【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ［ｋｌ，ｒｓｔ］アセナフト［１’，２’：６，７］フルオレノ［９，１，２−ｃｄｅ］ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高性能かつばらつきの小さい金属酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物をチャネルに用いる電界効果型トランジスタであって、 前記金属酸化物中にチャネル領域と、前記チャネル領域に比べて酸素濃度が低く導電性の高いソース領域及びドレイン領域とを有し、前記チャネル領域は半導体性を示し、かつ表面から深さが増すにつれて酸素濃度が低くなっている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ内において大きな面積を必要とするコンタクトホール２３をなくし、高濃度領域２１とソース電極１７及びドレイン電極１８の導通確保を容易にすることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、半導体層１２と、ゲート絶縁層１３と、ゲート電極１４と、ソース電極１７と、ドレイン電極１８とが形成される薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極１４は、絶縁層で覆われる構成になっていて、ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体層１２に接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン基板上の第１の酸化シリコン膜と、第１の酸化シリコン膜上の第２の酸化シリコン膜と、第２の酸化シリコン膜上のチャネル形成領域、シリサイドを有するソース領域及びドレイン領域を有する島状の単結晶シリコン薄膜と、チャネル形成領域上の熱酸化膜でなるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、上面にシリサイドが形成されたポリシリコンでなるゲート電極と、ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールとを有し、第１の酸化シリコン膜は第２の酸化シリコン膜より薄く、ゲート電極、サイドウォール及び島状の単結晶シリコン薄膜を覆い、ソース領域及びドレイン領域と接する窒化シリコンからなる層間絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】素子が破壊されるような過電圧が供給された場合に、実動作を阻害することなく素子を保護することを課題の一とする。
【解決手段】第１の電位供給端子１００と、第２の電位供給端子１０１と、第１の電位供給端子１００及び第２の電位供給端子１０１に電気的に接続された分圧回路１０２、制御回路１０３、及びバイパス回路１０６を有する保護回路１０７と、保護回路１０７を介して第１の電位供給端子１００及び第２の電位供給端子１０１に電気的に接続された機能回路１０８と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体からなる活性層、ソース電極、ドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜のダングリングボンド密度が５×１０^１６ｃｍ^−３以下であり、かつ前記ゲート絶縁膜中の水素濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３以下であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、半導体膜を複数のレーザ光により結晶化する。複数のレーザ光は基板の垂直方向から斜めに同じ入射角度φで入射することで高性能の半導体装置を提供する。特に、ビーム幅をＷとし、基板の厚みをｄとすると、φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）という関係式を満たすことにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜をチャネル形成領域として有する高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】高さが最大値から最大値と最小値の差分の１／２を示す領域の占める割合が、２９〜７２％である表面形状を持つ結晶性半導体薄膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高い動作性能と高い信頼性とを同時に実現しうる新しい構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】結晶性半導体で構成されるソース領域１０１、ドレイン領域１０３に挟まれた活性領域１０２において、局所的にゲルマニウムを添加することでＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ領域１０５を形成する。このＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ領域１０５とゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域１０６とのバンド構造の差を利用して、ドレイン側からソース側に向かって広がる空乏層を効果的に抑止する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】積層体中の被剥離体に損傷を与えず、短時間で被剥離体を転写体への転写する方法の提供を課題とする。また、基板上に作製した半導体素子を、転写体、代表的にはプラスチック基板に転写する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層と被剥離体を形成し、両面テープを介して被剥離体と支持体を接着し、剥離層と被剥離体を物理的手段によって剥離した後被剥離体を転写体に接着し、被剥離体から支持体と両面テープを剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを含む回路装置、薄膜トランジスタを含む液晶ディスプレイおよび回路装置を含む液晶ディスプレイにおいて、薄膜トランジスタの電気特性のばらつきを小さくすること。
【解決手段】 薄膜半導体装置は、ガラス基板５１と、該基板上に設けられたアモルファスシリコン膜５３と、該アモルファスシリコン膜に結晶化された複数の細長い結晶粒３１と、該結晶粒に活性層１１が配置された薄膜トランジスタと含む。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する画素部を有する。前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有する。前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、特性の良好な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、絶縁性基板１上に非晶質半導体膜１５を成膜する工程と、非晶質半導体膜１５を脱水素処理する工程と、脱水素処理された非晶質半導体膜１５に保護層５を形成する工程と、保護層５を介して非晶質半導体膜１５を多結晶化する工程とを備える。また、非晶質半導体膜１５の成膜から保護層５の形成まで、絶縁性基板１を真空中に保持する。 （もっと読む）

【課題】抵抗制御が容易で、品質の良好な薄膜トランジスタ構造、表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ構造１０において、半導体層２２は、ｐ型不純物イオンのみドープされたチャネル領域３０を備えている。半導体層２２は、チャネル領域３０を間に挟むと共に、ソース領域３５及びドレイン領域３６として機能する一対の高濃度不純物領域３３を備えている。半導体層２２は、ソース領域３５とチャネル領域３０と、及び、ドレイン領域３６とチャネル領域３０と、の間にそれぞれ形成されてｎ型不純物イオンのみドープされた低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域３１，３２）を備えている。ゲート電極２４は、チャネル領域３０及びＬＤＤ領域３１，３２をオーバーラップするように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が３×１０^１７／ｃｍ^３以上であり、前記活性層の膜厚が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、ＳＩＭＳの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を形成することを可能とする半導体基板の作製方法および該半導体基板を用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上にバッファ層を間に挟んで貼り合わされ、分離層が形成された単結晶半導体基板に対し、加熱により、分離層又は分離層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層にレーザビームを照射して溶融させることで、単結晶半導体層を再単結晶化させ、再単結晶化された単結晶半導体層を選択的にエッチングして島状に分離し、単結晶半導体層に不純物元素を選択的に添加して、一対の不純物領域と、一対の不純物領域の間にチャネル形成領域と、を形成し、単結晶半導体層を４００℃以上支持基板の歪み点温度以下、且つ単結晶半導体層を溶融させない処理温度で加熱する。 （もっと読む）