【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性に優れ、電気特性、特にリーク電流の少ない結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】 ソース電極およびドレイン電極上に非晶質シリコン層を形成し、その上に微結晶シリコン層、ゲート絶縁層、ゲート電極を形成する薄膜トランジスタであって、前記非晶質シリコン層と前記ソース電極とドレイン電極とが前記微結晶シリコン層を介して接続する領域と、前記非晶質シリコン層と前記ソース電極およびドレイン電極と直接接続する領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択されている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に於けるＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が２層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでＬＤＤ構造及びＧＯＬＤ構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にＧＯＬＤ構造及びＬＤＤ構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたパワーＭＩＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】半導体層１０１を挟んでゲート電極１０２ａとソース電極１０３ａ、ドレイン電極１０３ｂを形成し、半導体層のうちゲート電極１０２ａとドレイン電極１０３ｂとの間にこれらが重ならない領域を設ける。この領域の長さを０．５μｍ乃至５μｍとする。このようなパワーＭＩＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の間に１００Ｖ以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極１０２ａに制御用の信号を入力して使用する。 （もっと読む）

【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板１１と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜１２と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、ＴＦＴと、該ＴＦＴと接続する配線２１とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長（Ｌ）を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。なかでも、非線形素子より構成されるパワーダイオード及び整流器を提供することである。
【解決手段】第１の電極と、第１の電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層と接して且つ第１の電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の端部を覆う一対の第２の電極と、一対の第２の電極及び酸化物半導体層を覆う絶縁層と、絶縁層に接して且つ一対の第２の電極の間に設けられる第３の電極と、を有し、一対の第２の電極は酸化物半導体層の端面に接する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】軽量、薄型、小型であり、かつ読み込んだ画像に明るさのむらが生じないエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】エリアセンサが有する画素は、光源としてのＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードと複数のＴＦＴをそれぞれ有しており、ＥＬ素子とフォトダイオードの動作をＴＦＴで制御していることを特徴とするエリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおけるソースの高キャリア濃度化をプロセス面での負荷を抑えつつ実現する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３０は、３−５族化合物半導体のチャネル層２０の第１面のゲート領域に形成される。ソースコンタクト層３４およびドレインコンタクト層３８は、チャネル層２０の第１面にゲート領域を挟むように位置するドレイン領域およびソース領域それぞれに形成される。裏面絶縁膜５０は、チャネル層２０の第１面と反対側の第２面側に形成される。ソース下面電極５２は、裏面絶縁膜５０のチャネル層２０と反対の面側に、ソースコンタクト層３４と対向する領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、アドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像（映像）の表示が可能であり、ＥＬ駆動用トランジスタが、劣化によりノーマリーオンとなった場合にも、信号線の電位を変えて動作を補償することの出来る画素を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。この構造により、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線１０６の電位を変えることで、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２が確実に非導通状態となるように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成する半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極およびドレイン電極と、を形成し、ソース電極上およびドレイン電極上にそれぞれ絶縁層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極および絶縁層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に導電層を形成し、導電層を覆うように絶縁膜を形成し、導電層におけるソース電極またはドレイン電極と重畳する領域の少なくとも一部が露出するように絶縁膜を加工し、導電層の露出した領域をエッチングして、ソース電極とドレイン電極に挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するゲート電極を自己整合的に形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】ソース/ドレイン電極のコーナー部分に強くかかる電界による絶縁破壊及び素子劣化現象を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極、ゲート電極と絶縁された活性層、ゲート電極と絶縁され、活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極、及びソース電極及びドレイン電極と活性層との間に介された絶縁層を備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子と、を備え、ソース電極は、相互分離形成された第１ソース電極及び第２ソース電極と、第１ソース電極及び第２ソース電極を電気的に連結する第３ソース電極とを備え、ドレイン電極は、相互分離形成された第１ドレイン電極及び第２ドレイン電極と、第１ドレイン電極及び第２ドレイン電極を電気的に連結する第３ドレイン電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）