デュアルゲート半導体装置の製造方法は、シリコン体（１６）の第１の表面（１４）の一部分上に第１のゲート（１２）が形成された後であるが、前記第１の表面の反対側のシリコン体の第２の表面（４４）上に第２のゲート（５２）を形成する前に行われるソース及びドレインコンタクト領域（３４，３６）のシリサイド化を備える。第１のゲート（１２）はソース及びドレインコンタクト領域がシリコンチャネル（１８）に位置合わせされることを保証するマスクの働きをする。さらに、製造の早い段階でシリサイド化を行うことにより、第２のゲートの材料の選択が高温処理により制限されない。シリサイド化によるシリコン体の第２の表面での材料特性の違いがシリサイドのソースコンタクト領域とドレインコンタクト領域との間に前記第２のゲートを横方向に位置合わせされることを可能にすることが有利である。
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本発明は、基板と、フィンにおける第１，第２のソース／ドレイン領域の間にチャネル領域が形成され、かつ、フィンの上部にゲート領域が形成されるフィンを有する、上記基板上および／または上記基板中に形成される、第１のＦｉｎ電界効果トランジスタと、フィンにおける第１，第２のソース／ドレイン領域の間にチャネル領域が形成され、かつ、当該フィンの上部にゲート領域が形成されるフィンを有する、上記基板上および／または上記基板中に形成される、第２のＦｉｎ電界効果トランジスタとを備えた、Ｆｉｎ電界効果トランジスタ配置に関する。上記第１のＦｉｎ電界効果トランジスタのフィンの高さは、上記第２のＦｉｎ電界効果トランジスタのフィンの高さよりも高くなっている。
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本発明は、有機半導体材料を有する半導体デバイスを形成する方法であって、溶融物を形成するために、有機半導体材料を有する組成物をこの組成物の融点若しくはガラス転移温度に又はそれよりも高い温度に加熱することと、溶融物を組成物の融点又はガラス転移温度よりも低い温度に冷却することとを有し、加熱する前又は加熱中にディウェッティングを抑制及び／又は防止することができる第１の物質若しくは物体が組成物に隣接するか、又は組成物がディウェッティングを抑制及び／又は防止することができる作用物質を更に有する方法を提供する。
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ダイアモンド状のカーボンチャネルを有する電界効果トランジスタの製造方法、及び該製造方法により製造されるトランジスタ。
前記電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜（３）によりチャネル（７）から分離されたゲート電極（５）により制御されるチャネル（７）により接続されるソース（１０）及びドレイン（１１）を含む。前記チャネル（７）はダイアモンド状のカーボン層により形成される。前記トランジスタの製造方法は、続いて、ダイアモンド状のカーボン層を基板上（２）に堆積させ、ゲート絶縁層（３）を堆積させ、そして、少なくとも１つの導電層（４）を堆積させることを含む。前記導電層（４）は前記ゲート電極（５）からエッチングされる。次に、側面の絶縁膜（６）を形成するために、前記ゲート電極（５）の側面に絶縁材料が堆積される。次に、前記ゲート絶縁層（３）がエッチングされ、そして、前記ダイアモンド状のカーボン層がチャネル（７）の輪郭を描くようにエッチングされる。次に、前記ソース（１０）を形成するための半導体材料、及び前記ドレイン（１１）を形成するための半導体材料がチャネル（７）の両側に堆積される。
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例示的実施形態はＦｉｎＦＥＴチャネル構造の形成法に関する。当該方法において、絶縁層（１３０）上に化合物半導体層（１４０）を提供し、化合物半導体層（１４０）上にトレンチ（１４２）を提供し、かつ、化合物半導体層（１４０）上およびトレンチ（１４２）内に歪み半導体層（１４４）を提供する。該方法において、さらに、化合物半導体層（１４０）上から歪み半導体層（１４４）を除去し、その結果、トレンチ（１４２）内に歪み半導体層（１４４）を残し、化合物半導体層（１４０）を除去して、歪み半導体層（１４４）を残し、かつ、フィン形のチャネル領域（１５２）を形成する。
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マスクなし中規模材料デポジション（Maskless Mesoscale Material Deposition, M³D^TM）処理のための方法および装置が開示され、これはエアロゾルを作るのに好ましくは超音波トランスデューサまたは圧縮空気噴霧器（２２）を用い、このエアロゾルは流入口（２０）を経由してフローヘッド（１２）に入り、その際に随意的に、ガス量を低減するため事実上のインパクタ（２４）ならびに溶剤を除去するまたは粘度を調整するためヒータアセンブリ（１８）の両方を、あるいはそのいずれかを経由するようにしてもよい。機械的シャッター（２８）のついた材料シャッターアセンブリ（２６）が好ましくはフローヘッドの出口についており、鞘状のガスが流入口（１８）を通って入り、エアロゾルがフローヘッドから出る前にそれを囲む。熱に弱いターゲットの上のエアロゾルデポジット材料は好ましくはレーザモジュール（１０）からのビームで処理し、これによってそのターゲットを損傷閾値以上に加熱することなく、たとえば化学分解、焼結、重合などにより希望の状態を得るためにデポジットした材料を加熱する。１ミクロンの線幅の形状をデポジットすることができる。 （もっと読む）

半導体装置基板上に貫通誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層の上部にトレンチ誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層を露出させるため、トレンチ誘電体層を貫通する溝を形成するステップと、基板を露出させるため、前記溝内の貫通誘電体層に貫通孔を形成するステップと、溝内および前記貫通孔内に半導体材料を形成するステップと、を有する方法を示した。装置基板と、該装置基板の表面に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された、装置基板と相間する結晶構造を有する装置基部と、を有する装置を示した。
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【課題】ソース／ドレイン拡張とフロントゲート（front gate）に自己整合させたバックゲートを含む、ＦＤ型ＳＯＩ−ＣＭＯＳデバイスの製造方法に関する。
【解決手段】
ＳＯＩ−ＣＭＯＳ技術は、ポリシリコン、即ちポリＳｉバックゲートは、フロントゲート・デバイスの閾値電圧を制御するために使用され、ｎＭＯＳ及びｐＭＯＳバックゲートは、互いに独立に、及びフロントゲートと独立に、スイッチされる。
特に、バックゲートが、デバイスのフロントゲート及びソース／ドレイン拡張に自己整合されたバックゲートＦＤ型ＣＭＯＳデバイスの製造方法を提供する。バックゲートＦＤ型ＣＭＯＳデバイスは、ＳＩＭＯＸ又は結合ＳＯＩ−ウエハ、ウエハボンディングと薄膜化、ポリＳｉエッチング、ＬＰ−ＣＶＤ、機械化学研磨（ＣＭＰ）を用いて製造される。 （もっと読む）

（ｉ）ポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分を含む溶液を基板上に成膜して層を形成する工程、および（ｉｉ）不溶性架橋化ポリマーを形成する条件下で工程（ｉ）で形成された層を硬化する工程を備え、架橋部分が溶液中のポリマーまたはオリゴマーおよび架橋部分の繰返し単位のモル総数に対して０．０５から５モル％の範囲の量で工程（ｉ）に存在することを特徴とする、ポリマーデバイスを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）