【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にフルオランテノ[８，９−ｂ]トリフェニレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

シリサイド形成金属を含むインクを用いて、コンタクト形成方法、そのコンタクト及び局所相互接続を含むダイオード及び／又はトランジスタ等の電気デバイスとその形成方法に関する。コンタクト形成方法は、露出したシリコン表面上にシリサイド形成金属インクを堆積させるステップと、インクを乾燥させ、シリサイド形成金属前駆体を形成するステップと、シリサイド形成金属前駆体及びシリコン表面を加熱して、金属スイサイドコンタクトを形成するステップとを含む。任意選択的に、露出したシリコン表面に隣接する誘電体層上に、金属前駆体インクを選択的に堆積させて、金属含有相互接続を形成できる。更に、１つ又は複数のバルク導電性金属を、残りの金属前駆体インク及び／又は誘電体層上に堆積させてもよい。かかる印刷したコンタクト及び／又は局所相互接続を用いて、ダイオード及びトランジスタ等を作製できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層を有するＭＯＳＦＥＴにおいてフリンジ容量を抑制しつつ、大きなチャネル領域歪みを誘起できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン基板と、前記シリコン基板の上に選択的に設けられた第１導電型のシリコン層と、前記第１導電型のシリコン層の上に設けられた埋め込み酸化膜と、前記埋め込み酸化膜の上に設けられ、チャネル領域を含む第１の半導体層と、前記チャネル領域の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記第１導電型のシリコン層と前記埋め込み酸化膜と前記第１の半導体層の両側において前記シリコン基板の上に設けられ、シリコンとは異なる格子定数を有する半導体により形成され、前記第１の半導体層に対してゲート長方向に格子歪みを与える前記第１導電型と異なる第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小化に優れ、かつ、書込み速度が速く、信号量の大きな半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、絶縁膜２０と、絶縁膜上に設けられた半導体層３０と、半導体層内に形成されたソース層Ｓと、半導体層内に形成され、シリコンゲルマニウムからなるドレイン層Ｄと、ソース層とドレイン層との間に設けられ、電気的に浮遊状態であり、データを記憶するために電荷を蓄積しあるいは放出するボディ領域Ｂと、ボディ領域上に設けられたゲート絶縁膜４０と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極Ｇとを備え、ソース層の電位に対して絶対値として高い電位をドレイン層およびゲート電極に印加し、ドレイン層とボディ領域との間の界面においてインパクトイオン化を生じさせることによって電荷をボディに蓄積する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｘ_１とＸ_２、Ｘ_２とＸ_３、Ｘ_４とＸ_５、あるいはＸ_５とＸ_６は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、環Ａは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、置換または未置換のベンゾジチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のナフタレン環、あるいは置換または未置換のアントラセン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾジチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す） （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的低温（６００℃未満）のプロセスで作製される素子をガラス基板から分離（すなわち、剥離）し、可撓性基板（代表的にはプラスチックフィルム）に配置（すなわち、転置）する技術を開示する。
【解決手段】ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法を用いてハロゲン元素を含む剥離層を形成し、その剥離層上に半導体素子を形成した後、剥離層の層内または界面で剥離を行って、大面積のガラス基板と半導体素子とを分離する。また、ガラス基板と剥離層との界面で分離させるために、剥離層においてハロゲン元素の濃度勾配を持たせてもよく、剥離層におけるガラス基板との界面近傍にハロゲン元素を他の箇所より多く含ませる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを形成するチップ形成領域の設定領域を狭くすることなく、ＳＯＳウェハ等の半導体ウェハの認識率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】透光性を有する絶縁基板と、絶縁基板上に形成されたシリコン半導体層とで形成され、スクライブライン領域により区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウェハにおいて、スクライブライン領域に、互いに隙間を介して離間する複数の不透明図形を配置した不透明パターン層を設ける。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチオフェン環、チエノチオフェン環、ジチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾジチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極と酸化物半導体層のオーミックコンタクトが良好な薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、酸化物半導体層４、第１の絶縁膜５、ソース電極７、ドレイン電極８、第２の絶縁膜９を少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法において、酸化物半導体層４の上に第１の絶縁膜５を酸化性ガスが含まれない雰囲気で形成することで、酸化物半導体層４が低抵抗化されたコンタクト領域６とする工程と、酸化物半導体層４のチャネル領域を含む面の上に第２の絶縁膜９を酸化性ガスが含まれる雰囲気で形成することで、チャネル領域を高抵抗化する工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの工程を複雑化させることなく、量産性が可能な表示装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】水素化珪素またはハロゲン化珪素を原料ガスとし、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて微結晶半導体膜を成膜し、当該微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタに接続する表示素子を形成する。周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波を用いたプラズマは電子密度が高く、原料ガスである水素化珪素またはハロゲン化珪素の解離が容易となるため、表示装置の量産性を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】劣化しにくい有機デバイス用材料の提供。
【解決手段】酸素が付加しにくくなるような置換基を導入した一般式Ｇ１で表されるポリアセン誘導体。


（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^６、Ｒ^７はアルキル又はフェニル基、Ｒ^３〜Ｒ^５、Ｒ^８〜Ｒ^１０はＨ又はアルキル基又はフェニル基、ｎは自然数を表す。） （もっと読む）

一方又は両方のイミド窒素に直接的に結合された、置換又は無置換のヘテロシクロアルキル環系を有するテトラカルボン酸ジイミドナフタレン系化合物を含む、有機半導体材料の層を含む薄膜トランジスタ。そのようなトランジスタは、離隔された第１及び第２のコンタクト又は前記材料と接触する電極をさらに含むことができる。さらに、好ましくは、基板上へ昇華によって、有機薄膜トランジスタデバイスの製作方法も開示し、ここでの基板温度は２００℃以下である。
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ゲート構造体を形成するプロセスが記述される。ウェブは、基材、その基材上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに導電性陽極酸化バスを含む。このウェブは陽極酸化ステーションを通って動かされ、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する。半導体、ソース電極及びドレイン電極を供給する電子デバイスを形成するプロセスが更に提供される。
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本発明は、自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。本発明によれば、基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成する。次いで、基板の下部側でゲート電極をマスクとして用いて、第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行した後、第２導電膜を現像することで、ゲート電極と自己整合され、ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成する。次いで、ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成する。本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程が単純になる。
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【課題】 簡便に作製できるＥ／Ｄインバータを提供する。
【解決手段】 本発明は、同一基板上に形成され、チャネル層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物半導体からなるインバータの作製方法であって、前記インバータは複数の薄膜トランジスタを有するエンハンスメント−ディプリーション（Ｅ／Ｄ）インバータであり、前記チャネル層の膜厚が互いに異なる第１のトランジスタと第２のトランジスタと、を形成する工程と、前記第１及び第２のトランジスタのチャネル層のうち、少なくとも１つを熱処理する熱処理工程と、を含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能であり、具体的には、プラスチック基板の耐熱性を考慮した場合の温度である１８０℃以下の焼成が可能であるゲート絶縁膜用塗布液と、塗布で簡便に成膜可能であり、かつデバイスの作製プロセスを全て塗布で行う場合、耐溶剤性に優れ、しかも比抵抗や半導体移動度等の点で特性が良いゲート絶縁膜を提供することにあり、さらには、このゲート絶縁膜を適用した有機トランジスタを提供することにある。
【解決手段】ポリイミド膜からなるゲート絶縁膜であって、このポリイミド膜は有機溶媒可溶性ポリイミドの溶液をゲート絶縁膜用塗布液として用い、これを、塗布し、焼成して得られた膜であり、かつ、この有機溶媒可溶性ポリイミドは、特定構造の繰り返し単位を有するポリアミド酸を脱水閉環して得られたポリイミドであり、ポリアミド膜の焼成温度が１８０℃以下であるゲート絶縁膜とし、これを用いた有機トランジスタとする。 （もっと読む）

スペーサ構造に基づいてドレイン及びソース領域の一部にリセスを形成することにより、深いドレインおよびソース領域を形成するためのその後の注入プロセスによって、ＳＯＩトランジスタの埋め込み絶縁層までドーパント濃度を適度に高くすることができる。さらに、スペーサ構造は、実質量の歪み半導体合金をその本来の厚みで保持し、従って、効率的な歪み誘起機構が設けられる。高度なアニール技術により、過度の側方拡散が回避され、よって各々のスペーサの横幅が縮小される。これにより、トランジスタデバイスの長さが縮小される。従って、低減された接合容量との組み合わせにおいて、縮小した横寸法に基づいて電荷キャリア移動度を高めることができる。
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