【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】２桁以上高い固有抵抗値を持った酸化物絶縁膜を提供でき、適量の酸素原子を含有した酸化物半導体材料を半導体層に、酸素原子に加えて適量の炭素原子を含有した酸化物絶縁層材料をゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層に使った酸化物半導体薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化物半導体層中に、酸素原子に加えて、炭素原子を添加して酸化物絶縁膜を形成する。また、本発明に係る酸化物半導体薄膜トランジスタ素子は、酸化物材料がチャンネル半導体層に使われる酸化物半導体薄膜トランジスタ素子であって、前記酸化物絶縁膜は、前記チャンネル半導体層に使われる酸化物材料と同一材料でなり、ゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層のいずれかまたはすべてに用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、及び架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、
前記バインダー樹脂（Ａ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００以上、吸水率が０．０３重量％以上であり、前記バインダー樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）に対する、前記架橋剤（Ｃ）の分子量の比率が、０．０５以下であり、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が２１〜１５０重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されていることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び耐久性に優れ、素子特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、第１導電層は、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる１種以上の材料を含み、該第２導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、及びこれらの金属のいずれかを含む合金からなる群から選ばれる１種以上の材料を含む、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】バックチャネル部の表面のアルミニウム汚染に起因する漏れ電流を抑制を防止でき、高い信頼性と、高い歩留を実現できる構造の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】保護膜（Ａｌ₂Ｏ₃）の膜質変化に起因するＴＦＴ特性のばらつきを軽減することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１の製造プロセスにおいて、ソース・ドレイン電極１５上に、第１保護膜１６（Ａｌ₂Ｏ₃層）とＡｌ層とをこの順に、スパッタリングにより連続的に成膜する。各層のスパッタリングでは、いずれもターゲットとしてアルミニウムを用いるが、Ａｌ₂Ｏ₃層の成膜過程では、反応ガスとして使用する酸素ガスによってターゲット表面が変質し易い。その後、連続してＡｌ層を成膜する（酸素ガスを使用しないスパッタリングを行う）ことで、ターゲット表面が改質される（成膜処理の度に、ターゲット表面が改質される）。従って、成膜処理回数が増しても、保護膜における膜厚や屈折率が変化しにくい。 （もっと読む）

【課題】整流素子として用いるトランジスタの閾値電圧による出力電圧の降下が抑制された整流回路を提供する。または、入力される交流電圧の振幅が大きく変動する場合であっても、出力電圧の変動が抑制された整流回路を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電極を、容量素子を介して該トランジスタの第２の電極の後段に接続し、ゲート電極の電位を第２の電極の電位に比べて高く、且つその差が閾値電圧以上となるように保って整流素子として用いればよい。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い画素開口率と、更に広いＴＦＴ製造プロセスマージン、小さな周辺回路レイアウト面積、長い寿命、のいずれかを実現するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第１の絶縁層と、第１の電極と、を有し、第１の電極は第１の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた画素薄膜トランジスタと、基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第２の絶縁層と、第２の電極と、第３の絶縁層と、第３の電極と、を有し、第２の電極は第２の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられ、第３の電極は第３の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた薄膜トランジスタと、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、電気特性の安定性に優れた有機半導体素子の製造方法と、有機半導体素子を提供することである。
【解決手段】上記課題は、ゲート電極形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、ソース／ドレイン電極形成工程と、有機半導体膜形成工程と、有機半導体膜上に保護膜を形成する工程とを含み、前記有機半導体膜上に保護膜を形成する工程において、（ａ）炭酸プロピレン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも１つの有機溶剤と、（ｂ）有機溶剤（ａ）に可溶な有機化合物とを含有する保護膜形成液を用いて、ウェットプロセスにより前記保護膜を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものと
して、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を
有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線
上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層
と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前
記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを
特徴としている。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減させることが可能な、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを備える画像表示装置、薄膜トランジスタ及び画像表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第一基板と、当該第一基板上に設けられたゲート電極と、前記第一基板及び前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、当該半導体層上に設けられた保護膜と、前記半導体層及び前記保護膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記保護膜は、前記半導体層を設けた後に連続して設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタとしたもの。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を均一に確保できる結晶化用光マスク及びそれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶化用光マスクは、スリットが一定に配列されている一つ以上のスリット領域を含み、前記スリットはマスクの移動方向に対し一定角度で傾斜して設けられ、スリット領域は、第１の長さを有する第１部分と第１の長さよりも長い第２の長さを有する第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第１のマスクを形成し、第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、第２のマスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、絶縁層を形成し、絶縁層を覆うように酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層を覆うように導電膜を形成し、導電膜に研磨処理を行うことにより導電膜表面を平坦化し、導電膜をエッチング処理して導電層とすることにより酸化物半導体層の最上部の表面よりも導電層の表面を低くし、導電層と酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上で絶縁層と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】加速した水素イオンの照射量を増やすことなく、低い加熱処理温度で単結晶半導体基板からベース基板に半導体層を転載できるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】劈開に寄与することなく、脆化領域から半導体基板の表面側に拡散する水素に着眼した。そして、脆化領域からの水素の拡散を防ぎ、且つ脆化領域と半導体基板の表面に挟まれた領域に水素を供給できるキャップ膜を半導体基板に形成し、当該半導体基板からベース基板に半導体層を転載する発明に至った。特に、半導体基板に形成するキャップ膜の水素濃度は水素イオンの照射量以上とすればよい。 （もっと読む）

【課題】画質が明るく安価な発光装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む発光装置において、画素部および駆動回路は全てｎチャネル型の半導体素子で形成され、製造工程が簡略化されている。また、画素部に設けられた発光素子は、絶縁体から遠ざかる方向に放射されるため、ほぼ画素電極（ＥＬ素子の陰極に相当する）全体が有効発光領域となる、従って、画素電極の面積を有効に活用した表示領域とすることができ、画質が明るく安価な発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）