【課題】ｄｖ／ｄｔサージにより、支持基板と活性層との間の絶縁膜にて構成される寄生容量を充放電する変位電流が発生することを抑制し、回路の誤動作を防止する。
【解決手段】低電位基準回路部ＬＶの下と高電位基準回路部ＨＶの下にのみ支持基板２を残す。これにより、支持基板２のうち低電位基準回路部ＬＶの下の部分と高電位基準回路部ＨＶの下の部分とが酸化膜にて構成された絶縁部材３０にて絶縁された状態となる。このため、埋込酸化膜３のうち高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間に配置される部分にて構成される寄生容量と低電位基準回路部ＬＶと支持基板２との間に配置される部分にて構成される寄生容量が電気的に遮断される。したがって、寄生容量を充放電する変位電流の発生を抑制することができ、回路を誤動作させてしまわないようにできる。 （もっと読む）

【課題】デバイスのオン状態及びオフ状態の両方の破壊電圧を同時に最適化する高電圧トランジスタ構造。
【解決手段】高電圧トランジスタは、半導体基板のメサを定める第一及び第二の溝を含む。第一及び第二のフィールドプレート部材は、それぞれ、第一及び第二の溝に配置され、第一及び第二のフィールドプレート部材の各々は、誘電体層でメサから分離されている。メサは複数の部分を含み、各部分は、実質的に一定のドーピング濃度勾配を持ち、一の部分の勾配は、他の部分の勾配よりも少なくとも10％大きい。 （もっと読む）

【課題】 ＧＯＬＤ構造を有する薄膜トランジスタのゲート／ドレイン重なり容量を減少させる。
【解決手段】チャネル領域３と、チャネル領域３の両側にそれぞれ位置するソース領域およびドレイン領域５と、チャネル領域３とソース領域および前記ドレイン領域５の少なくとも一方とに挟まれ、ソース領域およびドレイン領域５よりも不純物濃度の低い少なくとも１つの低濃度不純物領域４とを有する半導体層１２と、半導体層１２上に形成され、チャネル領域３と接するゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上に、少なくとも１つの低濃度不純物領域４およびチャネル領域３と重なるように配置されたゲート電極８と、ゲート絶縁膜７と半導体層１２との間に、少なくとも１つの低濃度不純物領域４を覆うように形成された他の絶縁膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧で書き込み、読み出しを行うことができる、消費電力の小さい安価な記憶素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１００上の第１の導電体１０１上に、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、溶媒及び樹脂を含む導電性ペースト１０２を配置し、溶媒を気化させて導電性ペースト１０２中に含まれる導電性を有する粒子１０３同士を接触させ、導電性ペースト１０２の導電性を向上させる。一方、第１の導電体１０１と導電性を有する粒子１０３の間には、薄い樹脂の層１０５が残存し、樹脂の層１０５は、電圧印加によって絶縁破壊させることが可能である。そのため、樹脂の層１０５は、メモリ層として機能させることが可能である。このように、メモリ層を有する第２の導電体１０６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ（図中左側のトランジスタ）は、第１のゲート電極３０４ａ下部に形成された第１の絶縁膜３０３ａと、拡散層領域３０２ａ２，３０２ａ３上に形成された第２の絶縁膜３０３ｂとを備え、これら第１の絶縁膜３０３ａ及び第２の絶縁膜３０３ｂより上層に第１のゲート電極３０４ａが配置されており、かつ、第１の絶縁膜３０３ａが第２の絶縁膜３０３ｂよりも薄く形成され、第１のトランジスタの第２の絶縁膜３０３ｂは、第１のゲート電極３０４ａの下面縁部から内側まで入り込んで形成され、拡散層領域３０２ａ２，３０２ａ３は、第１の絶縁膜３０３ａの下までオーバーラップして形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法には、さらなる効率化が困難であるという課題がある。
【解決手段】第１基板４１に設けられた第１半導体層５１の表示面側に、平面視で第１半導体層５１の一部に重なる第１導電パターン１０７を形成する工程と、第１導電パターンをマスクとして第１半導体層５１に不純物を注入する第１注入工程と、前記第１注入工程の後に、第１導電パターン１０７の一部を除去して、第１導電パターン１０７と第１半導体層５１とが平面視で重なる領域である第１重畳領域１１３ａを縮小する縮小工程と、前記縮小工程の後に、ゲート電極部５７をマスクとして第１半導体層５１に前記不純物を注入する第２注入工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単一導電型のＴＦＴからなる駆動回路に要求されるＴＦＴのオフリーク電流を、簡単な製造工程で実現する。
【解決手段】ＴＦＴ１０のソース領域１７及びドレイン領域１８の不純物濃度を２×１０^１８［ｃｍ^−３］以上かつ２×１０^１９［ｃｍ^−３］以下とすることにより、シングルゲート構造でもＴＦＴ１０のオフリーク電流を十分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを、同一基板上に形成する。
【解決手段】基板１と、基板１に支持された薄膜トランジスタ１０、２０とを備えた半導体装置であって、薄膜トランジスタ１０は、ボトムゲート電極１５と一部だけが重なるように配置されたトップゲート電極１６を備え、薄膜トランジスタ２０は、ボトムゲート電極２５と全体が重なるか、または一部だけが重なるように配置されたトップゲート電極２６を備え、トップゲート電極２６の一部だけがボトムゲート電極２５と重なっている場合には、トップゲート電極２６のうちボトムゲート電極２５と重なっていない領域２７のチャネル方向の長さＬ２は、トップゲート電極１６のうちボトムゲート電極１５と重なっていない領域１７のチャネル方向の長さＬ１よりも小さい。 （もっと読む）

薄膜トランジスタが、絶縁基板上の半導体アイランド内に形成される。このトランジスタは、第１の伝導型のソース（１５０２）およびドレイン（１５０４）と、逆の第２の伝導型のチャネル（１５０８）とを備えている。チャネルは、１つまたは複数の絶縁ゲート（１５１０）と重なっており、分離ダイオードを備えている。各分離ダイオードは、低濃度にドープされた第１の領域（１５０６）と、高濃度にドープされ、第２の伝導型である第２の領域（１５１２）とを備えている。ダイオードは、絶縁ゲート（１５１０）とは重なっていない。第１の領域（１５０６）および第２の領域（１５１２）は、隣接するソースまたはドレインの長さよりも短い距離だけ、チャネル（１５０８）から延びている。低濃度にドープされた領域（１５０６）は、ソースまたはドレインから延びており、高濃度にドープされた領域（１５１２）は、低濃度にドープされた領域から延びているため、第１の領域（１５０６）および第２の領域（１５１２）は、トランジスタの主要伝導経路に直角の方向においては、隣接するソースまたはドレインとｐｎ接合を形成するが、主要伝導経路に平行な方向においては形成しない。
（もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製するための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつき及び移動度のばらつきを低減する半導体装置の駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子とを有し、トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧に応じて容量素子に保持された電荷を、一度トランジスタを介して放電させることで、トランジスタに流れる電流のばらつき、またはトランジスタの移動度のばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。
【解決手段】膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３０）を形成する。最初に、標準厚さの基板（１８）から半導体膜層（３６）を形成し、次いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディングされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、膜中の複数の層に相互接続部を形成する。１つのそのような膜に複数のダイを接続することができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】リーク電流や誤動作が発生しない信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板１０ａ上に形成された絶縁層１０ｂと、絶縁層１０ｂ上の一部に形成され、高耐圧回路１０ＨＶを有する第１半導体層３０、３２と、絶縁層１０ｂ上のうち第１半導体層３０、３２に素子分離領域１１０ｂを介して形成されＰ型半導体層２及びＰ型半導体層２の上層に部分的に設けられた低耐圧回路１０ＬＶを有する第２半導体層３４、３６とを備え、素子分離領域１１０ｂは上部が下部よりも前記支持基板の水平面内の断面積が大きく設けられ、前記素子分離領域の下部に隣接して形成されうる最大空乏層面積が、前記素子分離領域の前記上部の断面積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気保護素子を備えた液晶表示装置に関し、冗長性に優れ、比較的低い電圧が長時間発生する静電気に対しても十分な保護機能を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】静電気保護素子部２８、３０は、外部取り出し電極１６、１８に接続されるソース電極（Ｓ）と共通線２２、２４に接続されるドレイン電極（Ｄ）とを有する第１のＴＦＴ３２と第１のＴＦＴ３２ゲート電極（Ｇ）に接続された導電体４２と、外部取り出し電極１６、１８に接続されたソース電極（Ｓ）と導電体４２に接続されたドレイン電極（Ｄ）と電気的に孤立しているゲート電極（Ｇ）とを有する第２のＴＦＴ３８と、共通線２２、２４に接続されたソース電極（Ｓ）と導電体４２に接続されたドレイン電極（Ｄ）と電気的に孤立しているゲート電極（Ｇ）とを有する第３のＴＦＴ４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを目的の一とする。また、そのような半導体基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板より支持基板に転載され、全領域においてレーザ光照射による溶融状態を経て再単結晶化された単結晶半導体層を有する半導体基板を用いる。従って、単結晶半導体層は結晶欠陥も低減され結晶性が高く、かつ平坦性も高い。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板を用いても、タイル状に貼り付けた単結晶シリコン層の大きさが適切でないとパネルの取り数を最大化することができず、コストミニマムを図ることができないといった問題がある。
【解決手段】直径が３００ｍｍ乃至４５０ｍｍの略円形の単結晶半導体ウエハから略四辺形の単結晶半導体基板を形成し、クラスターイオンイオンビームを単結晶半導体基板の一面から注入して損傷層を形成する。該単結晶半導体基板を支持基板の一面に複数互いに離間して配列させる。熱処理を行い、損傷層に亀裂を生じさせて支持基板上に単結晶半導体層を残存させたまま単結晶半導体基板を剥離して除去する。単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。 （もっと読む）