【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い酸化物半導体をチャネル層に用いて、優れた特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、下地膜の平坦性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの下地膜に化学機械研磨処理を行い、化学機械研磨処理した後、プラズマ処理を行うことで、下地膜の中心線平均粗さＲａ_７５値を、０．１ｎｍ未満とすることができる。プラズマ処理及び化学機械研磨処理の組み合わせにより得られた平坦性を有する下地膜上に結晶性の高い酸化物半導体層を形成することで、半導体装置の特性向上を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において生じるＴＦＴのバラツキを低減する。
【解決手段】トランジスタと、第１のソース配線と、隣り合う第２のソース配線と、電源供給線とを有し、第１のソース配線は、トランジスタと電気的に接続することができ、記トランジスタは、チャネル形成領域を有し、チャネル形成領域は、電源供給線と重なる領域を有し、チャネル形成領域は、第２のソース配線と重なる領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線と重ならない半導体装置である。その結果、チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比が０．１〜０．０１であるＴＦＴを提供することができ、各ＴＦＴ間のバラツキを低減することができる。さらに、電源供給線は第１のソース配線よりも幅の広い領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線よりも幅の広い領域を有する。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧（Ｖｔｈ）をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン（Ｐ）、またはホウ素（Ｂ）を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は／及びドーパントを導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を不活性ガス雰囲気化で加熱し、その後、酸化物半導体膜を酸素雰囲気化で加熱する。本工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化することができる。不純物を排除する際、酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素が欠損する場合があるが、酸素雰囲気化で加熱することによって、酸素を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置及び、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。また、消費電力が低い半導体装置及び消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供する。また、量産性の高い半導体装置及び量産性の高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】所望のタイミングでデータの評価、書き換えを行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップフロップ回路と、選択回路と、選択回路を介して前記フリップフロップ回路と電気的に接続する不揮発性記憶回路と、を含むレジスタ回路と、ビット線と、データ線と、を有し、データ線はフリップフロップ回路と電気的に接続し、ビット線は、選択回路を介して不揮発性記憶回路と電気的に接続し、選択回路は、データ線の電位またはビット線の電位に応じたデータを選択的に不揮発性記憶回路に格納する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＩｎやＺｎなどを含む酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタを、Ｐ型トランジスタのように駆動できる半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタとインバータを有し、インバータの出力はトランジスタのゲートに入力され、トランジスタのチャネル領域はＩｎ、Ｚｎ若しくはＳｎを含む酸化物半導体膜を有し、インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、インバータにハイ電圧を入力すると、インバータからロー電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにロー電圧が入力されてトランジスタはオフし、インバータにロー電圧を入力すると、インバータからハイ電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにハイ電圧が入力されてトランジスタはオンする半導体装置によって解決する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる信号処理回路を提供する。
【解決手段】記憶素子に電源電圧が供給されない間は、揮発性のメモリに相当する第１の記憶回路に記憶されていたデータを、第２の記憶回路に設けられた第１の容量素子によって保持する。酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることによって、第１の容量素子に保持された信号は長期間にわたり保たれる。こうして、記憶素子は電源電圧の供給が停止した間も記憶内容（データ）を保持することが可能である。また、第１の容量素子によって保持された信号を、第２のトランジスタの状態（オン状態、またはオフ状態）に変換して、第２の記憶回路から読み出すため、元の信号を正確に読み出すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給を停止しても、論理回路部間の接続関係、又は各論理回路部内の回路構成を維持できる半導体装置を提供する。また、論理回路部間の接続関係の変更、又は各論理回路部内の回路構成の変更を高速で行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】再構成可能な回路において、回路構成や接続関係等のデータを記憶する半導体素子に酸化物半導体を用いる。特に、半導体素子のチャネル形成領域に、酸化物半導体が用いられている。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能であり、且つ消費電力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レベルシフタ、第１のバッファ、及び第２のバッファと、第１のスイッチ及び第２のスイッチと、第１の端子、第１の端子から入力される信号の反転信号が入力される第２の端子、及び第１のスイッチ及び第２のスイッチの状態を制御するクロック信号が入力される第３の端子と、を備えるラッチ回路を有する。レベルシフタの第１の出力端子は、第１のスイッチを介して、第１のバッファ及び第２のバッファそれぞれの一の入力端子と接続し、レベルシフタの第２の出力端子は、第２のスイッチを介して、第１のバッファ及び第２のバッファそれぞれの他の入力端子と接続する。レベルシフタの第１の入力端子は、第１のバッファの出力端子と接続し、レベルシフタの第２の入力端子は、第２のバッファの出力端子と接続する。 （もっと読む）

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、非晶質酸化物半導体膜を形成し、該非晶質酸化物半導体膜に酸素を導入して酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、結晶性酸化物半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】非接触にて、被写体の位置情報の取得を容易に行うことができる固体撮像装置、または半導体表示装置の提供。
【解決手段】第１入射方向から第１入射角を有する光が入射する複数の第１フォトセンサと、第１入射方向とは異なる第２入射方向から第２入射角を有する光が入射する複数の第２フォトセンサとを有し、複数の第１フォトセンサのうち、第１入射方向の上流側の一つの第１フォトセンサの方が、第１入射方向の下流側の他の一つの第１フォトセンサよりも、第１入射角が大きく、複数の第２フォトセンサのうち、第２入射方向の上流側の一つの第２フォトセンサの方が、第２入射方向の下流側の他の一つの第２フォトセンサよりも、第２入射角が大きい。 （もっと読む）