【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記架橋剤（Ｃ）は、分子量が１００〜５００であり、かつ、前記架橋剤（Ｃ）のＳＰ値をＳＰ_１とし、ＳＰ値が１９６２０（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２であるアリルグリシジルエーテルのＳＰ値をＳＰ_２とした場合に、ＳＰ_１−ＳＰ_２＝−１９００〜５４００（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２の関係にあるＳＰ値を有し、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が１〜５００重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されており、該樹脂膜中の無機イオン含有量が１〜１０００ｐｐｂであることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。また、絶縁層１２８と第２のトランジスタのゲート絶縁層１４６は、式（（ｔ_ａ／ｔ_ｂ）×（ε_ｒｂ／ε_ｒａ）＜０．１）を満たす。（但し、式中、ｔ_ａはゲート絶縁層１４６の膜厚を示し、ｔ_ｂは絶縁層１２８の膜厚を示し、ε_ｒａはゲート絶縁層１４６の誘電率を示し、ε_ｒｂは絶縁層１２８の誘電率を示す。） （もっと読む）

【課題】伝達特性のサブスレッショルド領域における形状変化を低減したボトムゲート型薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板の上に、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が同一の層で形成され、かつソース領域とドレイン領域がチャネル領域を介して設けられた酸化物半導体層と、がこの順で積層されて形成され、ソース領域及びドレイン領域の各々における、幅方向の端部の、チャネル領域に近い側の隅部から少なくとも一部の領域が、該端部と同じ側のチャネル領域の端部よりも内側に位置していることを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいては、酸化物半導体内に水素が存在することでトランジスタの電気特性不良に繋がる。そこで、良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域が形成される酸化物半導体層と接する絶縁層をハロゲン化珪素を用いたプラズマＣＶＤ法により形成する。このようにして形成された絶縁層の水素濃度は６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であり、且つハロゲンの濃度は１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるので、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができ、ハロゲンにより酸化物半導体層内に存在する水素を不活性化させ、または脱離させ、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することできる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のチャネル領域の、水素拡散による低抵抗化を抑制するトップゲート型酸化物半導体ＴＦＴ及びこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極層と、ドレイン電極層と、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるゲート電極層と、水素を含む保護層と、を有し、ゲート絶縁層は酸化物半導体層のチャネル領域の上に形成され、ゲート電極層はゲート絶縁層の上に形成され、保護層はゲート電極層の上に形成されていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】撮像された画像の品質を向上させる固体撮像装置、或いは半導体表示装置を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。さらに、出力信号が与えられる一の配線に接続されている複数のフォトセンサを第１のフォトセンサ群とし、出力信号が与えられる他の配線に接続されている複数のフォトセンサを第２のフォトセンサ群とすると、電荷の蓄積動作を制御するための電位または信号を第１のフォトセンサ群に与える配線と、上記電位または信号を第２のフォトセンサ群に与える配線とを、接続する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられ、ゲート電極としても機能する配線１０２ａと、配線１０２ａ上に設けられ、配線１０２ａと略同形状で、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁膜１０３ａと、絶縁膜１０３ａ上に設けられた酸化物半導体等よりなる半導体層１０４ａと、半導体層１０４ａ上に設けられた厚さが、絶縁膜１０３ａの厚さと半導体層１０４ａの厚さの和の５倍以上もしくは１００ｎｍ以上の酸化物絶縁層１０５と、酸化物絶縁層１０５に設けられた開口部を通して、半導体層に接続する配線１０７ａ、１０７ｂとを有する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化処理として、酸素を含む雰囲気での加熱処理と、真空中での加熱処理を段階的に行う。また、加熱処理と同時に短波長の光照射を行い、水素やＯＨ等の脱離を助長させる。この様な熱処理による脱水化または脱水素化処理を施した酸化物半導体層を有するトランジスタは、光照射やバイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後における電気特性の不安定性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性ばらつきの小さい酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。電気的特性ばらつきの小さい酸化物半導体膜を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】透光性を有する酸化物半導体層をパターニングする際に、基板ステージからの散乱光を低減、もしくはその回り込みを少なくするために、基板ステージに光が到達しないように、光の透過を防止する機能を有する層をフォトレジスト層よりも下層に配置し、パターニングを行えばよい。さらに上記パターニング方法で形成した酸化物半導体層を用いて半導体装置を作製すればよい。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフで、長期的な特性変動の少ない酸化物半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層に酸素、ハロゲンのいずれか一またはそれらの内の２元素以上を含む陽イオンを添加することで、酸素の脱離の抑制、または、水素の低減または動きの抑制を実現できる。これにより、酸化物半導体内のキャリアを減少させ、またその数を長期に渡り一定に保つことが出来るため、ノーマリーオフで、長期的な特性変動の少ない酸化物半導体素子を有する半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】製造過程で用いられるフォトエッチング工程数を最小化できるように簡素な構造を有する有機発光表示装置を提供する。また、前記有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、基板本体と、基板本体上に形成された多結晶アクティブ層および第１キャパシタ電極を含む多結晶シリコン層パターンと、多結晶シリコン層パターン上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、ゲート絶縁膜パターン上に形成されたゲート電極および第２キャパシタ電極を含む第１導電膜パターンと、第１導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜パターンと、層間絶縁膜パターン上に形成されたソース電極、ドレイン電極、および画素電極を含む第２導電膜パターンとを含む。ゲート絶縁膜パターンは、多結晶シリコン層パターンおよび第１導電膜パターンのうちのいずれか１つと共にパターニングされる。 （もっと読む）

【課題】電気光学ディスプレイを提供する。
【解決手段】電気光学ディスプレイは、基板１００と、該基板１００の実質的に１つの面に配置された非線形デバイス１０２と、該非線形デバイス１０２と接続されている画素電極１０６と、電気光学媒体１１０と、該画素電極１０６に対して該電気光学媒体１１０の反対面上の共通電極１１２とを備える。該ディスプレイの様々なパーツの係数は、該ディスプレイが湾曲しているとき、中立軸または中立面が該非線形デバイス１０２の該平面に実質的に横たわっているように調製されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にマスクを形成し、マスクにスリミング処理を行い、マスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行い、絶縁膜を覆うように導電膜を形成し、導電膜および絶縁膜に研磨処理を行うことにより、導電膜および絶縁膜の厚さを等しくし、導電膜をエッチングして、導電膜より厚さの小さいソース電極およびドレイン電極を形成し、絶縁膜、ソース電極、およびドレイン電極と接する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】垂直に形成されたナノワイヤを構成要素として備える半導体素子の寄生容量増加を抑制し、動作速度時定数が改善される半導体素子を提供する。
【解決手段】導電性基板１０１の主平面と電極１０９間の層間絶縁膜を膜厚調整層１０２と保護絶縁層１０３の２層化することにより、膜密着性の乏しい低誘電率膜１０２と電極１０９を保護絶縁層１０３で隔てることによってはがれを抑制しながら、主平面１０１と電極１０９間を電気的に接続するナノワイヤ１０７と、導電性基板１０１と電極１０９の間の寄生容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にｉ型（真性）化されたものである。 （もっと読む）