【課題】微結晶シリコンを備える薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流、及び、電界起因のリーク電流を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順に形成された微結晶シリコン膜８、非晶質シリコン膜９、及び、Ｎ型非晶質シリコン膜１０を含む半導体層２５と、微結晶シリコン膜８の端部８ｂと接触し、かつ、Ｎ型非晶質シリコン膜１０と接続されたドレイン電極１２とを備える。半導体層２５は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、微結晶シリコン膜８の端部８ｂは、Ｎ型非晶質シリコン膜１０と同じＮ型の導電型を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体材料として下記式（１）で表される化合物を含有し、特定のトップゲート−ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換Ｃ１−Ｃ３６脂肪族炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】撮像された画像の品質を向上させる固体撮像装置、或いは半導体表示装置を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。さらに、出力信号が与えられる一の配線に接続されている複数のフォトセンサを第１のフォトセンサ群とし、出力信号が与えられる他の配線に接続されている複数のフォトセンサを第２のフォトセンサ群とすると、電荷の蓄積動作を制御するための電位または信号を第１のフォトセンサ群に与える配線と、上記電位または信号を第２のフォトセンサ群に与える配線とを、接続する。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一とする。周囲が明るい環境でも薄暗い環境でもその環境に合わせて画像表示を認識できる液晶表示装置を提供する。或いは、外光を照明光源とする反射モードと、光源を用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の領域及び第２の領域を有する画素部と複数の光源とを有し、第１の領域及び第２の領域は、入力される画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。フルカラー画像の表示を行う場合、光源から、第１の領域に異なる色相を有する光が第１の輪番に従い順次供給されると共に、第２の領域にも異なる色相を有する光が、第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い順次供給される。モノクロ画像の表示は画素電極が有する反射領域で外光を反射することで行う。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】電力変換効率の向上を実現するＤＣＤＣコンバータの提供を目的の一とする。
【解決手段】出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御回路を備える。バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。さらに、スイッチング素子として機能するトランジスタが、オフ電流の極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化処理として、酸素を含む雰囲気での加熱処理と、真空中での加熱処理を段階的に行う。また、加熱処理と同時に短波長の光照射を行い、水素やＯＨ等の脱離を助長させる。この様な熱処理による脱水化または脱水素化処理を施した酸化物半導体層を有するトランジスタは、光照射やバイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後における電気特性の不安定性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能な発光装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】画素１０４に設けられたＥＬ素子１０９の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用ＴＦＴ１０８の特性バラツキによる影響を防ぐ。また、基板上に形成されるＴＦＴ自体も各回路又は素子が必要とする性能に併せて最適な構造のＴＦＴを配置することで、信頼性の高いアクティブマトリクス型発光装置を実現することができる。このようなアクティブマトリクス型発光装置を表示ディスプレイとして具備することで、画像品質が良く、信頼性の高い高性能な電気器具を生産することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ系電界効果型薄膜トランジスタにおいて、消費電力が少なく、環境変化及び駆動に対する素子安定性の優れたものとする
【解決手段】電界効果型トランジスタ１ａは、基板１０上に、ゲート電極２１と、ゲート絶縁膜３０と、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる（不可避不純物を含んでもよい）活性層４０と、活性層４０上にパターン形成されてなるソース電極２２及びドレイン電極２３と、酸化ガリウムを主成分とする第1の保護層５０とを備え、保護層５０は、少なくとも、ソース電極２２とドレイン電極２３との間のバックチャネル領域の活性層４０上に形成されてなるものである。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オン／オフ比、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される有機半導体を含有してなる有機トランジスタ。


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【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】レジストマスクを用いて島状の酸化物半導体層を形成し、レジストマスクを除去し、酸化物半導体層に酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。レジストマスクの除去と、酸素の導入と、加熱処理を大気に触れずに連続して行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除する。また、酸化物半導体層の形成前に、酸化物半導体層が形成される絶縁層に塩素を導入してもよい。塩素の導入により、絶縁層中の水素を固定化し、絶縁層中から酸化物半導体層中への水素の拡散を防ぐとことができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板などの柔軟性を有するフレキシブル基板に転写後のデバイスに対してＦＰＣを圧着する際、クラック等の不良発生を防止する。
【解決手段】転写する被剥離層として、素子を有する回路を含む層４０５ａと、端子電極４０５ｂとを形成し、その上にクラックを防止するための樹脂からなる保護層４０５ｃを形成す。ＦＰＣの接続を行う部分において、端子電極の電極面が露出している。ＦＰＣ４０７を圧着して異方性導電フィルム４０６により接続を行う。この圧着工程において、保護層４０５ｃによって配線が保護されているため、加圧変形によるクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】製造コストが少なく、光リーク電流が抑制された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】透明基板上に作製される薄膜トランジスタであって、透明基板上に、少なくともチャネル領域と重畳しないように配置された遮光膜、下地層、結晶性シリコン膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極膜を順次形成してなるトップゲート型結晶性シリコン薄膜トランジスタの構造を具え；結晶性シリコン膜には、チャネル長Ｌのチャネル領域、それを挟むＬＤＤ長ｄのＬＤＤ領域、ソース領域、ドレイン領域が形成されており；遮光膜はチャネル領域を挟んで分割されており；分割された遮光膜の間隔ｘは、チャネル長Ｌ以上、チャネル長ＬとＬＤＤ長ｄの２倍の和（Ｌ＋２ｄ）以下に選択されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）