【課題】低コストで信頼性が高く、薄膜化された半導体装置の作製方法、及びその方法によって作製された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上にトランジスタを形成し、トランジスタ上に絶縁層を形成した後、剥離層の一部を露出させる開口部を形成し、基板からトランジスタを物理的手段により剥離する。ここで、剥離層の形成は、基板上に金属膜を形成し、溶液を用いる方法でその金属膜上に接して金属酸化膜を形成することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板にも低抵抗のＴｉシリサイド層を形成することを課題とする。
【解決手段】Ｔｉシリサイド層の加熱処理工程にレーザー光を用いることで、耐熱性の低い基板上にも低抵抗のＴｉシリサイド層を形成することができる。シリコンを含む半導体膜に接してＴｉ膜を成膜し、第一の加熱処理により高抵抗のＴｉシリサイド層を形成し、レーザー照射を用いた第二の加熱処理により、高抵抗のＴｉシリサイド層を低抵抗のＴｉシリサイド層にする。本発明によりＴｉシリサイド層を形成するために高温で加熱処理する必要がないため、基板を制限なく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性の優れた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタは、基体の表面に配置された絶縁層とを備える。絶縁層の表面に配置され、Ｐ型のチャンネル部１３、Ｎ型のソース部１２およびＮ型のドレイン部１４を含む半導体層１と、絶縁層を介して配置されたゲート電極１１とを備える。半導体層１は、ソース部１２からチャンネル部１３を通ってドレイン部１４まで到達するように形成された引抜き部２１を有する。引抜き部２１は、Ｐ型に形成され、チャンネル部１３よりも不純物濃度が高くなるように形成されている。引抜き部２１は、線状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造時以外にデータの書き込み及び消去が可能である不揮発性の記憶装置及びそれを有する半導体装置を提供することを目的とする。また、小型で安価な不揮発性の記憶装置及びそれを有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】少なくとも一方が透光性を有する第１の導電層及び第２の導電層と、第１の導電層又は第２の導電層に接する有機化合物層とを有し、有機化合物層は、層内に分散された導電性粒子を有すると共に光異性化しうる部位を有する有機化合物で形成される記憶素子を有する記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】 デジタル回路およびアナログ回路または高耐圧ＭＯＳトランジスタのそれぞれに適切な膜厚のＳＯＩ層およびＢＯＸ層を備えた半導体基板、半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ１００は、半導体バルク１０と、半導体バルク上に設けられた第１の埋込み絶縁層２０と、第１の埋込み絶縁層上に設けられた第１の半導体層３０と、第１の半導体層上に設けられた第２の埋込み絶縁層４０と、第２の埋め込み絶縁層上に設けられた第２の半導体層５０とを備えている。半導体装置は、第１の半導体層のうち第１の領域に形成された第１のトランジスタと、第２の半導体層に形成された第２のトランジスタとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 オン電流特性、オフリーク電流特性およびドレイン耐圧のいずれにも優れたＴＦＴを備えた薄膜半導体装置、この薄膜半導体装置を用いた電子機器、および薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 薄膜半導体装置１において、ＴＦＴ１０のゲート電極５は、チャネル領域３０および境界領域３３、３８に対向している。ゲート絶縁膜４は、チャネル領域３０に重なる第１の絶縁膜部分４６と、境界領域３３、３８と重なる第２の絶縁膜部分４７と、ドレイン領域３２およびソース領域３７と重なる第３の絶縁膜部分４８とを備え、第２の絶縁膜部分４７は、第１の絶縁膜部分４６と隣接する部分では第１の絶縁膜部分４６よりも厚く、かつ、第１の絶縁膜部分４６から遠ざかるに伴って薄くなっている。境界領域３３、３８は、チャネル領域３０の側から離れるに伴って不純物濃度が漸増している。 （もっと読む）

【課題】それぞれのレーザ発振器から射出したレーザ光のビームスポットの位置及び隣り合うビームスポットの間隔を正確に制御することを可能とするレーザ照射装置の提供。
【解決手段】被照射体が設置された移動可能な第１のステージと、少なくとも２台以上のレーザ光を射出するレーザ発振器と、前記レーザ発振器と光学系が設置された移動可能な複数の第２のステージと、レーザ光の照射位置を検出する手段とを有する。第１のステージ及び第２のステージは、一方向だけでなく複数方向に移動可能なものであってもよい。また、前記光学系は、レーザ発振器から射出したレーザビームを被照射面において線状ビームになるように形成するものである。 （もっと読む）

【課題】特性を劣化させることなく、簡便に物理試験を行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】端子部を有する検査素子が設けられた素子層が、可撓性を有する第１及び第２のフィルムにより封止されている半導体装置の測定方法であって、前記端子部上に形成された前記第１のフィルムを除去して、前記端子部に達するコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールに導電性材料を含有する樹脂を充填し、前記充填された樹脂上に可撓性を有する配線基板を配置させた後に加熱することにより、前記導電性材料を含有する樹脂を介して前記端子部と前記可撓性を有する配線基板とを電気的に接続した後に測定を行う。 （もっと読む）

【課題】 印刷方法を用いてソース電極及びドレイン電極を形成した微細なゲート長、ソース電極幅、ドレイン電極幅を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、少なくとも１つ以上の長方形のソース電極１０８、１０９およびドレイン電極１１０、１１１が間隔を設けて長手方向が平行で、両端部がずれて交互に配列し、前記ソース電極およびドレイン電極の一方の端部は電極連結部１０２、１１３を介して電極配線部１０２、１０４に接続されており、かつ前記ソース電極およびドレイン電極が設けられている領域はゲート電極１０３が設けられている領域内に配置されている有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ領域を有する微細ＴＦＴを、工程数の少ないプロセスで作製し、各回路に応じた構造のＴＦＴを作り分けることを課題とする。また、ＬＤＤ領域を有する微細ＴＦＴであってもオン電流を確保することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を２層とし、下層のゲート電極のゲート長を上層のゲート電極のゲート長よりも長くし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。この際に、レジストの後退幅を利用して上層のゲート電極のみをエッチングし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。また、配線と半導体膜のコンタクト部をシリサイド化し、コンタクト抵抗を下げる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧と低オン抵抗を維持しつつ出力容量をも低減することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ−型活性層３は、厚さの大きい肉厚部分と厚さの小さい肉薄部分とを有する。肉厚部分において選択的に、表面からＳＯＩ絶縁層２に到達する深さに亘って、ｐ型ベース層４が形成されている。このｐ型ベース層４の表面部分には、ｎ＋型ソース層５が選択的に形成されている。肉薄部分において、ｐ型ベース層４と所定間隔を空けて選択的に、その表面からＳＯＩ絶縁層２に到達する深さに亘って、ｎ型ドレイン層６が形成されている。このｎ型ドレイン層６は、更にこれよりも高い不純物濃度を有するように形成されたコンタクト層１１が接合される。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、イオン注入時にイオンが分離酸化膜を突き抜けて、分離酸化膜下層に混入するのを抑えることができるようにする。
【解決手段】 ＳＯＩ基板のシリコン層を複数の活性領域に分離する分離絶縁膜を形成して、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成する。そして、分離絶縁膜の表面が露呈する部分を、所定の膜厚分エッチングする。その後、少なくともゲート電極の膜厚よりも厚く、かつ、ゲート電極の膜厚と分離絶縁膜のエッチング膜厚とを合計した膜厚よりも薄いシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に、エッチングストッパ膜を形成する。その後、ゲート電極表面が露呈するまで平坦化を行う。平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】 接合容量（Ｃｇｄ）を減少し、フィードスルー効果、又は接合容量（Ｃｇｄ）が大き過ぎることで生じる問題を改善できる薄膜トランジスタ構造を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタアレイ基板は、基板３００、前記基板３００の上に形成されるゲート電極３０２、前記基板３００と前記ゲート電極３０２を覆うゲート誘電体層３０８、前記ゲート誘電体層３０８の上に形成され、チャネル７１２を含む半導体層３１４、前記半導体層３１４における前記チャネル７１２の一方の側の部分と電気的に接続されたソース電極３２２、及び前記半導体層３１４における前記チャネル７１２の他方の側の部分と電気的に接続され、前記ゲート電極３０２に重ならないようにして配置されたドレイン電極３２４を備える。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でＮｉシリサイドを形成する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極や配線を低抵抗な金属膜を用いて形成することにより、大面積なデバイスにも対応できる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、前記第１の導電層上に当該第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする。また、前記第１の導電層は、炭素と、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルのいずれか一又は複数を含有していることを特徴とする。前記第２の導電層は、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケルまたはこれらの窒化物のいずれか一又は複数からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の半導体装置のゲート電極とゲート配線の配置を工夫することにより、画面の大面積化を可能とする。
【解決手段】表示領域に設けられた画素ＴＦＴが含むゲート電極は、第１の導電層により形成されている。また、表示領域に設けられたゲート配線は、第２の導電層で形成されている。ゲート電極はゲート配線と接続部で電気的に接触している。接続部は、画素ＴＦＴが含む半導体層の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 画面の縦横表示の切替が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 第１のゲート信号線駆動回路の走査方向は、ソース信号線駆動回路の走査方向と垂直をなし、第２のゲート信号線駆動回路の走査方向は、第１のゲート信号線駆動回路の走査方向と垂直をなす。通常表示の際は、画面の垂直走査は第１のゲート信号線駆動回路によって行う。一方、縦横表示を切り替える際には、画面の垂直走査は第２のゲート信号線駆動回路によって行う。画素はフィールドシーケンシャルで駆動され、画素内がＲＧＢに分割されないため、縦横切換が容易になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）