有機半導体材料を、共有結合により結合する少なくとも１つの電子吸引置換基を有し、かつ、前記有機半導体材料の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）から最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）への電子移動を可能にするために十分である前記ＬＵＭＯを有するフラーレン誘導体によりドープすることを含む、半導体材料を製造する方法が提供される。また、これらの半導体材料からなる、トランジスタ、太陽電池、照明装置、ＯＬＥＤおよび検出器のような電子デバイスも提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴ、閾値電圧変動のない安定した性能のＴＦＴを提供することにある。
することにある。
【解決手段】基板上に、アモルファス酸化物半導体層を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記アモルファス酸化物半導体層の上に低分子有機物からなる保護層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】浅い不純物領域を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体ならびにチャネル形成領域の上のフローティングゲート７６２およびコントロールゲート７６３によるゲート電極部７５２，７５３を含む半導体装置であって、ゲート電極部７５２，７５３の一方の側の半導体には、フローティングゲート７６２とオーバーラップする第１の不純物領域７５５が形成されており、フローティングゲート７６２の他方の側の半導体には、レーザドーピング処理により、深さが０．１μｍ以下で、且つフローティングゲート７６２とオーバーラップが無い第２の不純物領域７５７、７５８が形成されており、チャネル形成領域の長さは０．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、連続駆動しても閾値電圧の変動のない駆動安定性に優れたＴＦＴ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファス酸化物半導体層４と、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、ゲート電極２とソース電極５−１及びドレイン電極５−２の少なくとも一方とが平面上重なりを有せず、ゲート電極２側端部とソース電極５−１及びドレイン電極５−２の少なくとも一方の側端部との隙間が、０．２μｍ以上５μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、閾値電圧の変動のない安定性に優れたＴＦＴ、及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファス酸化物半導体層４と、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２がアモルファス酸化物半導体層４の厚みの３倍以上の厚みを有し、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２が互いに対向する各々の側端部に該厚みが傾斜したテーパー部を有す。 （もっと読む）

【課題】 フルメルト法による結晶化とパーシャルメルト法による結晶化を１回のレーザ照射によって簡単に実現することが可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光（固体レーザの高調波）を照射して結晶化を行うレーザアニール装置である。被結晶化薄膜が形成された基板１を支持するステージ４１を有し、ステージ４１の表面は、基板１上に形成される回路のレイアウトに応じてレーザ光に対する反射率が変更されている。例えば、液晶表示パネルの作製において、ステージ４１表面の反射率は、パネル領域２１の画素部分３１と周辺回路部分３２とで異なる。 （もっと読む）

【課題】 照射されたレーザ光の一部が被結晶化薄膜を透過する結晶化において、均一性に優れた結晶化を行うことが可能な結晶化装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光を照射して結晶化を行う結晶化装置である。アモルファスシリコン薄膜３が形成された基板１を支持する基板ステージＳを有する。基板ステージＳは、表面が例えば鏡面化され、アモルファスシリコン薄膜３の結晶化領域全体における反射率が略均一である。照射するレーザ光の波長域は、可視領域であり、例えば固体レーザの高調波である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_１２は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１とＸ_２は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴであって、ＯＦＦ電流が低く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ閾値変化の少ない駆動安定性に優れたＴＦＴを提供することにある。
【解決手段】基板上に、少なくとも、該基板側から順に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極、並びに保護膜を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層がＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＣｄよりなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を有するアモルファス酸化物を含有する層であり、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にＧａ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ及びＳｉよりなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含有する酸化物又は窒化物を含有する抵抗層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつノーマリーオフ型に改良されたＴＦＴを提供することにある。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にあって、且つ、前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方と接する領域にのみ障壁層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い電界効果移動度を有し閾値変動が小さく、且つ密着性が強く耐衝撃安定性にすぐれたＴＦＴを提供することにある。
【解決手段】基板上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜電界効果素子であって、前記ゲート絶縁膜３が有機絶縁材料を含有し、前記活性層４と前記ゲート絶縁膜３の間に無機絶縁材料を含有する中間層７を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

半導体デバイスであって、結晶ミクロ粒子、ミクロロッド、結晶ナノ粒子、または、ナノロッドの形状で半導体チャネル構成物質から形成され、かつ、半導体ドーパントでドープされたチャネル層を備える半導体デバイス。
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【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴおよびその製造方法を提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有するＴＦＴであって、前記活性層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層の抵抗より電気抵抗率の高い抵抗部を有し、かつ前記抵抗部と前記ゲート電極が互いに平面状重なりを有しない位置に配置されていることを特徴とする。ＴＦＴの製造方法および表示装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】単一導電型のＴＦＴからなる駆動回路に要求されるＴＦＴのオフリーク電流を、簡単な製造工程で実現する。
【解決手段】ＴＦＴ１０のソース領域１７及びドレイン領域１８の不純物濃度を２×１０^１８［ｃｍ^−３］以上かつ２×１０^１９［ｃｍ^−３］以下とすることにより、シングルゲート構造でもＴＦＴ１０のオフリーク電流を十分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】リンを含む層は真性または実質的に真性な層上の一部に形成され、金属膜はリンを含む層上に形成され、半導体膜は、四方の周辺部の領域において真性または実質的に真性な層から形成された１μｍ以上３００μｍ以下の突出部を有し、ゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部は金属膜と重なる真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、保護膜はゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】優れた動作特性を有する、グラフェン膜をチャネルに用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）