【課題】イオンビームの一部を受容するファラデーカップ３１により該イオンビームのビーム電流密度を検出する一方、その検出値が予め設定された条件に基づき、ファラデーカップ３１の検出値が設定値になるように制御手段４０によりイオン源を制御するようにしたイオンドーピング装置において、ビーム電流密度の設定値を変更しなくても、ビーム電流密度の実際値を変更できるようにし、もって、稼働率を低下させることなくドーズ量を微調整できるようにする。
【解決手段】ファラデーカップ３１の受容面に半導体薄膜を設け、この半導体薄膜の温度を変更して該半導体薄膜の導電性を変化させることにより、ファラデーカップ３１の検出感度を変更できるようにする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体組成物を利用した薄膜トランジスタを得るにあたって、成膜性がよく、より移動度が向上し、半導体特性に優れた有機半導体組成物を提供する。
【解決手段】ガス中蒸発法により得られた金属微粒子４と、金属微粒子に結合可能な結合性基３が結合するという非常に簡単な方法により、配向膜などの配向処理が不要な半導体組成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】カレントコピー型回路を画素回路に採用した表示装置で表示ムラが発生するのを防止すること。
【解決手段】本発明の表示装置は、各画素ＰＸが、薄膜トランジスタＤＲ２と、電源端子ＮＤ１と薄膜トランジスタＤＲ２との間に接続されると共に薄膜トランジスタＤＲ２とは導電型が異なる薄膜トランジスタＤＲ１と、一方の電極が薄膜トランジスタＤＲ１のゲートに接続され、他方の電極が定電位に設定されるキャパシタＣ１と、薄膜トランジスタＤＲ１のゲートとドレインとの間に接続されたスイッチＳＷ１ａと、薄膜トランジスタＤＲ２のゲートとソースとの間に接続された第２キャパシタＣ２と、薄膜トランジスタＤＲ２のゲートとドレインとの間に接続されたスイッチＳＷ２ｂと、薄膜トランジスタＤＲ２と電源端子ＮＤ２との間に直列に接続されたスイッチＳＷ３及び表示素子ＯＬＥＤと、薄膜トランジスタＤＲ２のスイッチＳＷ３に接続された端子と映像信号線ＤＬとの間に接続されたスイッチＳＷ２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のＴＦＴを形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層上に一導電型を有する半導体層を有し、一導電型を有する半導体層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接してゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層に接してゲート電極層を有し、ゲート絶縁層、ゲート電極層、及び画素電極層上に絶縁層を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は、ソース電極層またはドレイン電極層に達する第１の開口部、及び画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層またはドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明の配線基板の作製方法の一は、被処理物を有する第１の領域を形成し、一部の被処理物表面を改質して、第１の領域と境界線を有する第２の領域を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部、及び第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を固化して導電層を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部に形成された導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮させた半導体装置の提供。
【解決手段】多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイト１２２０,１２２１を形成することにより近接ゲッタリングを行う。さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコン層の結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。これにより、低エネルギーで非晶質シリコン層２２を結晶化でき、結晶化されたシリコン層２６の表面粗度特性が改善されうる。 （もっと読む）

【課題】 有機半導体層との相性のよい電極を形成した電子素子の製造、及びその製造方法により製造された電子素子を提供する。
【解決手段】 基板上に有機半導体及び／または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び／又は有機導電体の前駆体を有機 半導体及び／または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法、及び該製造方法により製造された電子素子。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

ゲート電極（１２、６０）と、ソース電極（２０、６２）と、ドレイン電極（２２、６４）と、誘電体材料（１６、７０）と、ソース電極（２０、６２）とドレイン電極（２２、６４）との間に配置されるチャネル領域（１８、８０）とを有するトランジスタ（１０、４０、４２、４４、４６）。チャネル領域（１８、８０）が、不純物がドープされている部分（８２）を含み、これにより、チャネル領域（１８、８０）の残りの部分に対して、その部分（８２）内の固定電荷密度が変えられる。
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本発明は、電界効果マイクロエレクトロニクスデバイスと、さらにその製造方法に関わる。このデバイスは、基板（７００）と、さらに１つ以上のトランジスタチャンネル(transistor channel)を形成することができる少なくとも１つの改善された構造（７０２）を含む。この構造は、基板上にスタックされた複数のバーによって形成され、電界効果トランジスタの集積化においてスペースを節約することを可能にし、さらにその性能を改善することを可能にする。
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後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）

【課題】 高いビット数のデジタル信号に対応し、線形性が良く、占有面積の小さいＤ／Ａ変換回路を提供する。
【解決手段】 複数の容量を有するＤ／Ａ変換回路であって、複数の容量は、第１電極と、第１電極に接している第１誘電体と、第１誘電体に接している第２電極と、第２電極に接している第２誘電体と、第２誘電体に接している第３電極とをそれぞれ有しており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっている部分において開口部を有しており、第２電極が有する開口部において、第１誘電体及び第２誘電体にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第１電極と第３電極が接続されていることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置における光の取り出し効率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置において、第１の凹部１０１ａ〜第３の凹部１０１ｃを有する第１の基板１００に金属膜１０２ａ〜第３の金属膜１０２ｃを形成することや、画素電極１４５、有機層１４８、凸部１４９ａの表面を有する陰極１４９からなる発光素子１５０を形成することにより、光の損失や隣の画素への光漏れを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを構成するｐ型及びｎ型ＴＦＴの各しきい値電圧を独立に効率良く（最小限のフォトリソグラフィーで）高精度に制御する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを製造するに際して、しきい値電圧（Ｖthp ，Ｖthn ）制御として極低濃度にｐ型不純物（Ｂ：ボロン）の非選択的添加（ｐ型及びｎ型ＴＦＴの双方に添加）及び選択的添加（ｎ型ＴＦＴのみに添加）を連続的に行なう。具体的には、当初図４（ａ）のようにＩd −Ｖg 特性がｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に負シフトした状態から、非選択的添加により図４（ｂ）のようにｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に正シフトさせてＶthp を先ず仕様値とし、続いて選択的添加によりｎ型ＴＦＴのみ正シフトさせてＶthn を仕様値に調整する。 （もっと読む）