数を有している。さらに、第１の価電子数及び第２の価電子数の合計は８である。
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【課題】半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法を提供することである。この要素は、積層後この要素を焼結しなくても、マイクロプロセッサーやその他の高性能電気装置に使用するのに適した十分なバルク電荷担体移動度を有する。
【解決手段】膜などの半導体要素を形成する方法が提供されている。この方法には、 （ｉ）第２半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第１半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、第１半導体の粒子を含む懸濁液および第２半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 （ｉｉ）第１半導体の隣接粒子を電気的に接続する第２半導体のマトリックス中に第１半導体の粒子を含む半導体要素を形成するために混合物を凝固させる工程とが含まれ、 第１および第２半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは別の材料から形成されている。 （もっと読む）

半導体デバイスは、第１の二元酸化物及び第２の二元酸化物を含むチャネルを備えることができ、第２の二元酸化物はＣｄＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ又はＭｇＯから選択される。 （もっと読む）

本発明は、有機半導体および有機伝導体を架橋するための新規方法に関し、ここで、前記架橋は、自己光増感様式で開始する。本発明は、また、前記架橋方法を用いる有機電子デバイスの製造に関する。結果として、電子デバイスにおける性質は改善される。
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本発明は、少なくとも３つの異なる有機溶媒Ａ、ＢおよびＣの溶媒混合物中の、少なくとも１種の高分子成分を含有する少なくとも１種の有機半導体の溶液に関する。本発明は、溶媒ＡとＢが、有機半導体の良溶媒であり、溶媒Ｃが、有機半導体の貧溶媒であり、および溶媒の沸点（Ｓｄｐ．）について、Ｓｄｐ．（Ａ）＜Ｓｄｐ．（Ｃ）＜Ｓｄｐ．（Ｂ）が当てはまることを特徴とする。また、本発明は、とりわけ電子産業において、基板上に有機半導体の層を製造するための、印刷方法における上記溶液の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、ヘテロ構造を有した電界効果トランジスタに関する。当該ヘテロ構造では、キャリア材料上に歪み単結晶半導体層（４）が形成されている。当該キャリア材料は、最上層として、第１の半導体材料（Ｓｉ）からなる緩和単結晶半導体層（３）を備えている。上記緩和単結晶半導体層は半導体合金（Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ）を含んでいて、第２の半導体材料の比率ｘは自由に設定できる。さらに、上記歪み半導体層（４）上に、ゲート絶縁層（５）およびゲート層（６）が形成される。この場合、非ドープチャネル領域（Ｋ）を構成するために、少なくとも歪み半導体層（４）において、ドレイン／ソース領域（Ｄ、Ｓ）が上記ゲート層に対して横向きに形成される。Ｇｅ比率ｘを自由に設定できる可能性によって、閾値電圧を任意に設定でき、これによって最新の論理半導体部品を実現することができる。
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有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。
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半導体構造体(10)は、第1格子定数を有する第1緩和半導体材料から構成された基板を含む。半導体デバイス層(34)は基板を覆い、該半導体デバイス層は第1格子定数とは異なる第2格子定数を有する第２緩和半導体材料(22)を含む。加えて、誘電体層が基板と半導体デバイス層との間に介在され、該誘電体層は第1格子定数と第2格子定数間の遷移のため、誘電体層内に配置されたプログラムされた遷移帯を含む。該プログラムされた遷移帯は複数層を含み、該複数層の隣接する層は異なる格子定数を有し、隣接する層の1つが欠陥を形成するのに必要な第1限界厚さを超える第1厚さを有し、隣接する層の別の層が第2限界厚さを超えない第2厚さを有する。複数層の各隣接する層は、遷移帯内の欠陥を促進してプログラムされた遷移帯の縁部に移行させて終端させる境界面を形成する。また、該半導体構造を製造する方法も開示される。

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