【課題】薄膜トランジスタ及び液晶表示装置に関し、駆動回路部の大きさを増大させることなく各薄膜トランジスタの電荷移動度を均一にする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、絶縁基板上に結晶粒が成長して形成された多結晶シリコン薄膜からなる半導体パターンが形成されており、この半導体パターンはチャンネル領域とチャンネル領域の両側に位置するソース領域及びドレーン領域とを含み、半導体パターンをゲート絶縁膜が覆い、ゲート絶縁膜上には少なくとも一部が結晶粒の成長方向と交差する方向を有するゲート電極がチャンネル領域に重畳する。 （もっと読む）

【課題】資源を有効活用でき、スループット良くＳＯＩ基板を製造できる技術を提供する。
【解決手段】イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、半導体ウェーハの一表面から所定の深さの領域に分離層を形成した後、絶縁表面を有する基板の一表面側と、半導体ウェーハの一表面側と、を重ね合わせて接合し、熱処理を行うことにより、分離層又は当該分離層の近傍を分離面として半導体ウェーハを分離させる工程Ａと、該工程Ａで分離された剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴ４８０２及び消去用ＴＦＴ４８０７のＬＤＤ領域は、ゲート電極に重ならないように形成されており、オフ電流値の低減に重点を置いた構造となっている。電流制御用ＴＦＴ４８０４のＬＤＤ領域は、その一部又は全部がゲート電極に重なるように形成されており、オン電流値の確保と、ホットキャリア注入の防止に重点を置いた構造となっている。各部に求められる機能に応じて、同一基板上に異なる構造のＴＦＴを、共通の工程にて形成することで、半導体装置の動作性能及び信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】ゲート誘起ドレインリーク電流が少ない電界効果トランジスタ、および、ゲート電極とソース／ドレイン領域との間に薄い絶縁体構造物を含む集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタ５４２のゲート電極は、ゲート電極とチャネル領域５１２との間の第１のフラットバンド電圧を決定する主部５３２と第１の側部５３５とを含む。この第１の側部は、上記主部に接触すると共に、上記ゲート電極と第１のソース／ドレイン領域５１４，５１６との間の第２のフラットバンド電圧を決定する。上記第１のフラットバンド電圧および上記第２のフラットバンド電圧は、少なくとも０．１ｅＶだけ異なる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が低い基板上に形成された、半導体層がポリシリコンで構成される薄膜トランジタの自己発熱による特性変動を防止。
【解決手段】複数のサブピクセルを有する表示パネルと、前記複数のサブピクセルを駆動する駆動回路とを備え、前記表示パネルは基板を有し、前記駆動回路は、前記基板上に形成される薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、半導体層がポリシリコンで構成される表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成されるソース電極、半導体層、およびドレイン電極と、前記ソース電極、前記半導体層、および前記ドレイン電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上で、前記半導体層上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上で、前記ゲート電極の少なくとも一部を覆うように形成される金属層とを有する。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】 能動層が多結晶半導体でなる逆スタガ型のＴＦＴ素子がオフのときに流れるリーク電流を容易に低減する。
【解決手段】 半導体層、ソース電極、およびドレイン電極が絶縁膜の表面に配置されており、かつ、ソース電極およびドレイン電極の一部分が半導体層の上に乗り上げている逆スタガ型のＴＦＴ素子を有する半導体装置であって、半導体層の能動層は、当該ＴＦＴ素子のチャネル長方向に長く延びる帯状結晶を主とする多結晶半導体でなり、当該ＴＦＴ素子を平面でみたときに、ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ、能動層の上から当該ＴＦＴ素子のチャネル幅方向であり、かつ、互いに反対の方向に引き出されており、ソース電極は能動層のチャネル長方向に延びる２つの辺のうちの一方の辺のみと交差し、ドレイン電極は能動層のチャネル長方向に延びる２つの辺のうちの他方の辺のみと交差している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少ない表示装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を成膜する。次に、エネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビーム、即ち単位面積当たりのエネルギーが低いレーザビームを非晶質半導体膜に照射して、非晶質半導体膜を微結晶化させて、ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する。次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】島状に設けられた半導体層の端部に起因する不良を防止し、信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、島状の半導体層を形成し、第１の変質処理を行い、前記島状の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜を除去し、前記第１の絶縁膜が除去された前記島状の半導体層に第２の変質処理を行い、該島状の半導体層の表面に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上に導電層を形成し、前記第１の変質処理と前記第２の変質処理により、前記島状の半導体層の上端部を丸めることを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、歩留りが高く、高ドレイン電流化が可能な電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、基板１と、基板１上に設けられた第１の電極２と、第１の電極２表面上に設けられた第１の絶縁層３と、第１の絶縁層３表面上に設けられた第２の絶縁層４と、第１の電極２の上方に位置し、第２の絶縁層４上に設けられた第２の電極５と、第２の電極５と分離されて、前記基板１上に、前記第１の絶縁層３又は第２の絶縁層４を介して、もしくは直接設けられた第３の電極６と、第２の電極５及び第３の電極６と接すると共に第１の電極２とは第１の絶縁層３及び第２の絶縁層４を介して絶縁されるように設けられた有機半導体層８とを備え、第３の電極６の上面は、第１の電極２の上面よりも低い位置に設けられると共に、第２の絶縁層４の膜厚が、第１の絶縁層３の膜厚よりも薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示むらを抑制する発光装置を提供することを課題とする。又は、異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減した発光装置を提供することを課題とする。又は、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられたトランジスタと、発光素子とを具備する画素を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタが飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 （もっと読む）

【課題】１枚のマザーガラス基板と複数枚の半導体基板を用いて、半導体基板よりも大きな面積を有する表示部を作製し、表示部を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】矩形の半導体基板を複数枚用意し、１枚のマザーガラス基板と貼り合わせて接着を行う。貼り合わせの際に複数枚の半導体基板間の境界線で間隔または重畳部分が生じてもそれらの間隔または重畳部分に単結晶半導体層が重ならない画素構成とする。第１の発光素子を含む第１の単位セルは、２個のＴＦＴが配置され、第２の発光素子を含む第２の単位セルは４個のＴＦＴが配置され、第３の発光素子を含む第３の単位セルにはＴＦＴが配置されない。第３の単位セルと第４の単位セルの間に境界線が位置する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴ素子の抵抗性リーク電流を小さくする。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極がこの順番で積層されており、かつ、前記半導体層が多結晶半導体でなる能動層と、前記能動層と前記ソース電極との間、および前記能動層と前記ドレイン電極との間のそれぞれに介在するコンタクト層からなるＴＦＴ素子を有し、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、前記能動層の前記ゲート絶縁膜との界面の裏面に対向する第１の面と、前記能動層のエッチング端面に対向する第２の面とを有する半導体装置であって、前記コンタクト層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記第１の面と前記能動層との間と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記第２の面と前記能動層との間とのすべての領域に介在している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】露光量を厳密に制御せずとも、フォトレジストの層厚精度を高く維持することのできるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】露光装置からの露光光を遮断する遮光領域６１と、露光光を完全に透過させる透過領域６２と、露光光を部分的に透過させる半透過領域６３とを有するハーフトーンマスク６０を通して、露光光の吸収係数が高いフォトレジストＰ１に露光光を照射し、現像処理する。露光光はフォトレジストＰ１で吸収されるため、ハーフトーンマスク６０を通過した露光光は多結晶半導体層１２まで届かず、多結晶半導体層１２近傍では未露光の状態で残る。そのため、現像条件が過剰となった場合は、未露光部分の現像速度は遅く、過小となった場合は既露光部分の現像速度は速いため、現像条件のばらつきに対してレジストパターンの層厚は安定する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を削減すると共に生産性を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１１は、絶縁基板２１を備えている。絶縁基板２１上には、一部にポリシリコン層２２が形成されている。このポリシリコン層２２は、ＴＦＴ素子１４を構成する、チャネル領域２２ａ、ソース領域２２ｂ及びドレイン領域２２ｃを有している。ポリシリコン層２２上には、ソース領域２２ｂ及びドレイン領域２２ｃのそれぞれ一部を覆うように配線層２３が形成されている。配線層２３並びに配線層２３が積層されていないポリシリコン層２２には、両者の表面を覆うようにゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４上には、ゲート絶縁膜２４を介してチャネル領域２２ａに対向する位置にゲート電極層２５が形成されている。ゲート絶縁膜２４表面の一部には、キャパシタ上部電極層２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁性表面を有する基板上に剥離層を形成し、剥離層上に非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層を形成し、素子層上に有機化合物または無機化合物の繊維体を設け、素子層及び繊維体上から有機樹脂を含む組成物を塗布し、加熱することにより、素子層上に有機化合物または無機化合物の繊維体が有機樹脂で含浸された封止層を形成し、剥離層から素子層を剥離して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることができる多結晶半導体膜を、非晶質半導体膜にフェムト秒レーザを照射して結晶化することにより作製する方法に関する。
【解決手段】フェムト秒レーザを使用してレーザ結晶化を行うことにより、キャップ膜を上面に成膜した非晶質半導体膜をレーザ結晶化する際に、半導体膜の結晶化とキャップ膜の除去とを同時に行うことが可能となる。そのため、後工程のキャップ膜除去の工程を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着することにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）