【課題】大型の液晶表示装置における修理構造の経路を短縮し、信号遅延なく断線したデータ線を修理する。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置に関する。スイッチング素子を各々含む複数の画素、横方向に延在してゲート信号を伝達するゲート線、縦方向に延在してデータ信号を伝達するデータ線、前記ゲート線と平行にのびる第１維持電極線、前記データ線と平行にのびる第２維持電極線、そして、前記第２維持電極線の間に連結されている第３維持電極線を含み、前記データ線は、前記第２維持電極線の間に位置し、前記第３維持電極線と前記データ線が交差する部分に形成されている修理部材を含む。このような方法で、特に大型の液晶表示装置における修理構造の経路を短縮し、信号遅延なく断線したデータ線を修理することができる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置において、発光素子に電流を供給するＴＦＴのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】 発光素子を制御する第１のトランジスタと、第１の電極が前記第１のトランジスタのゲートに接続され、前記第１のトランジスタのしきい値電圧に応じた電圧を保持する容量素子と、前記第１のトランジスタのゲートに対する電圧の供給を制御する第２のトランジスタと、配線から前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に対する電圧の供給を制御する第３のトランジスタと、前記容量素子の第２の電極に対する電圧の供給を制御する第４のトランジスタと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ等の能動素子が安定に動作し、大画面化と長期にわたって安定した表示動作とを可能にする。
【解決手段】 陰極（２２２）と陽極（２３）とに狭持され、基板（２）の上方に配置された電気光学素子と、電気光学素子を駆動する能動素子（２４）と、陰極（２２２）及び陽極（２３）のうち少なくとも一方と基板（２）との間に配置された誘電率が所定の値以下の絶縁材料からなる絶縁膜（２８３、２８４）とから電気光学装置（１）を構成する。 （もっと読む）

【課題】移動度を高めたダブル・ゲートＣＭＯＳデバイス構造を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、半導体デバイス構造は、基板（１、２）上に配置されたＰＭＯＳデバイス（２００）およびＮＭＯＳデバイス（３００）を含み、このＰＭＯＳデバイスはこのＰＭＯＳデバイスの活性領域に応力を加える圧縮層（６）を含み、このＮＭＯＳデバイスはこのＮＭＯＳデバイスの活性領域に応力を加える引張り層（９）を含み、この圧縮層は第１の誘電体材料を含み、この引張り層は第２の誘電体材料を含み、これらのＰＭＯＳおよびＮＭＯＳデバイスはＦｉｎＦＥＴデバイス（２００、３００）である。
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コンタクトエッチストップ層（１１６）を設けることによって、異なるトランジスタ型（１００Ｎ），（１００Ｐ）のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層（１１６）の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ（１００Ｎ），（１００Ｐ）の性能を大きく改善することができる。
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ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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【課題】 上層配線の線幅面積を減少させて、上下配線間の相互干渉による不具合を低減する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の配線７を覆うＴＥＯＳ膜から成る第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８を隔てて前記第１の配線７にコンタクトする第２の配線９と、該第２の配線９を覆うＴＥＯＳ膜から成る第２の層間絶縁膜１０と、該第２の層間絶縁膜１０を隔てて前記第２の配線９にコンタクトする第３の配線１１と、該第３の配線１１を覆うシリコン窒化膜１３とポリイミド系絶縁膜１４から成るパッシベーション膜１２とを具備し、前記第３の配線１１には相互干渉を起こし易い映像信号に用いられているクロマ系信号や同期信号やシリアルコントロール信号等が流れていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）