【課題】ソース/ドレイン電極のコーナー部分に強くかかる電界による絶縁破壊及び素子劣化現象を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極、ゲート電極と絶縁された活性層、ゲート電極と絶縁され、活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極、及びソース電極及びドレイン電極と活性層との間に介された絶縁層を備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子と、を備え、ソース電極は、相互分離形成された第１ソース電極及び第２ソース電極と、第１ソース電極及び第２ソース電極を電気的に連結する第３ソース電極とを備え、ドレイン電極は、相互分離形成された第１ドレイン電極及び第２ドレイン電極と、第１ドレイン電極及び第２ドレイン電極を電気的に連結する第３ドレイン電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】トレンチ分離されたＳＯＩ基板にＩＧＢＴとその制御回路等が形成される半導体装置において、ＩＧＢＴの高耐圧化及びターンオフ特性の改善等が必要になる。
【解決手段】ダミー半導体基板１６にＮ型エピタキシャル層８を形成し、Ｎ型エピタキシャル層８にトレンチ３０を形成し、トレンチ３０側壁及びＮ型エピタキシャル層８表面にＮ型バッファ層７、次にＰ型埋め込みコレクタ層６を形成し、トレンチ３０底面及びＰ＋型埋め込みコレクタ層６上を埋め込み絶縁膜５で被覆する。埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。該ＳＯＩ基板にＩＧＢＴ等を形成する。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、または絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ未満の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図ることを目的の一つとする。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う半導体装置
の方法を提供する。
【解決手段】第１の基板上に金属膜を形成し、金属膜に接して珪素を有する絶縁膜を形成
すると金属膜の表面には酸化金属膜が形成されている。そして、絶縁膜上に薄膜トランジ
スタ等の半導体素子を形成する。第１の接着剤を用いて、半導体素子上に第２の基板を固
定し、かつ第１の基板を分離し、第２の接着剤を用いて、半導体素子下にフィルム基板等
の第３の基板を固定し、かつ第２の基板を分離するときに、紫外線を照射することによっ
て、第１の接着剤の粘着性の低下又は剥離と、第２の接着剤の硬化とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造方法によって製造された良好なＴＦＴ特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１に支持されたチャネル領域３３Ａ、ソース領域３４Ａおよびドレイン領域３５Ａを含む半導体層３０Ａと、チャネル領域３３Ａの導電性を制御するゲート電極５１とを有する。半導体層３０Ａは、チャネル領域３３Ａとソース領域３４Ａとの間に形成された第１低濃度領域３１Ａ、および、チャネル領域３３Ａとドレイン領域３５Ａとの間に形成された第２低濃度領域３２Ａとを有する。チャネル領域３３Ａ、第１および第２低濃度領域３１Ａおよび３２Ａは、ソースおよびドレイン領域３４Ａおよび３５Ａの不純物濃度より低い第１不純物濃度を有する。ゲート電極５１は、第１および第２低濃度領域３１Ａおよび３２Ａの全部を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】トンネルＦＥＴの閾値ばらつきの抑制をはかる。
【解決手段】Ｓｉ_1-x Ｇｅ_x （０＜ｘ≦１）の第１の半導体層１３上にゲート絶縁膜２１を介して形成されたゲート電極２２と、Ｇｅを主成分とする第２の半導体と金属との化合物で形成されたソース電極２４と、第１の半導体と金属との化合物で形成されたドレイン電極２５と、ソース電極２４と第１の半導体層１３との間に形成されたＳｉ薄膜２６とを具備した半導体装置であって、ゲート電極２２に対しソース電極２４のゲート側端部とドレイン電極２５のゲート側端部とは非対称の位置関係にあり、ドレイン電極２５のゲート側の端部の方がソース電極２４のゲート側の端部よりも、ゲート電極２２の端部からゲート外側方向に遠く離れている。 （もっと読む）

【課題】機能回路の電源配線及び接地配線に要する接地面積を少なくし、同時に消費電流による電源電圧降下及び接地電圧上昇を抑えることで、薄型・軽量・高機能・低価格の半導体装置を提供する。
【解決手段】機能回路に電源電圧を供給する電源配線１００９及び接地電圧を供給する接地配線１０１０が格子状に配置されている半導体装置である。格子状にすることで、電源電圧降下及び接地電圧上昇は大幅に低減できる。また、配線幅を細くしても、格子状にしない場合と同程度の電源電圧降下及び接地電圧上昇に抑えられるので、電源配線及び接地配線の配置面積を大幅に低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に第１の多元系酸化物半導体層を形成し、第１の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第１の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第２の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、ソースとドレインの間に高抵抗な領域を配し、電界効果移動度が高くオン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの下地層に「結晶核の生成を抑制する不純物」を含ませ、または下地層の表面に「結晶核の生成を抑制する不純物」を存在させ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥
離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを
可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体
装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を
設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化
を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または
金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の駆動能力の向上を図ることを課題の一とする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、第１のトランジスタの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタの第２の端子は、第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、酸化物半導体によりチャネル領域が形成され、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのチャネル幅が１μｍあたりのオフ電流が１ａＡ以下である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。 （もっと読む）