【課題】微結晶シリコンをチャネル領域として用い、良好にリーク電流を抑制することが可能なトランジスタを備えるトランジスタ基板及びトランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ基板におけるトランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、半導体層（チャネル領域）１１４と、ドレイン領域１１６、ソース領域１１７と、ドレイン電極１１８と、ソース電極１１９と、を備える。ドレイン領域１１６と半導体層１１４が接触する箇所及びソース領域１１７と半導体層１１４が接触する箇所のうち少なくとも一方は、ゲート電極１１２と比較し、薄膜トランジスタ１００のチャネル長方向に外側に位置するように形成されている。このようにストッパ膜１１５を形成することにより、電界の急激な変化を抑制することができ、良好にリーク電流を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上昇させることなくマイグレーション耐性の向上及び有機半導体の劣化の抑制を実現可能な画像表示パネル及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】第一の基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜が積層形成され、ゲート絶縁膜上に空隙を隔ててソース電極及びドレイン電極並びに第二の接着剤が形成され、ソース電極及びドレイン電極の空隙を含む領域に有機半導体層が形成され、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極の一部、及び有機半導体層を覆うように層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜及びドレイン電極と接合されている導電層上に第一の接着剤、第一の接着剤上に形成された画像表示媒体及び第二の接着剤上に無機膜および第二の基板を有する画像表示パネルであって、第二の接着剤は、画像表示媒体と導電層との間に配置された第一の接着層よりも外側に配置され、無機膜及び親水化処理されたゲート絶縁膜と接合形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する剥離・転写の工程を簡略化した方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属膜を形成し、加熱処理を行うことで、金属膜上に形成された酸化金属膜と、半導体膜の結晶化を同時に行うことができ、工程が簡略化された剥離・転写の方法である。金属膜にはタングステン膜などを用い、均一な剥離・転写を行うことができる。半導体膜に電気的に接続される電極上に発光層を形成することで発光装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムやマグネシウムを用いた金属層を形成し４００℃程度で熱処理することで、ゲート絶縁層中の不純物を不活性化できるが、当該金属層はヒロックが発生しやすい等、ゲート電極としては適当なものではなく、一旦、当該金属層を除去して、新たにゲート電極を形成する必要がある。この工程では、エッチング雰囲気中にゲート絶縁層を露出させる必要が生じ、ゲート絶縁層の劣化が懸念される。
【解決手段】ＴｉＮをスパッタ法にて堆積し、エッチングを行うことで第１ゲート電極１０６を形成する。そしてアルミニウムを主成分とする触媒金属層１０８をスパッタリング法等を用いて堆積する。そして、触媒金属層１０８が堆積された状態で、４００℃で１時間熱処理を行う。この熱処理を行うことにより、ゲート絶縁層１５と半導体層１３との界面の欠陥準位密度を低減させることができた。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】 オフリーク電流が低減され、電流の立ち上がり特性も良好な結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】 非晶質シリコン層及び結晶性シリコン層を半導体層とする薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電極が、半導体層の結晶性シリコン層と直接接することにより、電流の立ち上がり特性を向上させることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧で、オン抵抗が小さくできる低電力消費で高耐圧のＭＯＳトランジスタに関する技術の提供。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられた埋め込み酸化膜１１，不純物濃度が第１濃度のシリコン層１２，不純物濃度が第１濃度より低い第２濃度のエピタキシャル層１３と、エピタキシャル層の表面から埋め込み酸化膜１１に達する低濃度の第１導電型のドレイン領域１５、埋め込み酸化膜に達する第２導電型のチャネル領域１４、高濃度の第１導電型のソース領域１６と、チャネル領域１４とドレイン領域１５の一部を覆うゲート電極２１と、ゲート電極とエピタキシャル層の間のゲート酸化膜２０と、ドレイン領域内のゲート電極から離れた高濃度の第１導電型で形成されたドレインオーミック領域１５ｃと、高濃度の第２導電型のチャネルオーミック領域１４ｄを備え、ゲート電極直下に第２濃度よりさらに低濃度のチャネルドープ領域１４ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧＩＤＬ電流が発生することを抑制する。
【解決手段】第２導電型高濃度不純物層１７０は、素子形成領域１１０に形成されており、ソース及びドレインとして機能する。第２導電型低濃度不純物層１６０は、第２導電型高濃度不純物層１７０それぞれの周囲に設けられている。第２導電型低濃度不純物層１６０は、第２導電型高濃度不純物層１７０を深さ方向及びチャネル長方向に拡張し、第２導電型高濃度不純物層１７０より不純物濃度が低濃度である。第２導電型低濃度不純物層１６０は、少なくとも一部がゲート電極１４０及びゲート絶縁膜１８０の下に位置している。そしてゲート絶縁膜１８０は、第２導電型低濃度不純物層１６０上に位置する部分に傾斜部１８２を有している。傾斜部１８２は、ゲート電極１４０の中央部側から側面に向かうにつれて、変局点がないように膜厚が連続的に厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造およびトップゲート構造の双方の特長を兼ね備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。素子基板１０を製造する際、諧調露光により形成したレジストマスクと、かかるレジストマスクに対するエッチバックを利用して、高濃度不純物の導入、半導体膜のパターニングと、ゲート絶縁膜２ａと同層の層間絶縁膜のコンタクトホールを形成すべき領域からの半導体膜の除去、および低濃度不純物の導入とを行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面１ａを有するガラス基板１と、主表面１ａ上に設けられ、チャネル領域１１と、チャネル領域１１の両側に位置するソース領域９およびドレイン領域１３とが形成されたポリシリコン膜７と、ポリシリコン膜７に接触するように設けられたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７を介してチャネル領域１１に向い合う位置に設けられたゲート電極２１とを備える。ポリシリコン膜７は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有する。ソース領域９およびドレイン領域１３は、ポリシリコン膜７の頂面７ａからポリシリコン膜７の底面７ｃにまで達して形成されている。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】大きなオン電流を維持したままオフ電流を低減するとともに、製造が容易なＬＤＤ領域を備える薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】平面視において、ドレイン電極１７１をゲート電極１２１から所定の距離だけ離して形成することによって、ＬＤＤ領域１６５となるオーミックコンタクト層１６１を水平方向に形成する。この場合、ＬＤＤ領域１６５は、ゲート電極１２１の電位に基づく電界の影響を受けにくくなり、実質的にドレイン電極１７１の電位に基づく電界による電界集中のみを緩和する。したがって、ＴＦＴ１００は、結晶性シリコン膜からなるチャネル領域１４１ｃを形成することにより、大きなオン電流を維持することができると同時に、オフ電流を十分低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＧＯＬＤ構造を持つＴＦＴを形成した場合、中間濃度層とゲート電極とが重なる領域の長さ（以下、「ＧＯＬＤ長」と呼ぶ）が長くなるにつれて、トランジスターを構成するチャネル領域を挟む、ソース−ドレイン間の漏れ電流が増加し、消費電力の増加が生じる。また、液晶装置や有機ＥＬ装置に適用した場合に顕著となる、映像信号の保持を可能とする時間の低下による映像品質の低下が生じるという課題がある。
【解決手段】ＴＦＴのＧＯＬＤ長をＴＦＴ幅方向の両端での長さを中央部の長さと比べて短くした。島状のシリコン層の幅方向の端部には、キャリアを発生させる欠陥準位が幅方向の中央部と比べ多く存在する。この領域でのＧＯＬＤ長を中央部と比べ短縮することで、この欠陥準位からのキャリア発生を抑制し、漏れ電流を減らした。 （もっと読む）

【課題】チャネルが形成される第１半導体層とソース電極層及びドレイン電極層が接する界面のコンタクト抵抗が高くなる一因は、ソース電極層及びドレイン電極層となる金属材料の表面がゴミや不純物によって汚染され、電気抵抗が高い皮膜が形成される現象である。そこで、皮膜の形成から表面が保護されたソース電極層及びドレイン電極層と第１半導体層が接する半導体装置及びその作成方法を提供する。
【解決手段】成膜後の導電膜を大気にさらすことなく、導電膜上に連続して第１半導体層以下の導電率を有する第２半導体膜を含む保護膜を積層し、当該積層膜をソース電極層及びドレイン電極層に形成し、ソース電極層及びドレイン電極層が第２半導体膜を介して第１半導体層に接する。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる構造を有し、かつ複雑ではなく安価な製造方法で実現され得る電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくともゲート（１）と、絶縁体層（２）と、ドレイン（３）と、ソース（４）と、ソース（４）をドレイン（３）に接続する半導体材料（５０）とを含み、ゲート（１）及び絶縁体層（２）は各々ソース（４）、ドレイン（３）、及び半導体材料によって構成されるアセンブリを囲み、絶縁体層（２）がゲート（１）と前記アセンブリとの間に配置される電界効果トランジスタ
ドレイン（３）及びソース（４）は各々第１及び第２の導電体によって構成され、平行に配置され、かつ互いに非接続であり、第１及び第２の導電体はそれらの外周全体にわたって、及び少なくともそれらの長さの一部にわたって半導体材料（５０）の層によって囲まれる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減することが可能な有機トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に設けられている走査線１１及び信号線１２と、走査線１１と接続するゲート電極２１と、ゲート電極２１及び走査線１１を覆うように形成されている第１のゲート絶縁膜と、信号線１２と接続するソース電極２３と、チャネル領域Ｃを挟んでソース電極２３と対向して形成されているドレイン電極２４と、チャネル領域Ｃに形成されている有機半導体層２５とを備え、走査線１１及び信号線１２が交差して形成されている画素領域Ａ１、Ａ２に設けられる有機トランジスタ２０とを有する有機トランジスタアレイ１０において、ゲート電極２１は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２とに挟まれる領域Ｓに形成され、有機半導体層２５は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２に挟まれる領域Ｓ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 小型であり、順方向と逆方向の双方で導通可能（スイッチング可能）な半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１導電型の第１領域３０と、第２導電型であり、第１領域３０に接している第２領域３２と、第１導電型であり、第２領域３２によって第１領域から分離されている第３領域３６と、第２導電型であり、第３領域３６によって第２領域３２から分離されている第４領域２２と、第１導電型であり、第４領域２２によって第３領域３６から分離されている第５領域２０と、第１領域３０及び第２領域３４と導通している第１電極５６と、第４領域２２及び第５領域２０と導通している第２電極５４と、第２領域３２に対して絶縁膜４２を介して対向している第１ゲート電極４４と、第４領域２２に対して絶縁膜５０を介して対向している第２ゲート電極５２を備えていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を挟む第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性とする。インバータ回路はＥＤＭＯＳ回路である。 （もっと読む）