【課題】ゲート絶縁耐性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置３０は、基板３１と、基板３１上に形成された絶縁膜（３２、３３）と、絶縁膜（３２、３３）上に形成された島状の多結晶半導体層（ポリシリコン層３５）と、多結晶半導体層（ポリシリコン層３５）上に形成され、純水に対する接触角が１０°以下であり、且つ膜厚が０．５ｎｍ以下の第１酸化膜３６と、第１酸化膜３６上に形成されたゲート絶縁膜３８と、ゲート絶縁膜３８上に形成されたゲート電極３９と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】微細構造のトランジスタにおいて、ゲート電極及び半導体層へダメージを与えることなく、レーザアニールを行う。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。第１の層間絶縁膜は、一対の不純物領域に照射される特定波長領域の光の反射率を減少させる光学膜厚で成膜され、第２の層間絶縁膜は、ゲート電極に照射される、特定波長領域の光の反射率を増大させる光学膜厚で成膜されている。 （もっと読む）

【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するＴＦＴを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 本実施例のＴＦＴ１００は、絶縁基板１０７としてのガラス基板上に形成された遮光膜１１３と、遮光膜１１３上に形成された絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上に形成された半導体膜１１１と、半導体膜１１１上に形成されたゲート絶縁膜１０４とを基本的に有する。遮光膜１１３、絶縁膜１１２及び半導体膜１１１の三層から成る積層体１００ａは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体１００ａの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、チャネル形成領域は前記リンを含有する層と重ならない前記真性または実質的に真性な層から形成され、前記半導体膜は、端部において前記チャネル形成領域と厚さの等しい突出部を有し、前記チャネル形成領域と突出部は前記リンを含有する層と重なる前記真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、前記保護膜は前記チャネル形成領域と前記突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】不純物による半導体層の汚染を防ぎ、支持基板と半導体層との接合強度を高めることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に第１のハロゲンを含む酸化膜を形成し、第２のハロゲンのイオンを照射することによって半導体基板中に分離層を形成すると共に第２のハロゲンを半導体基板に含ませ、水素を含む絶縁膜を挟んで半導体基板と支持基板とを重ね合わせた状態で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に第２のハロゲンを含む半導体層を設ける。 （もっと読む）

低温多結晶シリコン装置、および優れた性能を有する低温多結晶シリコン装置を製造するための技術。架橋粒子構造（ＢＧ）と称される、ドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ線を用いて、固有の、または、軽くドープされたチャンネルを、複数の各領域に分離する。ドープされた線を含む全活性チャンネルを覆う１つのゲートは、電流フローを制御するためにまだ用いられている。活性層としてＢＧｐｏｌｙ−Ｓｉを用い、電流が粒子の平行線に垂直に流れるようにＴＦＴを設計することを確実にすることによって、粒子境界の影響を低減することができる。ＢＧｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの信頼性、均一性、および電気的性能は、従来の低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴと比べて著しく向上している。
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電子素子または光電子素子におけるブロッキング層、電荷注入層、電極材料、記憶材料、または半導体層自体としての、ｎ−ドーパントの前駆物質の、有機半導体材料をドーピングするための使用。ここで、上記前駆物質は以下の化学式１〜３ｃ：
【化１】


から選択される。
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【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比のＴＦＴを備えた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【解決手段】少なくとも駆動ＴＦＴ、および該駆動ＴＦＴと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素がパターニング形成された有機電界発光表示装置であり、前記駆動ＴＦＴは、少なくとも基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記半導体層が少なくとも抵抗層と該抵抗層より電気伝導度が高い活性層とを有し、該活性層が前記ゲート絶縁膜と接し、該活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に該抵抗層が電気的に接続して配されている駆動ＴＦＴであり、且つ前記画素の少なくとも発光層がインクジェット法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】動作速度および信号差を維持したまま、セルサイズを縮小しかつ電極間の短絡を防止することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１の方向に延在する半導体層３１と、半導体層内に設けられたソース層Ｓ、ドレイン層Ｄ、および、ボディＢと、第１の方向に延在するビット線ＢＬと、ボディの第１の側面ＳＦ１に第１のゲート絶縁膜ＧＤ１を介して設けられた第１のゲート電極ＧＥ１と、第１の方向へ延在し、第１のゲート電極の底部に接続され、第１のゲート電極と同一材料で一体形成された第１のゲート線ＧＬ１と、第１の側面の反対側にあるボディの第２の側面ＳＦ２に設けられ第２のゲート絶縁膜ＧＤ２を介して設けられた第２のゲート電極ＧＥ２と、第１の方向に対して交差する第２の方向へ延在し、第２のゲート電極の上部に接続され、第２のゲート電極と同一材料で一体形成された第２のゲート線ＷＬとを備える。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】基板上に形成された複数の半導体素子を備えた半導体装置において、半導体素子の基板側に配置された遮光層の電位を安定化させて半導体素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、光透過性を有する基板１０１と、基板１０１に支持された複数の半導体素子１２５と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された導電性を有する複数の島状の遮光層１０３と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された透光性を有する導電膜１０２とを備え、複数の島状の遮光層１０３は、複数の半導体素子１２５の少なくとも２つの半導体素子と関連付けられており、かつ、導電膜１０２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる基板または基板上に形成されたシリコン層に対して、ドーパント元素が拡散されてなる領域を容易に形成する技術を提供する。
【解決手段】真空中において基板配置電極９上に前記シリコン層１０を配置するとともに、対向電極４を前記基板配置電極９とほぼ平行に離間して配置し、ドーパント元素を含むガスを前記基板配置電極９と前記対向電極間４において前記シリコン層１０に向けて導き、前記基板配置電極９に対して１００ｋＨｚ以上２０００ｋＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、前記基板配置電極９と前記対向電極４の間に生成されるグロー放電によって前記シリコン層１０に前記ドーパント元素を導入する工程を有することを特徴とするシリコン層１０へのドーパント元素の導入方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示すＴＦＴを備えた有機ＥＬ表示装置を提供する。特に、カラーフィルター方式のカラー発光の有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも駆動ＴＦＴ、および駆動ＴＦＴと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素を有する有機電界発光表示装置であり、駆動ＴＦＴは、活性層１１３とソース電極１１４及びドレイン電極１１５の少なくとも一方との間に抵抗層を有する駆動ＴＦＴであり、且つ画素が有機電界発光素子の発光層の光取りだし面側にカラーフィルター１７を配し発光色を変調させた画素である有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の薄膜化を図りつつ、特性ばらつきが改善されたＴＦＴを容易に作製することができる薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより低コストで大面積化が可能である塗布による半導体薄膜の製造が可能で、実用的な半導体特性を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物を半導体材料として用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。


（式（１）中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に硫黄原子、セレン原子またはテルル原子を表す。Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に無置換または置換脂肪族炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】画素電極を有する半導体装置において生じるＴＦＴのバラツキを低減する。
【解決手段】チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比が０．１〜０．０１であるＴＦＴ、具体的には従来よりも数十倍〜数百倍長いチャネル長とし、ソース配線と隣合うソース配線との間には、画素電極と電源供給線とを有する。その結果、単純なオン電流のバラツキだけでなく、規格化したバラツキをも減少させることができ、各ＴＦＴ間のバラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】一次元成長結晶を用いて作成したＴＦＴよりも電気特性値が良好で、且つばらつきを最小の範囲に抑制することができる薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】平面上に二次元方向に結晶成長された結晶成長領域と、この結晶成長領域に形成されたソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄと、これらソース領域とドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極Ｇを有する薄膜トランジスタ１１であり、前記ソース領域又はドレイン領域の前記チャネル領域の側端部Ｅは、結晶長開始位置から１μｍ〜３．５μｍの位置に位置合わせして設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）