半導体装置の作製方法

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置及び半導体装置の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（表示装置）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
【０００４】
例えば、トランジスタの活性層として、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む非晶質酸化物を用いたトランジスタが開示されている（特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、酸化物半導体はデバイス作製工程において、電子供与体を形成する水素や水の混入などが生じると、その電気伝導度が変化する恐れがある。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる。
【０００７】
上述の問題に鑑み、酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、ハロゲンドープ処理及び酸素ドープ処理を行う。
【０００９】
開示する発明の一態様は、ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に第１の熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に第２の熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、酸化物半導体膜上に接して、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、上記において、第２の絶縁膜を覆うように、窒素を含有する第３の絶縁膜を形成する場合がある。
【００１０】
開示する発明の別の一態様は第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、酸化物半導体膜上に接して、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。また、上記において、ゲート電極を覆うように、窒素を含有する第３の絶縁膜を形成する場合がある。
【００１１】
また、上記において、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜を島状に加工する場合がある。また、酸化物半導体膜を島状に加工する工程において、少なくとも第１の絶縁膜の一部も島状に加工する場合がある。また、第１の絶縁膜と接するように第２の絶縁膜を形成する場合がある。
【００１２】
また、第１の絶縁膜または第２の絶縁膜として、酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜を形成する場合がある。また、第１の絶縁膜または第２の絶縁膜として、酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜と、酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜を積層して形成する場合がある。また、第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給する工程に代えて、第１の絶縁膜として、酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜として、酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜上に酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜を形成する場合がある。
【００１３】
また、第１の絶縁膜または第２の絶縁膜として、ガリウムを含む絶縁膜を形成する場合がある。また、第１の絶縁膜または第２の絶縁膜として、ガリウムを含む絶縁膜と、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜を形成する場合がある。また、第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給する工程に代えて、第１の絶縁膜として、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜を形成し、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜として、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜上にガリウムを含む絶縁膜を形成する場合がある。
【００１４】
また、上記のハロゲンドープ処理において、塩素を用いることが好ましい。
【００１５】
なお、本明細書において、「酸化ガリウム」の用語は、特に言及しない限り、構成元素としての酸素とガリウムを意味するものであって、酸化ガリウムの態様に限る趣旨で用いない。例えば、「酸化ガリウムを含む絶縁膜」という場合には、「酸素とガリウムを含む絶縁膜」のように読み替えることが可能である。
【００１６】
また、上記において、ゲート電極を覆うように、窒素を含有する絶縁膜を形成する場合がある。このように、上方に、水素の含有がない、または極めて少ない窒化シリコンなどを用いた絶縁膜を形成する場合には、添加された酸素が外部に放出されることを防ぎ、加えて、外部からの水素や水の混入を防ぐことが可能である。この点において、当該絶縁膜の重要性は高いといえる。
【００１７】
なお、上記の「ハロゲンドープ」とは、塩素やフッ素に代表されるハロゲンをバルクに添加することを言う。例えば、ハロゲンとして塩素を用いる場合、少なくとも、塩素ラジカル、塩素原子、塩素イオン、のいずれかをバルクに添加する。なお、当該「バルク」の用語は、ハロゲンを、薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加することを明確にする趣旨で用いている。また、「ハロゲンドープ」には、プラズマ化したハロゲンをバルクに添加する「ハロゲンプラズマドープ」が含まれる。
【００１８】
なお、上記の「酸素ドープ」とは、酸素（少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含む）をバルクに添加することを言う。なお、当該「バルク」の用語は、酸素を、薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加することを明確にする趣旨で用いている。また、「酸素ドープ」には、プラズマ化した酸素をバルクに添加する「酸素プラズマドープ」が含まれる。
【００１９】
上記の酸素ドープ処理によって、酸化物半導体膜の膜中（バルク中）、絶縁膜の膜中（バルク中）、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面、のいずれかには少なくとも化学量論比をこえる量の酸素が存在する。酸素の量は、好ましくは化学量論比の１倍を超えて４倍まで（４倍未満）、より好ましくは、１倍を超えて２倍まで（２倍未満）である。ここで、化学量論比を超える酸素過剰な酸化物とは、それが、例えば、Ｉｎ_ａＧａ_ｂＺｎ_ｃＳｉ_ｄＡｌ_ｅＭｇ_ｆＯ_ｇ（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ≧０）で表されるとき、２ｇ＞３ａ＋３ｂ＋２ｃ＋４ｄ＋３ｅ＋２ｆ、を満たす酸化物をいう。なお、酸素ドープ処理によって添加された酸素は、酸化物半導体の格子間に存在する場合もある。
【００２０】
また、少なくとも脱水化、脱水素化した後の酸化物半導体膜中の水素よりも添加される酸素の量が多くなるようにする。少なくとも上記構成のいずれかにおいて酸素の量が多ければ、それが拡散し、他の不安定性の原因の水素と反応することにより水素を固定化（非可動イオン化）することができる。すなわち、信頼性上の不安定性を減らす、または十分減らすことができる。また、酸素を過剰とすることで酸素欠損に起因するしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを低減すると共に、しきい値電圧のシフト量ΔＶｔｈを低減することができる。
【００２１】
なお、酸化物半導体膜の膜中（バルク中）、絶縁膜の膜中（バルク中）、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面、の２カ所以上に上述した量の酸素が存在するとより好ましい。
【００２２】
なお、欠陥（酸素欠損）のない酸化物半導体であれば、化学量論比に一致した量の酸素が含まれていれば良いが、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えるなどの信頼性を確保するためには、酸化物半導体には、化学量論比を超える量の酸素が含まれていることが好ましい。同様に、欠陥（酸素欠損）のない酸化物半導体であれば、下地膜を酸素過剰の絶縁膜とする必要はないが、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えるなどの信頼性を確保するためには、酸化物半導体層に酸素欠損の状態が生じ得ることを考慮して、下地膜を酸素過剰の絶縁膜とすることが好ましい。
【００２３】
ここで、上述の「酸素プラズマドープ」処理によって、バルク中に酸素が添加される様子を示す。なお、酸素を一成分として含む酸化物半導体膜中に酸素ドープ処理を行う場合、一般に、酸素濃度の増減を確認することは困難である。よって、ここでは、シリコンウエハを用いて、酸素ドープ処理の効果を確認した。
【００２４】
酸素ドープ処理は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）方式を用いて行った。その条件は、ＩＣＰ電力８００Ｗ、ＲＦバイアス電力３００Ｗまたは０Ｗ、圧力１．５Ｐａ、ガス流量７５ｓｃｃｍ、基板温度７０℃である。図１５に、ＳＩＭＳ（ＳＩＭＳ、ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析によるシリコンウエハの深さ方向の酸素濃度プロファイルを示す。図１５において、縦軸は酸素濃度を示し、横軸はシリコンウエハ表面からの深さを示す。
【００２５】
図１５より、ＲＦバイアス電力が０Ｗの場合および３００Ｗの場合のいずれにおいても、酸素が添加されていることが確認できる。それと比較して、プラズマ処理を行わない場合は酸素の添加量が少なくなっている。また、ＲＦバイアス３００Ｗの場合は、ＲＦバイアス０Ｗの場合と比較して、酸素がより深く添加されることが確認できる。
【００２６】
次に、酸素ドープ処理を行う前と、酸素ドープを行った後のシリコンウエハの断面をＳＴＥＭ（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した結果を図１６に示す。図１６（Ａ）は、酸素ドープ処理を行う前のＳＴＥＭ像であり、図１６（Ｂ）は、上述のＲＦバイアス電力３００Ｗの条件で酸素ドープ処理を行った後のＳＴＥＭ像である。図１６（Ｂ）に示すように、酸素ドープを行うことによって、シリコンウエハに酸素高ドープ領域が形成されていることが確認できる。
【００２７】
以上のように、シリコンウエハに対して酸素ドープを行うことで、シリコンウエハに酸素が添加されることが示された。この結果により、酸化物半導体膜に対して酸素ドープを行うことによっても、酸化物半導体膜に酸素を当然に添加できることが理解できる。
【００２８】
開示する発明の一態様である上述の構成の効果は、次のように考えると理解が容易である。ただし、以下の説明は、あくまでも一考察に過ぎないことを付記する。
【００２９】
ゲート電極にプラスの電圧を印加すると、酸化物半導体膜のゲート電極側からバックチャネル側（ゲート絶縁膜と反対側）へ電界が発生するため、酸化物半導体膜中に存在するプラスの電荷を有する水素イオンがバックチャネル側へ移動して、酸化物半導体膜と絶縁膜との界面のうち酸化物半導体膜側へと蓄積する。蓄積した水素イオンから絶縁膜中の電荷捕獲中心（水素原子、水、あるいは汚染物等）へプラスの電荷が移動することによって、酸化物半導体膜のバックチャネル側にはマイナスの電荷が蓄積される。すなわち、トランジスタのバックチャネル側に寄生チャネルが発生して、しきい値電圧がマイナス側にシフトし、トランジスタがノーマリーオンの傾向を示す。
【００３０】
上記の通り、絶縁膜中の水素または水等の電荷捕獲中心がプラスの電荷を捕獲し、絶縁膜中へプラスの電荷が移動することによってトランジスタの電気的特性が変動するため、トランジスタの電気的特性の変動を抑制するためには、絶縁膜中にこれらの電荷捕獲中心が存在しない、またはその含有量が少ないことが重要である。したがって、絶縁膜の成膜には、成膜時に水素含有量が少ないスパッタ法を用いるのが望ましい。スパッタ法により成膜された絶縁膜は、その膜中に電荷捕獲中心が存在しない、または少なく、ＣＶＤ法等によって成膜した場合と比較してプラスの電荷の移動が起こりにくい。よって、トランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制し、トランジスタをノーマリーオフとすることができる。
【００３１】
なお、トップゲート型のトランジスタにおいては、下地となる絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、熱処理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる水または水素を除去すると同時に、絶縁膜中に含まれる水または水素をも除去することができる。よって、絶縁膜中には、酸化物半導体膜中を移動してきたプラスの電荷を捕獲するための電荷捕獲中心が少ない。このように、酸化物半導体膜への脱水化または脱水素化のための熱処理は、酸化物半導体膜に加えて、酸化物半導体膜の下層に存在する絶縁膜に対しても行われるため、トップゲート型のトランジスタにおいては、下地となる絶縁膜はプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法を用いて成膜されていても構わない。
【００３２】
また、ボトムゲート型のトランジスタにおいては、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、熱処理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる水または水素を除去すると同時に、ゲート絶縁膜中に含まれる水または水素をも除去することができる。よって、ゲート絶縁膜中には、酸化物半導体膜中を移動してきたプラスの電荷を捕獲するための電荷捕獲中心が少ない。このように、酸化物半導体膜への脱水化または脱水素化のための熱処理は、酸化物半導体膜に加えて、酸化物半導体膜の下層に存在するゲート絶縁膜に対しても行われるため、ボトムゲート型のトランジスタにおいては、ゲート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法を用いて形成されていても構わない。
【００３３】
また、ゲート電極にマイナスの電圧を印加すると、バックチャネル側からゲート電極側へ電界が発生するため、酸化物半導体膜中に存在する水素イオンがゲート絶縁膜側へ移動して、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面のうち酸化物半導体膜側へと蓄積する。また、これによりトランジスタのしきい値電圧はマイナス側へシフトする。
【００３４】
なお、ゲート電圧を０として放置すると、電荷捕獲中心からプラスの電荷が解放され、トランジスタのしきい値電圧がプラス側へシフトして、初期状態に戻る、または、場合によっては初期状態よりもプラス側へシフトする。この現象は、酸化物半導体膜中に移動しやすいイオンが存在していることを示唆しており、最も移動しやすいイオンは、最も小さい原子である水素がイオン化した水素イオンであると考察することができる。
【００３５】
また、酸化物半導体膜が光を吸収することによって、光エネルギーによって酸化物半導体膜中の金属元素（Ｍ）と水素原子（Ｈ）との結合（Ｍ−Ｈ結合とも表記する）が切れる。なお、波長が４００ｎｍ前後の光エネルギーと、金属元素及び水素原子の結合エネルギーと、は概略一致している。酸化物半導体膜中の金属元素と水素原子との結合が切れたトランジスタに負のゲートバイアスを加えると、金属元素から脱離した水素イオンがゲート電極側に引き寄せられるため電荷の分布が変化し、トランジスタのしきい値電圧はマイナス側にシフトして、ノーマリーオンの傾向を示す。
【００３６】
なお、トランジスタへの光照射と負のゲートバイアスの印加によってゲート絶縁膜界面に移動した水素イオンは、電圧の印加を停止すると元に戻る。これは、酸化物半導体膜中のイオンの移動の代表的な例として理解できる。
【００３７】
このような、電圧印加による電気的特性の変動（ＢＴ劣化）または光照射による電気的特性の変動（光劣化）への対策は、酸化物半導体膜から水素原子または水などの水素原子を含む不純物を徹底的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化することが最も重要である。電荷密度が１０^１５ｃｍ^−３、つまり、単位面積あたりの電荷が１０^１０ｃｍ^−２の場合、その電荷はトランジスタ特性に影響しないまたは影響するとしてもごく僅かである。よって、電荷密度は１０^１５ｃｍ^−３以下であることが望ましい。仮に、酸化物半導体膜に含まれる水素のうち、１０％の水素が酸化物半導体膜中で移動する場合、酸化物半導体膜に含まれる水素の濃度は１０^１６ｃｍ^−３以下であることが望ましい。さらに、デバイス完成後に水素が外部より侵入するのを防ぐために、スパッタ法によって成膜した窒化シリコン膜をパッシベーション膜として用い、トランジスタを覆うのが好ましい。
【００３８】
さらに、酸化物半導体膜中に含まれる水素に対して、過剰な酸素をドープする（（水素原子の数）＜＜（酸素ラジカルの数）または、（酸素イオンの数）とする）ことで、酸化物半導体膜から水素または水を排除することができる。具体的には、高周波（ＲＦ）を用いて酸素をプラズマ化し、基板バイアスを大きくして、酸素ラジカル、酸素イオンを基板上の酸化物半導体膜へドープまたは添加し、酸化物半導体膜中では残存する水素よりも酸素を多くする。酸素の電気陰性度は３．０と、電気陰性度が約２．０である酸化物半導体膜中の金属（Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ）よりも大きいため、水素に対して酸素を過剰に含有させることで、Ｍ−Ｈ結合より水素原子を奪い、ＯＨ基を形成する。なお、このＯＨ基は、Ｍと結合してＭ−Ｏ−Ｈ基を形成しうる。
【００３９】
なお、酸化物半導体膜の酸素の含有量が、化学量論比よりも過剰となるように酸素をドープするのがより好ましい。例えば、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体膜を用いる場合、酸素のドープなどによって酸素の比率を化学量論比の１倍を超えて２倍まで（２倍未満）とするのがより好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の単結晶の化学量論比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４とすると、組成がＩｎＧａＺｎＯ_ｘで表される酸化物半導体薄膜において、Ｘは４を超えて８未満とするのがより好ましい。よって、酸化物半導体膜において酸素の含有量は水素の含有量より大きくなる。
【００４０】
光エネルギーやＢＴストレスによって、Ｍ−Ｈ結合から水素イオンが脱離して劣化の原因となるが、上述のドープによって酸素を注入する場合、注入された酸素が水素イオンと結合してＯＨ基となる。ＯＨ基は、結合エネルギーが大きいため、トランジスタに光照射やＢＴストレスが加えられても水素イオンを放出せず、また、水素イオンより質量も大きいため、酸化物半導体膜中を移動しにくい。よって、酸素のドープに起因して形成されるＯＨ基は、トランジスタの劣化の原因にならないか、または劣化の原因を減らすことができる。
【００４１】
なお、酸化物半導体膜の膜厚を大きくする程、トランジスタのしきい値電圧のばらつきが大きくなる傾向が確認されている。これは、酸化物半導体膜中の酸素欠陥がしきい値電圧の変動の一因であり、膜厚が大きくなるほど該酸素欠陥が増加するためと推測できる。開示する発明の一態様に係るトランジスタにおいて酸化物半導体膜に酸素をドープする工程は、酸化物半導体膜からの水素または水の排除のみでなく、膜中の酸素欠陥の補填に対しても有効である。よって、本発明の一態様に係るトランジスタは、しきい値電圧のばらつきも制御することができる。
【００４２】
また、酸化物半導体膜を挟んで、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を設ける構成も、電気的特性の変動防止に効果的である。酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜として、具体的には、酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素の酸化物を含む膜を用いるのが好ましい。このような材料は酸化物半導体膜との相性が良く、酸化物半導体膜を挟んで該金属酸化物膜を設けることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができる。つまり、上述の材料を用いた金属酸化物膜を、酸化物半導体膜と接する絶縁膜として設けることで、該金属酸化物膜と酸化物半導体膜との界面及びその近傍への水素イオンの蓄積を抑制または防止することができる。したがって、酸化物半導体膜を挟んで、例えば酸化シリコン膜等の酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜を設けた場合と比較して、トランジスタのしきい値電圧に影響を与える酸化物半導体膜界面の水素濃度を十分に低減することができる。
【００４３】
なお、該金属酸化物膜としては、酸化ガリウム膜を用いるのが好ましい。酸化ガリウムは、バンドギャップ（Ｅｇ）が大きいので、酸化ガリウム膜によって酸化物半導体膜を挟むことで、酸化物半導体膜と金属酸化物膜との界面において、エネルギー障壁が形成され、その界面においてキャリアの移動は妨げられる。したがって、キャリアは酸化物半導体から金属酸化物に移動することなく、酸化物半導体膜中を移動する。一方、水素イオンは、酸化物半導体と金属酸化物との界面を通過して、金属酸化物と絶縁膜との界面付近に蓄積する。仮に、絶縁膜との界面近傍に水素イオンが蓄積されたとしても、金属酸化物膜としての酸化ガリウム膜にはキャリアが流れうる寄生チャネルが形成されないため、トランジスタのしきい値電圧への影響を与えない、またはその影響が極めて少ない。なお、酸化ガリウムとＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を接触させた場合のエネルギー障壁は、伝導帯側で約０．８ｅＶとなり、価電子帯側で約０．９ｅＶとなる。
【００４４】
開示する発明の一態様に係るトランジスタは、酸素ドープ処理によって、酸化物半導体膜に接する絶縁膜中、酸化物半導体膜中、またはこれらの界面近傍の少なくともいずれか一に酸素の含有量を増大させることを技術思想とするものである。
【００４５】
さらに、酸化物半導体膜の形成前に、酸化物半導体膜が上に形成される絶縁膜に対して、ハロゲンドープ処理を行うことにより、当酸化物半導体膜からさらに水素を排除することができる。例えば、ハロゲンとして塩素を用いる場合、高周波（ＲＦ）を用いて塩素をプラズマ化し、塩素ラジカル、塩素イオンを基板上の絶縁膜へ添加する。この時、絶縁膜が形成される基板にバイアスを印加すると好ましい。基板に印加するバイアスを大きくすることで、より深くまで塩素を添加することができる。また、電界で加速したハロゲンイオンを照射して、ハロゲンを添加してもよい。また、ハロゲンと同時に酸素を添加してもよい。
【００４６】
塩素やフッ素などのハロゲンは、酸化物半導体膜中の金属（Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ）よりも電気陰性度が大きいため、酸化物半導体膜中のＭ−Ｈ結合から水素原子を奪うことができる。このようにして、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面に添加された塩素やフッ素などのハロゲンは、トランジスタの劣化の原因となる酸化物半導体膜中のＭ−Ｈ結合から脱離した水素イオンを、捕獲することができる。さらに、絶縁膜中の塩素やフッ素などのハロゲンは、該絶縁膜中の水素を固定化し、該絶縁膜中から酸化物半導体膜中への水素の拡散を防ぐことができる。よって、トランジスタに光照射が行われ、またはＢＴストレスが与えられても、トランジスタ特性の劣化は抑制され、または低減される。
【００４７】
開示する発明の一態様に係るトランジスタは、ハロゲンドープ処理によって、酸化物半導体膜に接する絶縁膜中、または当該絶縁膜と酸化物半導体膜との界面近傍の少なくともいずれか一に塩素に代表されるハロゲンを添加することを技術思想とするものである。
【発明の効果】
【００４８】
熱処理による脱水化または脱水素化処理、ハロゲンドープ処理、および、酸素ドープ処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、安定した電気特性を有する信頼性の高いトランジスタが実現できる。
【００４９】
また、開示する発明の一態様により、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する様々な半導体装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】半導体装置の一形態を説明する図。
【図２】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図３】半導体装置の一形態を説明する図。
【図４】半導体装置の一形態を説明する図。
【図５】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図６】半導体装置の一形態を説明する図。
【図７】半導体装置の断面図、上面図及び回路図。
【図８】半導体装置の一形態を説明する図。
【図９】半導体装置の一形態を説明する図。
【図１０】半導体装置の一形態を説明する図。
【図１１】半導体装置の一形態を説明する図。
【図１２】半導体装置の一態様を説明する図。
【図１３】電子機器を示す図。
【図１４】電子機器を示す図。
【図１５】ＳＩＭＳの測定結果を示す図である。
【図１６】断面ＳＴＥＭ像を説明する図である。
【図１７】プラズマ装置の上面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００５２】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００５３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置および半導体装置の作製方法について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００５４】
〈半導体装置の構成例〉
図１には、トランジスタ１２０の構成例を示す。ここで、図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）はそれぞれ、図１（Ａ）におけるＡ−Ｂ断面およびＣ−Ｄ断面に係る断面図である。なお、図１（Ａ）では煩雑になることを避けるため、トランジスタ１２０の構成要素の一部（例えば、絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂなど）を省略している。
【００５５】
図１に示すトランジスタ１２０は、基板１００上のゲート電極１１２、ゲート絶縁膜１０２ａ、ゲート絶縁膜１０２ｂ、酸化物半導体膜１０８、ソース電極１０４ａ、ドレイン電極１０４ｂ、絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂを含む。
【００５６】
図１に示すトランジスタ１２０において、酸化物半導体膜１０８は、酸素ドープ処理が行われた酸化物半導体膜である。酸素ドープ処理が行われることにより、信頼性が高められたトランジスタ１２０が実現する。
【００５７】
さらに、図１に示すトランジスタ１２０においては、ゲート絶縁膜１０２ａに対してハロゲンドープ処理が行われている。このようなハロゲンドープ処理によって、さらに信頼性が高められたトランジスタ１２０が実現する。
【００５８】
〈半導体装置の作製工程例〉
以下、図２を用いて、図１に示す半導体装置の作製工程の一例を説明する。
【００５９】
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程によりゲート電極１１２を形成する（図２（Ａ）参照）。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
【００６０】
基板１００の材質等に大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐える程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板１００として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１００として用いてもよい。
【００６１】
また、基板１００として、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板上にトランジスタを設ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込むことができる。また、他の基板にトランジスタを形成した後、これを剥離し、可撓性基板に転置しても良い。なお、トランジスタを剥離し、可撓性基板に転置するためには、上記他の基板とトランジスタとの間に剥離層を形成すると良い。
【００６２】
下地膜となる絶縁膜を基板１００とゲート電極１１２との間に設けてもよい。下地膜は、基板１００からの不純物元素の拡散を防止する機能を有し、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。
【００６３】
また、ゲート電極１１２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
【００６４】
次いで、ゲート電極１１２上にゲート絶縁膜１０２ａを形成する（図２（Ａ）参照）。
【００６５】
ゲート絶縁膜１０２ａには、後に形成される酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁材料を用いることが好ましい。ゲート絶縁膜１０２ａは、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又はこれらの混合材料を用いて単層で又は積層して形成することができる。ただし、トランジスタのゲート絶縁膜として機能することを考慮して、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート、窒素が添加されたハフニウムアルミネート、などの比誘電率が高い材料を採用しても良い。なお、水素や水などが混入しにくいという点では、スパッタリング法が好適である。
【００６６】
次に、ゲート絶縁膜１０２ａに対して、ハロゲン１８０による処理（ハロゲンドープ処理や、ハロゲンプラズマドープ処理ともいう）を行い、ゲート絶縁膜１０２ａ中にハロゲンを含有させる（図２（Ｂ）参照）。ハロゲン１８０は、塩素やフッ素などを用いることができる。塩素やフッ素などのハロゲンは電気陰性度が大きいため、トランジスタの劣化の原因となる水素イオンを、捕獲することができる。また、酸化物半導体膜１０８が上に形成されるゲート絶縁膜１０２ａに塩素などのハロゲンを含有させることで、ゲート絶縁膜１０２ａ中の水素を固定化し、ゲート絶縁膜１０２ａ中から酸化物半導体膜１０８中への水素の拡散を防ぐことができる。よって、トランジスタに光照射が行われ、またはＢＴストレスが与えられても、トランジスタ特性の劣化は抑制され、または低減される。
【００６７】
ここで、塩素は、フッ素に比べて原子半径が大きく、拡散係数が小さいので、水素イオンをゲート絶縁膜１０２ａ中に固定しやすい。特に後に行う加熱処理の際に、塩素の方がフッ素より動きにくいので、より効果的に水素イオンを捕獲しておくことができる。よって、ハロゲン１８０としては、塩素を用いるのが好ましい。本実施の形態においてはハロゲン１８０として塩素を用いる。ハロゲン１８０として塩素を用いる場合、ハロゲン１８０には、少なくとも、塩素ラジカル、塩素原子、塩素イオン、のいずれかが含まれている。
【００６８】
上述のハロゲン１８０は、プラズマ発生装置やオゾン発生装置によって発生させることができる。より具体的には、例えば、半導体装置に対してエッチング処理を行うことができる装置や、レジストマスクに対してアッシングを行うことができる装置などを用いてハロゲン１８０を発生させ、ゲート絶縁膜１０２ａを処理することができる。なお、ハロゲンの添加は、ゲート絶縁膜１０２ａの表面に与えるダメージが最小限となる条件で行うことが好ましい。
【００６９】
なお、ハロゲンの添加をより好適に行うためには、基板には電気的なバイアスを加えておくことが望ましい。基板に印加するバイアスを大きくすることで、より深くまでハロゲンを添加することができる。
【００７０】
ＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）装置を用いて塩素を添加する場合、プラズマ発生源であるＩＣＰコイルに１ｋＷ以上１０ｋＷ以下の高周波電源を印加し、プラズマを発生させた状態を一定時間（３０秒以上６００秒以下）維持することが好ましい。例えば、ＩＣＰパワー６０００Ｗ、バイアスパワー２５０Ｗ、塩素ガス流量を５００ｓｃｃｍ、処理室内の圧力を１．３Ｐａ、処理時間６０秒、という条件で塩素ドープ処理を行えばよい。
【００７１】
また、電界で加速したハロゲンイオンを照射して、ハロゲンを添加してもよい。
【００７２】
また、塩素に代表されるハロゲンと同時に酸素を添加しても良い。
【００７３】
次いで、ゲート絶縁膜１０２ａ上にゲート絶縁膜１０２ｂを形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００７４】
ゲート絶縁膜１０２ｂには、後に形成される酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料を用いると特に好ましい。このような材料は酸化物半導体膜との相性が良く、これをゲート絶縁膜１０２ｂに用いることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができるからである。ここで、「酸化物半導体膜と同種の成分」とは、酸化物半導体膜の構成金属元素から選択される一または複数の元素を含むことを意味する。例えば、酸化物半導体膜がＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料によって構成される場合、同種の成分でなる絶縁材料としては酸化ガリウムなどがある。
【００７５】
また、図２（Ｃ）で示すように、ゲート絶縁膜を、酸化物半導体膜とは異なる材料を含むゲート絶縁膜１０２ａと、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜１０２ｂとの積層構造とすることがより好ましい。ゲート絶縁膜１０２ａ、ゲート絶縁膜１０２ｂおよび酸化物半導体膜の順に積層した構造とすることで、電荷はゲート絶縁膜１０２ａとゲート絶縁膜１０２ｂとの界面の電荷捕獲中心に優先的に捕獲される（酸化物半導体膜とゲート絶縁膜１０２ｂとの界面との比較）ため、酸化物半導体膜の界面での電荷捕獲を十分に抑制することができるようになり、半導体装置の信頼性が向上するためである。また、ゲート絶縁膜１０２ａに上述のハロゲンドープ処理を行うことによって、電荷をゲート絶縁膜１０２ａとゲート絶縁膜１０２ｂとの界面の電荷捕獲中心にさらに優先的に捕獲することができる。
【００７６】
なお、このようなゲート絶縁膜１０２ａとゲート絶縁膜１０２ｂの積層構造としては、酸化ガリウム膜と酸化シリコン膜の積層構造や、酸化ガリウム膜と窒化シリコン膜との積層構造などを適用することができる。
【００７７】
なお、図１に示すトランジスタ１２０では、ゲート絶縁膜を、酸化物半導体膜とは異なる材料を含むゲート絶縁膜１０２ａと酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料からなるゲート絶縁膜１０２ｂとの積層構造としているが、これに限られるものではない。例えば、ゲート絶縁膜を、酸化物半導体膜とは異なる材料を含むゲート絶縁膜１０２ａと酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料からなるゲート絶縁膜１０２ｂのいずれかで形成する構造としても良い。
【００７８】
また、μ波（例えば周波数２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので、ゲート絶縁膜１０２ａ、ゲート絶縁膜１０２ｂの形成に用いると好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁膜とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。
【００７９】
次に、ゲート絶縁膜１０２ｂ上に、ゲート電極１１２と重畳するように酸化物半導体膜１０８を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００８０】
酸化物半導体膜は、水素や水などが混入しにくい方法で作製するのが望ましい。例えば、スパッタリング法などを用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜の厚さは、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜を厚くしすぎると（例えば、膜厚を５０ｎｍ以上）、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。
【００８１】
酸化物半導体膜に用いる材料としては、例えば、インジウムを含有する酸化物半導体材料や、インジウムおよびガリウムを含有する酸化物半導体材料などがある。
【００８２】
また、酸化物半導体膜に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料や、一元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｏ系の材料などがある。また、上記の材料にＳｉＯ_２を含ませてもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでいてもよい。
【００８３】
また、酸化物半導体膜は、化学式ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用いた薄膜とすることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＭｎ、またはＧａおよびＣｏなどを用いることができる。
【００８４】
本実施の形態では、酸化物半導体膜を、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体成膜用ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。
【００８５】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体成膜用ターゲットとしては、例えば、組成比として、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の酸化物半導体成膜用ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料および組成を上述に限定する必要はない。例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比の酸化物半導体成膜用ターゲットを用いることもできる。
【００８６】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１５：１〜１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）とする。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【００８７】
酸化物半導体成膜用ターゲットの充填率は、９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下とする。充填率の高い酸化物半導体成膜用ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜とすることができるためである。
【００８８】
成膜の雰囲気は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの水素原子を含む不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。
【００８９】
より具体的には、例えば、酸化物半導体膜は次のように形成することができる。
【００９０】
まず、減圧状態に保持された成膜室内に基板１００を保持し、基板温度を１００℃以上６００℃以下好ましくは２００℃以上４００℃以下とする。基板１００が加熱された状態で成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができるためである。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができるためである。
【００９１】
次に、成膜室内の残留水分を除去しつつ、水素および水などの水素原子を含む不純物が十分に除去された高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板１００上に酸化物半導体膜を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを用いることが望ましい。また、排気手段は、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水（Ｈ_２Ｏ）などの水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）などが除去されているため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【００９２】
成膜条件の一例として、基板とターゲットの間との距離を１００ｍｍ、圧力を０．６Ｐａ、直流（ＤＣ）電源を０．５ｋＷ、成膜雰囲気を酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気とすることができる。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時の粉状物質（パーティクル、ごみともいう）の発生を軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。
【００９３】
その後、酸化物半導体膜１０８に対して熱処理を行う。この熱処理によって酸化物半導体膜１０８中の、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去し、酸化物半導体膜の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。上記熱処理の温度は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは４５０℃以上６００℃以下、または基板の歪み点未満とする。
【００９４】
熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜１０８は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。
【００９５】
熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導、または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、ＧＲＴＡ（ＧａｓＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（ＬａｍｐＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。
【００９６】
例えば、上記熱処理として、熱せられた不活性ガス雰囲気中に被処理物を投入し、数分間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すＧＲＴＡ処理を行ってもよい。ＧＲＴＡ処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、酸素を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において熱処理を行うことで、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである。
【００９７】
なお、不活性ガス雰囲気としては、窒素、または希ガス（ヘリウム、ネオン、アルゴン等）を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（すなわち、不純物濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とする。
【００９８】
ところで、上述の熱処理には水素や水などを除去する効果があるから、当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該脱水化処理や、脱水素化処理は、例えば、酸化物半導体膜を島状に加工する前などのタイミングにおいて行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず複数回行っても良い。また、上述のハロゲンドープ処理において、ゲート絶縁膜１０２ａなどに混入した水素なども当該熱処理で除去することができる。
【００９９】
次に、当該酸化物半導体膜１０８を加工して島状の酸化物半導体膜１０８を形成する（図２（Ｄ）参照）。
【０１００】
酸化物半導体膜１０８の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体膜上に形成した後、当該酸化物半導体膜をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
【０１０１】
また、このとき酸化物半導体膜１０８と共に、酸化物半導体膜１０８と同種の成分でなる絶縁材料を用いているゲート絶縁膜１０２ｂをエッチングし、ゲート絶縁膜１０２ｂを島状に加工しても良い。
【０１０２】
なお、酸化物半導体膜１０８およびゲート絶縁膜１０２ｂのエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
【０１０３】
なお、酸化物半導体膜１０８は必ずしも島状に加工しなくてもよい。
【０１０４】
次に、酸化物半導体膜１０８に対して、酸素１８２による処理（酸素ドープ処理や、酸素プラズマドープ処理ともいう）を行う（図２（Ｅ）参照）。ここで、酸素１８２には、少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかが含まれている。酸化物半導体膜１０８に酸素ドープ処理を行うことにより、酸化物半導体膜１０８中、酸化物半導体膜１０８界面近傍、または、酸化物半導体膜１０８中および該界面近傍に酸素を含有させることができる。この場合、酸素の含有量は、酸化物半導体膜１０８の化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の１倍を超えて２倍まで（１倍より大きく２倍未満）、とする。あるいは、酸素の含有量は、単結晶の場合の酸素の量をＹとして、Ｙを超える程度、好ましくは、Ｙを超えて２Ｙまでとすることもできる。あるいは、酸素の含有量は、酸素ドープ処理を行わない場合の酸化物半導体膜中の酸素の量Ｚを基準として、Ｚを超える程度、好ましくは、Ｚを超えて２Ｚまでとすることもできる。なお、上述の好ましい範囲に上限が存在するのは、酸素の含有量を多くしすぎると、水素吸蔵合金（水素貯蔵合金）のように、酸化物半導体膜１０８が水素を取り込んでしまう恐れがあるためである。なお、酸化物半導体膜において酸素の含有量は水素の含有量より大きくなる。
【０１０５】
結晶構造がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表現される材料の場合、例えば、ｍ＝１（ＩｎＧａＺｎＯ_４）の結晶構造を基準にすれば、ＩｎＧａＺｎＯ_ｘにおいてｘは４を越えて８まで、また、ｍ＝２（ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５）の結晶構造を基準にすれば、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_ｘにおいてｘは５を越えて１０まで、が許容される。なお、このような酸素過剰領域は、酸化物半導体の一部（界面を含む）に存在していればよい。
【０１０６】
なお、酸化物半導体膜において、酸素は主たる成分材料の一つである。このため、酸化物半導体膜中の酸素濃度を、ＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）などの方法を用いて、正確に見積もることは難しい。つまり、酸化物半導体膜に酸素が意図的に添加されたか否かを判別することは困難であるといえる。
【０１０７】
ところで、酸素には^１７Ｏや^１８Ｏといった同位体が存在し、自然界におけるこれらの存在比率はそれぞれ酸素原子全体の０．０３７％、０．２０４％程度であることが知られている。つまり、酸化物半導体膜中におけるこれら同位体の濃度は、ＳＩＭＳなどの方法によって見積もることができる程度になるから、これらの濃度を測定することで、酸化物半導体膜中の酸素濃度をより正確に見積もることが可能な場合がある。よって、これらの濃度を測定することで、酸化物半導体膜に意図的に酸素が添加されたか否かを判別しても良い。
【０１０８】
例えば、^１８Ｏの濃度を基準に用いると、酸化物半導体膜において、酸素が添加された領域における酸素の同位体の濃度Ｄ１（^１８Ｏ）と、酸素が添加されていない領域における酸素の同位体の濃度Ｄ２（^１８Ｏ）との間には、Ｄ１（^１８Ｏ）＞Ｄ２（^１８Ｏ）が成立するといえる。
【０１０９】
また、酸化物半導体膜に添加される酸素１８２の少なくとも一部は、酸化物半導体中において不対結合手を有することが好ましい。不対結合手を有することにより、膜中に残存する水素と結合して、水素を固定化（非可動イオン化）することができるためである。
【０１１０】
上述の酸素１８２は、プラズマ発生装置やオゾン発生装置によって発生させることができる。より具体的には、例えば、半導体装置に対してエッチング処理を行うことができる装置や、レジストマスクに対してアッシングを行うことができる装置などを用いて酸素１８２を発生させ、酸化物半導体膜１０８を処理することができる。また、電界で加速した酸素イオンを照射して、酸素を添加してもよい。
【０１１１】
なお、酸素の添加をより好適に行うためには、基板には電気的なバイアスを加えておくことが望ましい。
【０１１２】
なお、酸素ドープ処理を行った後の酸化物半導体膜１０８に熱処理を行うのが望ましい。当該熱処理の温度は、２５０℃以上７００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下、または基板の歪み点未満とする。
【０１１３】
当該熱処理により、水素と酸化物半導体材料との反応によって生成された水、水酸化物（ＯＨ）などを酸化物半導体膜から除去することができる。また、上述の酸素ドープ処理において、酸化物半導体膜１０８などに混入した水素なども当該熱処理で除去することができる。熱処理は、水、水素などが十分に低減された窒素、酸素、超乾燥空気（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウンレーザー分光法）方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で−５５℃）以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）などの雰囲気下で行えばよく、特に酸素を含む雰囲気で行うことが好ましい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度は、６Ｎ（９９．９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下）とするのが好ましく、７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を０．１ｐｐｍ以下）とすると、より好ましい。
【０１１４】
また、酸素ドープ処理と熱処理を繰り返して行っても良い。当該処理を繰り返して行うことにより、トランジスタの信頼性をさらに高めることができる。なお、繰り返しの回数は適宜設定することができる。
【０１１５】
本実施の形態に係る上記の熱処理においては、酸素を含む雰囲気下で酸化物半導体膜１０８を加熱するのが望ましい。したがって、上述の脱水化（または脱水素化）処理によって減少してしまう可能性のある酸素を、酸化物半導体膜１０８へ供給することも可能である。この意味において、当該熱処理を、加酸化（加酸素化）と呼ぶこともできる。
【０１１６】
なお、加酸化を目的とする熱処理のタイミングは、酸化物半導体膜１０８の形成後であれば特に限定されない。例えば、後述する絶縁膜１１０ａの形成後に加酸化を目的とする熱処理を行っても良い。または、ゲート電極の形成後に加酸化を目的とする熱処理を行っても良い。または、脱水化等を目的とする熱処理に続けて加酸化を目的とする熱処理を行っても良いし、脱水化等を目的とする熱処理に加酸化を目的とする熱処理を兼ねさせても良いし、加酸化を目的とする熱処理に脱水化等を目的とする熱処理を兼ねさせても良い。
【０１１７】
上述のように、脱水化等を目的とする熱処理と、酸素ドープ処理または加酸化を目的とする熱処理とを適用することで、酸化物半導体膜１０８を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。高純度化された酸化物半導体膜１０８中にはドナーに由来するキャリアが極めて少ない（ゼロに近い）。このような熱処理によって不純物を低減し、ｉ型（真性半導体）またはｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実現することができる。
【０１１８】
なお、本実施の形態においては、脱水化等を目的とする熱処理を行い、酸化物半導体膜１０８を島状に加工し、酸素ドープ処理を行い、加酸化を目的とする熱処理を行ったが、これらの工程はこの順番に限られるものではない。
【０１１９】
次いで、ゲート絶縁膜１０２ａ、ゲート絶縁膜１０２ｂおよび酸化物半導体膜１０８上に、ソース電極およびドレイン電極（これと同じ層で形成される配線を含む）を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂを形成する（図２（Ｆ）参照）。なお、ここで形成されるソース電極１０４ａの端部とドレイン電極１０４ｂの端部との間隔によって、トランジスタのチャネル長Ｌが決定されることになる。
【０１２０】
ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等がある。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側または上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた導電膜を用いても良い。
【０１２１】
また、ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂに用いる導電膜は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１２２】
導電膜の加工は、レジストマスクを用いたエッチングによって行うことができる。当該エッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦレーザ光などを用いるとよい。
【０１２３】
なお、チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場合には、例えば、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Ｌを微細化することが可能であり、回路の動作速度を高めることができる。
【０１２４】
また、いわゆる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有する形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
【０１２５】
次に、酸化物半導体膜１０８の一部と接し、かつ、ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂを覆う絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂを形成する（図２（Ｆ）参照）。
【０１２６】
絶縁膜１１０ａは、ゲート絶縁膜１０２ｂと同様に形成することができる。すなわち、絶縁膜１１０ａは、酸化物半導体膜１０８と同種の成分でなる絶縁材料を用いると特に好ましい。このような材料は酸化物半導体膜との相性が良く、これを絶縁膜１１０ａに用いることで、酸化物半導体膜１０８との界面の状態を良好に保つことができるからである。例えば、酸化物半導体膜１０８がＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料によって構成される場合、同種の成分でなる絶縁材料としては酸化ガリウムなどがある。
【０１２７】
また、絶縁膜１１０ａは酸素を含有していることが好ましく、化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の１倍を超えて２倍まで（１倍より大きく２倍未満）酸素を含有していることが好ましい。このように絶縁膜１１０ａが過剰な酸素を有することにより、酸化物半導体膜１０８および酸化物半導体膜１０８との界面に酸素を供給し、酸素の欠損を低減することができる。
【０１２８】
また、絶縁膜１１０ｂは、ゲート絶縁膜１０２ａと同様に形成することができる。すなわち、絶縁膜１１０ｂは、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又はこれらの混合材料を用いて単層で又は積層して形成することができる。
【０１２９】
また、絶縁膜１１０ｂは酸素を含有していることが好ましく、化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の１倍を超えて２倍まで（１倍より大きく２倍未満）酸素を含有していることが好ましい。このように絶縁膜１１０ｂが過剰な酸素を有することにより、酸化物半導体膜１０８および酸化物半導体膜１０８との界面に酸素を供給し、酸素の欠損を低減することができる。
【０１３０】
ここで、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜１１０ａと、酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁膜１１０ｂとの積層構造とすることがより好ましい。酸化物半導体膜１０８、絶縁膜１１０ｂ、および絶縁膜１１０ａの順に積層した構造とすることで、電荷は絶縁膜１１０ａと絶縁膜１１０ｂとの界面の電荷捕獲中心に優先的に捕獲される（酸化物半導体膜と絶縁膜１１０ａとの界面との比較）ため、酸化物半導体膜の界面での電荷捕獲を十分に抑制することができるようになり、半導体装置の信頼性が向上するためである。
【０１３１】
なお、このような絶縁膜１１０ａと絶縁膜１１０ｂの積層構造としては、酸化ガリウム膜と酸化シリコン膜の積層構造や、酸化ガリウム膜と窒化シリコン膜との積層構造などを適用することができる。
【０１３２】
なお、図１に示すトランジスタ１２０では、絶縁膜を、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜１１０ａと、酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁膜１１０ｂとの積層構造としているが、これに限られるものではない。例えば、絶縁膜を、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜１１０ａと、酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁膜１１０ｂのいずれかで形成する構造としても良い。
【０１３３】
なお絶縁膜１１０ａまたは絶縁膜１１０ｂは、ゲート絶縁膜１０２ａまたはゲート絶縁膜１０２ｂと接するように形成することが好ましい。このように絶縁膜１１０ａまたは絶縁膜１１０ｂを形成することにより、酸化物半導体膜１０８全体を覆うことができるので、酸化物半導体膜１０８および酸化物半導体膜１０８との界面により効果的に酸素を供給し、酸素の欠損を低減することができる。
【０１３４】
以上の工程でトランジスタ１２０が形成される。
【０１３５】
なお、上述の説明は、島状に加工され高純度化された酸化物半導体膜１０８に対して酸素ドープ処理を行う例についてのものだが、開示する発明の一態様はこれに限定されない。例えば、高純度化および酸素ドープ処理を行った後に、酸化物半導体膜を島状に加工しても良いし、ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂを形成した後に酸素ドープ処理を行っても良い。
【０１３６】
〈半導体装置の変形例〉
図３（Ａ）乃至図３（Ｆ）には、図１に示すトランジスタ１２０の変形例として、トランジスタ１３０、トランジスタ１４０、トランジスタ１５０、トランジスタ１２５、トランジスタ１３５およびトランジスタ１４５の断面図を示す。
【０１３７】
図３（Ａ）に示すトランジスタ１３０は、基板１００上のゲート電極１１２、ゲート絶縁膜１０２ａ、ゲート絶縁膜１０２ｂ、酸化物半導体膜１０８、ソース電極１０４ａ、ドレイン電極１０４ｂ、絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂを含む点で、トランジスタ１２０と共通している。トランジスタ１３０とトランジスタ１２０との相違は、上述の構成要素を覆う絶縁膜１１４の有無である。すなわち、トランジスタ１３０は、絶縁膜１１４を有している。その他の構成要素については図１のトランジスタ１２０と同様であるから、詳細は、図１に関する記載を参酌することができる。
【０１３８】
なお、絶縁膜１１４は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム、これらの混合材料、などを用いて形成することができる。特に、絶縁膜１１４として窒化シリコン膜を用いる場合には、添加された酸素の外部への放出を防ぐことができると共に、酸化物半導体膜１０８への外部からの水素等の混入を効果的に抑制することができるため好適である。特に絶縁膜１１４において、水素の含有量は、窒素の含有量の１０分の１以下とし、好ましくは１×１０^２０ｃｍ^−３未満とし、さらに好ましくは５×１０^１８ｃｍ^−３未満とする。なお、絶縁膜１１４はソース電極１０４ａやドレイン電極１０４ｂ、ゲート電極１１２などと接続される配線を形成しても良い。
【０１３９】
図３（Ｂ）に示すトランジスタ１４０は、基板１００上のゲート電極１１２、ゲート絶縁膜１０２ｂ、酸化物半導体膜１０８、ソース電極１０４ａ、ドレイン電極１０４ｂ、絶縁膜１１０ａを含む点で、トランジスタ１２０と共通している。トランジスタ１４０とトランジスタ１２０との相違は、ゲート絶縁膜および、酸化物半導体膜１０８上の絶縁膜にある。すなわち、トランジスタ１４０は、ゲート絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜１０２ｂのみで形成され、酸化物半導体膜１０８上の絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜１１０ａのみで形成されている。その他の構成要素については図１のトランジスタ１２０と同様であるから、詳細は、図１に関する記載を参酌することができる。
【０１４０】
なお、トランジスタ１４０を形成する際には、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示す工程とは異なり、ゲート電極１１２上にゲート絶縁膜１０２ｂを形成してから、ゲート絶縁膜１０２ｂにハロゲンドープ処理を行い、ゲート絶縁膜１０２ｂにハロゲンを含有させる。ゲート絶縁膜１０２ｂにハロゲンを含有させることにより、塩素やフッ素などのハロゲンは、酸化物半導体膜１０８中の金属（Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ）よりも電気陰性度が大きいので、酸化物半導体膜１０８中のＭ−Ｈ結合から水素原子を奪うことができる。このようにして、酸化物半導体膜１０８とゲート絶縁膜１０２ｂの界面に添加された塩素やフッ素などのハロゲンは、トランジスタの劣化の原因となる酸化物半導体膜１０８中のＭ−Ｈ結合から脱離した水素イオンを、捕獲することができる。
【０１４１】
図３（Ｃ）に示すトランジスタ１５０は、上述の各構成要素を含む点で、図１に示すトランジスタ１２０と共通している。トランジスタ１５０とトランジスタ１２０との相違は、ゲート絶縁膜１０２ｂが島状に加工されているか否かである。つまり、トランジスタ１２０では、ゲート絶縁膜１０２ｂが島状に加工されているのに対して、トランジスタ１４０では、ゲート絶縁膜１０２ｂが島状に加工されていない。なお、酸化物半導体膜１０８とゲート絶縁膜１０２ｂのエッチングの選択比によっては、ゲート絶縁膜１０２ｂの酸化物半導体膜１０８と重畳しない領域の膜厚が、ゲート絶縁膜１０２ｂの酸化物半導体膜１０８と重畳する領域の膜厚より薄くなる場合がある。その他の構成要素については、図１と同様である。
【０１４２】
図３（Ｄ）に示すトランジスタ１２５は、上述の各構成要素を含む点で、図１に示すトランジスタ１２０と共通している。トランジスタ１２５とトランジスタ１２０との相違は、ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂと、酸化物半導体膜１０８との積層順序である。つまり、トランジスタ１２０では、酸化物半導体膜１０８が先に形成されるのに対して、トランジスタ１２５では、ソース電極１０４ａおよびドレイン電極１０４ｂが先に形成される。その他の構成要素については、図１と同様である。
【０１４３】
図３（Ｅ）に示すトランジスタ１３５は、図３（Ｄ）に示すトランジスタ１２５において、トランジスタ１３０のように、絶縁膜１１４を有する構成としたものである。
【０１４４】
図３（Ｆ）に示すトランジスタ１４５は、図３（Ｄ）に示すトランジスタ１２５において、トランジスタ１４０のように、ゲート絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜１０２ｂのみで形成され、酸化物半導体膜１０８上の絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜１１０ａのみで形成されたものである。
【０１４５】
なお、上述の各トランジスタの構成は、おのおの適宜組み合わせて用いることが可能である。
【０１４６】
本実施の形態に係るトランジスタは、熱処理によって、水素、水、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの水素原子を含む不純物を酸化物半導体より排除し、かつ、不純物の排除工程において減少するおそれのある酸素を供給することによって、高純度化およびｉ型（真性）化を図った酸化物半導体膜を用いている。このように高純度化された酸化物半導体膜を含むトランジスタは、しきい値電圧などの電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
【０１４７】
特に、酸素ドープ処理によって酸化物半導体膜中の酸素の含有量を増大させることで、電気的バイアスストレスや熱ストレスに起因する劣化を抑制し、光による劣化を低減することができる。
【０１４８】
さらに、ハロゲンドープ処理によって酸化物半導体膜が形成されるゲート絶縁膜に塩素に代表されるハロゲンを添加することで、電気的バイアスストレスや熱ストレスに起因する劣化をより抑制し、光による劣化をより低減することができる。
【０１４９】
このように、開示する発明の一態様によって、信頼性に優れたトランジスタを提供することが可能である。
【０１５０】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、半導体装置および半導体装置の作製方法について、図４乃至図６を用いて説明する。
【０１５２】
〈半導体装置の構成例〉
図４には、トランジスタ３２０の構成例を示す。ここで、図４（Ａ）は平面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）はそれぞれ、図４（Ａ）におけるＡ−Ｂ断面およびＣ−Ｄ断面に係る断面図である。なお、図４（Ａ）では煩雑になることを避けるため、トランジスタ３２０の構成要素の一部（例えば、ゲート絶縁膜３１０ａ、ゲート絶縁膜３１０ｂなど）を省略している。
【０１５３】
図４に示すトランジスタ３２０は、基板３００上の絶縁膜３０２ａ、絶縁膜３０２ｂ、酸化物半導体膜３０８、ソース電極３０４ａ、ドレイン電極３０４ｂ、ゲート絶縁膜３１０ａ、ゲート絶縁膜３１０ｂ、ゲート電極３１２を含む。
【０１５４】
図４に示すトランジスタ３２０において、酸化物半導体膜３０８は、酸素ドープ処理が行われた酸化物半導体膜である。酸素ドープ処理が行われることにより、信頼性が高められたトランジスタ３２０が実現する。
【０１５５】
さらに、図４に示すトランジスタ３２０においては、絶縁膜３０２ａに対してハロゲンドープ処理が行われている。このようなハロゲンドープ処理によって、さらに信頼性が高められたトランジスタ３２０が実現する。
【０１５６】
〈半導体装置の作製工程例〉
以下、図５を用いて、図４に示す半導体装置の作製工程の一例を説明する。
【０１５７】
まず、基板３００上に絶縁膜３０２ａを形成する（図５（Ａ）参照）。
【０１５８】
基板３００の材質等に大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐える程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板３００として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板３００として用いてもよい。
【０１５９】
また、基板３００として、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板上にトランジスタを設ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込むことができる。また、他の基板にトランジスタを形成した後、これを剥離し、可撓性基板に転置しても良い。なお、トランジスタを剥離し、可撓性基板に転置するためには、上記他の基板とトランジスタとの間に剥離層を形成すると良い。
【０１６０】
絶縁膜３０２ａは、下地として機能する絶縁膜であり、後に形成される酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁膜３０２ａは、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又はこれらの混合材料を用いて単層で又は積層して形成することができる。なお、水素や水などが混入しにくいという点では、スパッタリング法が好適である。
【０１６１】
次に、絶縁膜３０２ａに対して、ハロゲン３８０による処理（ハロゲンドープ処理や、ハロゲンプラズマドープ処理ともいう）を行い、絶縁膜３０２ａ中にハロゲンを含有させる（図５（Ｂ）参照）。ハロゲン３８０は、塩素やフッ素などを用いることができる。塩素やフッ素などのハロゲンは電気陰性度が大きいため、トランジスタの劣化の原因となる水素イオンを、捕獲することができる。また、酸化物半導体膜３０８が上に形成される絶縁膜３０２ａに塩素などのハロゲンを含有させることで、絶縁膜３０２ａ中の水素を固定化し、絶縁膜３０２ａ中から酸化物半導体膜３０８中への水素の拡散を防ぐことができる。よって、トランジスタに光照射が行われ、またはＢＴストレスが与えられても、トランジスタ特性の劣化は抑制され、または低減される。
【０１６２】
ここで、塩素は、フッ素に比べて原子半径が大きく、拡散係数が小さいので、水素イオンを絶縁膜３０２ａ中に固定しやすい。特に後に行う加熱処理の際に、塩素の方がフッ素より動きにくいので、より効果的に水素イオンを捕獲しておくことができる。よって、ハロゲン３８０としては、塩素を用いるのが好ましい。本実施の形態においてはハロゲン３８０として塩素を用いる。ハロゲン３８０として塩素を用いる場合、ハロゲン３８０には、少なくとも、塩素ラジカル、塩素原子、塩素イオン、のいずれかが含まれている。
【０１６３】
上述のハロゲン３８０は、プラズマ発生装置やオゾン発生装置によって発生させることができる。より具体的には、例えば、半導体装置に対してエッチング処理を行うことができる装置や、レジストマスクに対してアッシングを行うことができる装置などを用いてハロゲン３８０を発生させ、絶縁膜３０２ａを処理することができる。なお、ハロゲンの添加は、絶縁膜３０２ａの表面に与えるダメージが最小限となる条件で行うことが好ましい。
【０１６４】
なお、ハロゲンの添加をより好適に行うためには、基板には電気的なバイアスを加えておくことが望ましい。基板に印加するバイアスを大きくすることで、より深くまでハロゲンを添加することができる。
【０１６５】
ＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）装置を用いて塩素を添加する場合、プラズマ発生源であるＩＣＰコイルに１ｋＷ以上１０ｋＷ以下の高周波電源を印加し、プラズマを発生させた状態を一定時間（３０秒以上６００秒以下）維持することが好ましい。例えば、ＩＣＰパワー６０００Ｗ、バイアスパワー２５０Ｗ、塩素ガス流量を５００ｓｃｃｍ、処理室内の圧力を１．３Ｐａ、処理時間６０秒、という条件で塩素ドープ処理を行えばよい。
【０１６６】
また、電界で加速したハロゲンイオンを照射して、ハロゲンを添加してもよい。
【０１６７】
また、塩素に代表されるハロゲンと同時に酸素を添加しても良い。
【０１６８】
次いで、絶縁膜３０２ａ上に、下地として機能する絶縁膜３０２ｂを形成する（図５（Ｃ）参照）。
【０１６９】
絶縁膜３０２ｂには、後に形成される酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料を用いると特に好ましい。このような材料は酸化物半導体膜との相性が良く、これを絶縁膜３０２ｂに用いることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができるからである。ここで、「酸化物半導体膜と同種の成分」とは、酸化物半導体膜の構成金属元素から選択される一または複数の元素を含むことを意味する。例えば、酸化物半導体膜がＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料によって構成される場合、同種の成分でなる絶縁材料としては酸化ガリウムなどがある。
【０１７０】
また、図５（Ｃ）で示すように、下地として機能する絶縁膜を、酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁膜３０２ａと、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜３０２ｂとの積層構造とすることがより好ましい。絶縁膜３０２ａ、絶縁膜３０２ｂおよび酸化物半導体膜の順に積層した構造とすることで、電荷は絶縁膜３０２ａと絶縁膜３０２ｂとの界面の電荷捕獲中心に優先的に捕獲される（酸化物半導体膜と絶縁膜３０２ｂとの界面との比較）ため、酸化物半導体膜の界面での電荷捕獲を十分に抑制することができるようになり、半導体装置の信頼性が向上するためである。また、絶縁膜３０２ａに上述のハロゲンドープ処理を行うことによって、電荷を絶縁膜３０２ａと絶縁膜３０２ｂとの界面の電荷捕獲中心にさらに優先的に捕獲することができる。
【０１７１】
なお、このような絶縁膜３０２ａと絶縁膜３０２ｂの積層構造としては、酸化ガリウム膜と酸化シリコン膜の積層構造や、酸化ガリウム膜と窒化シリコン膜との積層構造などを適用することができる。
【０１７２】
なお、図４に示すトランジスタ３２０では、下地として機能する絶縁膜を、酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁膜３０２ａと酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料からなる絶縁膜３０２ｂとの積層構造としているが、これに限られるものではない。例えば、下地として機能する絶縁膜を、酸化物半導体膜とは異なる材料を含む絶縁膜３０２ａと酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料からなる絶縁膜３０２ｂのいずれかで形成する構造としても良い。
【０１７３】
次に、絶縁膜３０２ｂ上に酸化物半導体膜３０８を形成する（図５（Ｃ）参照）。
【０１７４】
酸化物半導体膜は、水素や水などが混入しにくい方法で作製するのが望ましい。例えば、スパッタリング法などを用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜の厚さは、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜を厚くしすぎると（例えば、膜厚を５０ｎｍ以上）、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。
【０１７５】
酸化物半導体膜に用いる材料としては、例えば、インジウムを含有する酸化物半導体材料や、インジウムおよびガリウムを含有する酸化物半導体材料などがある。
【０１７６】
また、酸化物半導体膜に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料や、一元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｏ系の材料、Ｓｎ−Ｏ系の材料、Ｚｎ−Ｏ系の材料などがある。また、上記の材料にＳｉＯ_２を含ませてもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでいてもよい。
【０１７７】
また、酸化物半導体膜は、化学式ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用いた薄膜とすることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＭｎ、またはＧａおよびＣｏなどを用いることができる。
【０１７８】
本実施の形態では、酸化物半導体膜を、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体成膜用ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。
【０１７９】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体成膜用ターゲットとしては、例えば、組成比として、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の酸化物半導体成膜用ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料および組成を上述に限定する必要はない。例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比の酸化物半導体成膜用ターゲットを用いることもできる。
【０１８０】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１５：１〜１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）とする。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【０１８１】
酸化物半導体成膜用ターゲットの充填率は、９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下とする。充填率の高い酸化物半導体成膜用ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜とすることができるためである。
【０１８２】
成膜の雰囲気は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの水素原子を含む不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。
【０１８３】
より具体的には、例えば、酸化物半導体膜は次のように形成することができる。
【０１８４】
まず、減圧状態に保持された成膜室内に基板３００を保持し、基板温度を１００℃以上６００℃以下好ましくは２００℃以上４００℃以下とする。基板３００が加熱された状態で成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができるためである。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができるためである。
【０１８５】
次に、成膜室内の残留水分を除去しつつ、水素および水などの水素原子を含む不純物が十分に除去された高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板３００上に酸化物半導体膜を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを用いることが望ましい。また、排気手段は、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水（Ｈ_２Ｏ）などの水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）などが除去されているため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【０１８６】
成膜条件の一例として、基板とターゲットの間との距離を１００ｍｍ、圧力を０．６Ｐａ、直流（ＤＣ）電源を０．５ｋＷ、成膜雰囲気を酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気とすることができる。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時の粉状物質（パーティクル、ごみともいう）の発生を軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。
【０１８７】
その後、酸化物半導体膜３０８に対して熱処理を行う。この熱処理によって酸化物半導体膜３０８中の、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去し、酸化物半導体膜の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。上記熱処理の温度は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは４５０℃以上６００℃以下、または基板の歪み点未満とする。
【０１８８】
熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜３０８は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。
【０１８９】
熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導、または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、ＧＲＴＡ（ＧａｓＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（ＬａｍｐＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
【０１９０】
例えば、上記熱処理として、熱せられた不活性ガス雰囲気中に被処理物を投入し、数分間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すＧＲＴＡ処理を行ってもよい。ＧＲＴＡ処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、酸素を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において熱処理を行うことで、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである。
【０１９１】
なお、不活性ガス雰囲気としては、窒素、または希ガス（ヘリウム、ネオン、アルゴン等）を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（すなわち、不純物濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とする。
【０１９２】
ところで、上述の熱処理には水素や水などを除去する効果があるから、当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該脱水化処理や、脱水素化処理は、例えば、酸化物半導体膜を島状に加工する前などのタイミングにおいて行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず複数回行っても良い。また、上述のハロゲンドープ処理において、絶縁膜３０２ａなどに混入した水素なども当該熱処理で除去することができる。
【０１９３】
次に、当該酸化物半導体膜３０８を加工して島状の酸化物半導体膜３０８を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【０１９４】
酸化物半導体膜３０８の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体膜上に形成した後、当該酸化物半導体膜をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
【０１９５】
また、このとき酸化物半導体膜３０８と共に、酸化物半導体膜３０８と同種の成分でなる絶縁材料を用いた絶縁膜３０２ｂをエッチングし、絶縁膜３０２ｂを島状に加工しても良い。
【０１９６】
なお、酸化物半導体膜３０８および絶縁膜３０２ｂのエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
【０１９７】
なお、酸化物半導体膜３０８は必ずしも島状に加工しなくてもよい。
【０１９８】
次に、酸化物半導体膜３０８に対して、酸素３８２による処理（酸素ドープ処理や、酸素プラズマドープ処理ともいう）を行う（図５（Ｅ）参照）。ここで、酸素３８２には、少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかが含まれている。酸化物半導体膜３０８に酸素ドープ処理を行うことにより、酸化物半導体膜３０８中、酸化物半導体膜３０８界面近傍、または、酸化物半導体膜３０８中および該界面近傍に酸素を含有させることができる。この場合、酸素の含有量は、酸化物半導体膜３０８の化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の１倍を超えて２倍まで（１倍より大きく２倍未満）、とする。あるいは、酸素の含有量は、単結晶の場合の酸素の量をＹとして、Ｙを超える程度、好ましくは、Ｙを超えて２Ｙまでとすることもできる。あるいは、酸素の含有量は、酸素ドープ処理を行わない場合の酸化物半導体膜中の酸素の量Ｚを基準として、Ｚを超える程度、好ましくは、Ｚを超えて２Ｚまでとすることもできる。なお、上述の好ましい範囲に上限が存在するのは、酸素の含有量を多くしすぎると、水素吸蔵合金（水素貯蔵合金）のように、酸化物半導体膜３０８が水素を取り込んでしまう恐れがあるためである。なお、酸化物半導体膜において酸素の含有量は水素の含有量より大きくなる。
【０１９９】
結晶構造がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表現される材料の場合、例えば、ｍ＝１（ＩｎＧａＺｎＯ_４）の結晶構造を基準にすれば、ＩｎＧａＺｎＯ_ｘにおいてｘは４を越えて８まで、また、ｍ＝２（ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５）の結晶構造を基準にすれば、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_ｘにおいてｘは５を越えて１０まで、が許容される。なお、このような酸素過剰領域は、酸化物半導体の一部（界面を含む）に存在していればよい。
【０２００】
なお、酸化物半導体膜において、酸素は主たる成分材料の一つである。このため、酸化物半導体膜中の酸素濃度を、ＳＩＭＳなどの方法を用いて、正確に見積もることは難しい。つまり、酸化物半導体膜に酸素が意図的に添加されたか否かを判別することは困難であるといえる。
【０２０１】
ところで、酸素には^１７Ｏや^１８Ｏといった同位体が存在し、自然界におけるこれらの存在比率はそれぞれ酸素原子全体の０．０３７％、０．２０４％程度であることが知られている。つまり、酸化物半導体膜中におけるこれら同位体の濃度は、ＳＩＭＳなどの方法によって見積もることができる程度になるから、これらの濃度を測定することで、酸化物半導体膜中の酸素濃度をより正確に見積もることが可能な場合がある。よって、これらの濃度を測定することで、酸化物半導体膜に意図的に酸素が添加されたか否かを判別しても良い。
【０２０２】
例えば、^１８Ｏの濃度を基準に用いると、酸化物半導体膜において、酸素が添加された領域における酸素の同位体の濃度Ｄ１（^１８Ｏ）と、酸素が添加されていない領域における酸素の同位体の濃度Ｄ２（^１８Ｏ）との間には、Ｄ１（^１８Ｏ）＞Ｄ２（^１８Ｏ）が成立するといえる。
【０２０３】
また、酸化物半導体膜に添加される酸素３８２の少なくとも一部は、酸化物半導体中において不対結合手を有することが好ましい。不対結合手を有することにより、膜中に残存する水素と結合して、水素を固定化（非可動イオン化）することができるためである。
【０２０４】
上述の酸素３８２は、プラズマ発生装置やオゾン発生装置によって発生させることができる。より具体的には、例えば、半導体装置に対してエッチング処理を行うことができる装置や、レジストマスクに対してアッシングを行うことができる装置などを用いて酸素３８２を発生させ、酸化物半導体膜３０８を処理することができる。また、電界で加速した酸素イオンを照射して、酸素を添加してもよい。
【０２０５】
なお、酸素の添加をより好適に行うためには、基板には電気的なバイアスを加えておくことが望ましい。
【０２０６】
なお、酸素ドープ処理を行った後の酸化物半導体膜３０８に熱処理を行うのが望ましい。当該熱処理の温度は、２５０℃以上７００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下、または基板の歪み点未満とする。
【０２０７】
当該熱処理により、酸素と酸化物半導体材料との反応によって生成された水、水酸化物（ＯＨ）などを酸化物半導体膜から除去することができる。また、上述の酸素ドープ処理において、酸化物半導体膜３０８などに混入した水素なども当該熱処理で除去することができる。熱処理は、水、水素などが十分に低減された窒素、酸素、超乾燥空気（ＣＲＤＳ（キャビティリングダウンレーザー分光法）方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が２０ｐｐｍ（露点換算で−５５℃）以下、好ましくは１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）などの雰囲気下で行えばよく、特に酸素を含む雰囲気で行うことが好ましい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度は、６Ｎ（９９．９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下）とするのが好ましく、７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を０．１ｐｐｍ以下）とすると、より好ましい。
【０２０８】
また、酸素ドープ処理と熱処理を繰り返して行っても良い。当該処理を繰り返して行うことにより、トランジスタの信頼性をさらに高めることができる。なお、繰り返しの回数は適宜設定することができる。
【０２０９】
本実施の形態に係る上記の熱処理においては、酸素を含む雰囲気下で酸化物半導体膜３０８を加熱するのが望ましい。したがって、上述の脱水化（または脱水素化）処理によって減少してしまう可能性のある酸素を、酸化物半導体膜３０８へ供給することも可能である。この意味において、当該熱処理を、加酸化（加酸素化）と呼ぶこともできる。
【０２１０】
なお、加酸化を目的とする熱処理のタイミングは、酸化物半導体膜３０８の形成後であれば特に限定されない。例えば、後述するゲート絶縁膜３１０ａの形成後に加酸化を目的とする熱処理を行っても良い。または、ゲート電極の形成後に加酸化を目的とする熱処理を行っても良い。または、脱水化等を目的とする熱処理に続けて加酸化を目的とする熱処理を行っても良いし、脱水化等を目的とする熱処理に加酸化を目的とする熱処理を兼ねさせても良いし、加酸化を目的とする熱処理に脱水化等を目的とする熱処理を兼ねさせても良い。
【０２１１】
上述のように、脱水化等を目的とする熱処理と、酸素ドープ処理または加酸化を目的とする熱処理とを適用することで、酸化物半導体膜３０８を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。高純度化された酸化物半導体膜３０８中にはドナーに由来するキャリアが極めて少ない（ゼロに近い）。このような熱処理によって不純物を低減し、ｉ型（真性半導体）またはｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実現することができる。
【０２１２】
なお、本実施の形態においては、脱水化等を目的とする熱処理を行い、酸化物半導体膜３０８を島状に加工し、酸素ドープ処理を行い、加酸化を目的とする熱処理を行ったが、これらの工程はこの順番に限られるものではない。
【０２１３】
次いで、絶縁膜３０２ａ、絶縁膜３０２ｂおよび酸化物半導体膜３０８上に、ソース電極およびドレイン電極（これと同じ層で形成される配線を含む）を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂを形成する（図５（Ｆ）参照）。なお、ここで形成されるソース電極３０４ａの端部とドレイン電極３０４ｂの端部との間隔によって、トランジスタのチャネル長Ｌが決定されることになる。
【０２１４】
ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等がある。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側または上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた導電膜を用いても良い。
【０２１５】
また、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂに用いる導電膜は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０２１６】
導電膜の加工は、レジストマスクを用いたエッチングによって行うことができる。当該エッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦレーザ光などを用いるとよい。
【０２１７】
なお、チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場合には、例えば、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Ｌを微細化することが可能であり、回路の動作速度を高めることができる。
【０２１８】
また、いわゆる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有する形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
【０２１９】
次に、酸化物半導体膜３０８の一部と接し、かつ、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂを覆うゲート絶縁膜３１０ａ、ゲート絶縁膜３１０ｂを形成する（図５（Ｆ）参照）。
【０２２０】
ゲート絶縁膜３１０ａは、絶縁膜３０２ｂと同様に形成することができる。すなわち、ゲート絶縁膜３１０ａは、酸化物半導体膜３０８と同種の成分でなる絶縁材料を用いると特に好ましい。このような材料は酸化物半導体膜との相性が良く、これをゲート絶縁膜３１０ａに用いることで、酸化物半導体膜３０８との界面の状態を良好に保つことができるからである。例えば、酸化物半導体膜３０８がＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料によって構成される場合、同種の成分でなる絶縁材料としては酸化ガリウムなどがある。
【０２２１】
また、ゲート絶縁膜３１０ａは酸素を含有していることが好ましく、化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の１倍を超えて２倍まで（１倍より大きく２倍未満）酸素を含有していることが好ましい。このようにゲート絶縁膜３１０ａが過剰な酸素を有することにより、酸化物半導体膜３０８および酸化物半導体膜３０８との界面に酸素を供給し、酸素の欠損を低減することができる。
【０２２２】
また、ゲート絶縁膜３１０ｂは、絶縁膜３０２ａと同様に形成することができる。すなわち、ゲート絶縁膜３１０ｂは、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又はこれらの混合材料を用いて単層で又は積層して形成することができる。ただし、トランジスタのゲート絶縁膜として機能することを考慮して、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート、窒素が添加されたハフニウムアルミネート、などの比誘電率が高い材料を採用しても良い。
【０２２３】
また、ゲート絶縁膜３１０ｂは酸素を含有していることが好ましく、化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の１倍を超えて２倍まで（１倍より大きく２倍未満）酸素を含有していることが好ましい。このようにゲート絶縁膜３１０ｂが過剰な酸素を有することにより、酸化物半導体膜３０８および酸化物半導体膜３０８との界面に酸素を供給し、酸素の欠損を低減することができる。
【０２２４】
ここで、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜３１０ａと、酸化物半導体膜とは異なる材料を含むゲート絶縁膜３１０ｂとの積層構造とすることがより好ましい。酸化物半導体膜３０８、ゲート絶縁膜３１０ｂ、およびゲート絶縁膜３１０ａの順に積層した構造とすることで、電荷はゲート絶縁膜３１０ａとゲート絶縁膜３１０ｂとの界面の電荷捕獲中心に優先的に捕獲される（酸化物半導体膜とゲート絶縁膜３１０ａとの界面との比較）ため、酸化物半導体膜の界面での電荷捕獲を十分に抑制することができるようになり、半導体装置の信頼性が向上するためである。
【０２２５】
なお、このようなゲート絶縁膜３１０ａとゲート絶縁膜３１０ｂの積層構造としては、酸化ガリウム膜と酸化シリコン膜の積層構造や、酸化ガリウム膜と窒化シリコン膜との積層構造などを適用することができる。
【０２２６】
なお、図４に示すトランジスタ３２０では、絶縁膜を、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜３１０ａと、酸化物半導体膜とは異なる材料を含むゲート絶縁膜３１０ｂとの積層構造としているが、これに限られるものではない。例えば、絶縁膜を、酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜３１０ａと、酸化物半導体膜とは異なる材料を含むゲート絶縁膜３１０ｂのいずれかで形成する構造としても良い。
【０２２７】
なおゲート絶縁膜３１０ａまたはゲート絶縁膜３１０ｂは、絶縁膜３０２ａまたは絶縁膜３０２ｂと接するように形成することが好ましい。このようにゲート絶縁膜３１０ａまたはゲート絶縁膜３１０ｂを形成することにより、酸化物半導体膜３０８全体を覆うことができるので、酸化物半導体膜３０８および酸化物半導体膜３０８との界面により効果的に酸素を供給し、酸素の欠損を低減することができる。
【０２２８】
また、μ波（例えば周波数２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので、ゲート絶縁膜３１０ａ、ゲート絶縁膜３１０ｂの形成に用いると好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁膜とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。
【０２２９】
その後、ゲート絶縁膜３１０ｂ上の酸化物半導体膜３０８と重畳する領域にゲート電極３１２を形成する（図５（Ｆ）参照）。ゲート電極３１２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、ゲート電極３１２は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
【０２３０】
以上の工程でトランジスタ３２０が形成される。
【０２３１】
なお、上述の説明は、島状に加工され高純度化された酸化物半導体膜３０８に対して酸素ドープ処理を行う例についてのものだが、開示する発明の一態様はこれに限定されない。例えば、高純度化および酸素ドープ処理を行った後に、酸化物半導体膜を島状に加工しても良いし、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂを形成した後に酸素ドープ処理を行っても良い。
【０２３２】
〈半導体装置の変形例〉
図６（Ａ）乃至図６（Ｆ）には、図４に示すトランジスタ３２０の変形例として、トランジスタ３３０、トランジスタ３４０、トランジスタ３５０、トランジスタ３２５、トランジスタ３３５およびトランジスタ３４５の断面図を示す。
【０２３３】
図６（Ａ）に示すトランジスタ３３０は、基板３００上の絶縁膜３０２ａ、絶縁膜３０２ｂ、酸化物半導体膜３０８、ソース電極３０４ａ、ドレイン電極３０４ｂ、ゲート絶縁膜３１０ａ、ゲート絶縁膜３１０ｂ、ゲート電極３１２を含む点で、トランジスタ３２０と共通している。トランジスタ３３０とトランジスタ３２０との相違は、上述の構成要素を覆う絶縁膜３１４の有無である。すなわち、トランジスタ３３０は、絶縁膜３１４を有している。その他の構成要素については図４のトランジスタ３２０と同様であるから、詳細は、図４に関する記載を参酌することができる。
【０２３４】
なお、絶縁膜３１４は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム、これらの混合材料、などを用いて形成することができる。特に、絶縁膜３１４として窒化シリコン膜を用いる場合には、添加された酸素の外部への放出を防ぐことができると共に、酸化物半導体膜３０８への外部からの水素等の混入を効果的に抑制することができるため好適である。特に絶縁膜３１４において、水素の含有量は、窒素の含有量の１０分の１以下とし、好ましくは１×１０^２０ｃｍ^−３未満とし、さらに好ましくは５×１０^１８ｃｍ^−３未満とする。なお、絶縁膜３１４はソース電極３０４ａやドレイン電極３０４ｂ、ゲート電極３１２などと接続される配線を形成しても良い。
【０２３５】
図６（Ｂ）に示すトランジスタ３４０は、基板３００上の絶縁膜３０２ｂ、酸化物半導体膜３０８、ソース電極３０４ａ、ドレイン電極３０４ｂ、ゲート絶縁膜３１０ａ、ゲート電極３１２を含む点で、トランジスタ３２０と共通している。トランジスタ３４０とトランジスタ３２０との相違は、下地として機能する絶縁膜およびゲート絶縁膜にある。すなわち、トランジスタ３４０は、下地として機能する絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜３０２ｂのみで形成され、ゲート絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜３１０ａのみで形成されている。その他の構成要素については図４のトランジスタ３２０と同様であるから、詳細は、図４に関する記載を参酌することができる。
【０２３６】
なお、トランジスタ３４０を形成する際には、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す工程とは異なり、基板３００上に絶縁膜３０２ｂを形成してから、絶縁膜３０２ｂにハロゲンドープ処理を行い、絶縁膜３０２ｂにハロゲンを含有させる。絶縁膜３０２ｂにハロゲンを含有させることにより、塩素やフッ素などのハロゲンは、酸化物半導体膜３０８中の金属（Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ）よりも電気陰性度が大きいので、酸化物半導体膜３０８中のＭ−Ｈ結合から水素原子を奪うことができる。このようにして、酸化物半導体膜３０８と絶縁膜３０２ｂの界面に添加された塩素やフッ素などのハロゲンは、トランジスタの劣化の原因となる酸化物半導体膜３０８中のＭ−Ｈ結合から脱離した水素イオンを、捕獲することができる。
【０２３７】
図６（Ｃ）に示すトランジスタ３５０は、上述の各構成要素を含む点で、図４に示すトランジスタ３２０と共通している。トランジスタ３５０とトランジスタ３２０との相違は、絶縁膜３０２ｂが島状に加工されているか否かである。つまり、トランジスタ３２０では、絶縁膜３０２ｂが島状に加工されているのに対して、トランジスタ３４０では、絶縁膜３０２ｂが島状に加工されていない。なお、酸化物半導体膜３０８と絶縁膜３０２ｂのエッチングの選択比によっては、絶縁膜３０２ｂの酸化物半導体膜３０８と重畳しない領域の膜厚が、絶縁膜３０２ｂの酸化物半導体膜３０８と重畳する領域の膜厚より薄くなる場合がある。その他の構成要素については、図４と同様である。
【０２３８】
図６（Ｄ）に示すトランジスタ３２５は、上述の各構成要素を含む点で、図４に示すトランジスタ３２０と共通している。トランジスタ３２５とトランジスタ３２０との相違は、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂと、酸化物半導体膜３０８との積層順序である。つまり、トランジスタ３２０では、酸化物半導体膜３０８が先に形成されるのに対して、トランジスタ３２５では、ソース電極３０４ａおよびドレイン電極３０４ｂが先に形成される。その他の構成要素については、図４と同様である。
【０２３９】
図６（Ｅ）に示すトランジスタ３３５は、図６（Ｄ）に示すトランジスタ３２５において、トランジスタ３３０のように、絶縁膜３１４を有する構成としたものである。
【０２４０】
図６（Ｆ）に示すトランジスタ３４５は、図６（Ｄ）に示すトランジスタ３２５において、トランジスタ３４０のように、下地として機能する絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなる絶縁膜３０２ｂのみで形成され、ゲート絶縁膜が酸化物半導体膜と同種の成分でなる絶縁材料でなるゲート絶縁膜３１０ａのみで形成されたものである。
【０２４１】
なお、上述の各トランジスタの構成は、おのおの適宜組み合わせて用いることが可能である。
【０２４２】
本実施の形態に係るトランジスタは、熱処理によって、水素、水、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの水素原子を含む不純物を酸化物半導体より排除し、かつ、不純物の排除工程において減少するおそれのある酸素を供給することによって、高純度化およびｉ型（真性）化を図った酸化物半導体膜を用いている。このように高純度化された酸化物半導体膜を含むトランジスタは、しきい値電圧などの電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
【０２４３】
特に、酸素ドープ処理によって酸化物半導体膜中の酸素の含有量を増大させることで、電気的バイアスストレスや熱ストレスに起因する劣化を抑制し、光による劣化を低減することができる。
【０２４４】
さらに、ハロゲンドープ処理によって酸化物半導体膜が形成される絶縁膜に塩素に代表されるハロゲンを添加することで、電気的バイアスストレスや熱ストレスに起因する劣化をより抑制し、光による劣化をより低減することができる。
【０２４５】
このように、開示する発明の一態様によって、信頼性に優れたトランジスタを提供することが可能である。
【０２４６】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２４７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、酸素ドープ処理またはハロゲンドープ処理に用いることができるプラズマ装置（アッシング装置とも呼ぶ）の例を説明する。なお、この装置は、例えば第５世代以降の大型のガラス基板などに対応することができる点で、イオン注入装置などよりも工業的に適している。
【０２４８】
図１７（Ａ）は、枚葉式マルチチャンバー設備の上面図の一例を示す。図１７（Ｂ）は、酸素プラズマドープを行うプラズマ装置（アッシング装置とも呼ぶ）の断面図の一例を示す。
【０２４９】
図１７（Ａ）に示す枚葉式マルチチャンバー設備は、図１７（Ｂ）に示すプラズマ装置１０を３つ有し、被処理基板を収容するカセットポート１４を３つ有する基板供給室１１や、ロードロック室１２や、搬送室１３などを有している。基板供給室に供給された基板は、ロードロック室１２と搬送室１３を介してプラズマ装置内の真空チャンバー１５に搬送されて酸素プラズマドープが行われる。酸素プラズマドープが終了した基板は、プラズマ装置からロードロック室と搬送室を介して基板供給室に搬送される。なお、基板供給室１１及び搬送室１３には、被処理基板を搬送するための搬送ロボットがそれぞれ配置されている。
【０２５０】
図１７（Ｂ）を参照すると、プラズマ装置１０は、真空チャンバー１５を備える。真空チャンバー１５の上部には、複数のガス吹き出し口と、プラズマ発生源であるＩＣＰコイル１６（誘導結合プラズマコイル）が配置されている。
【０２５１】
ガス吹き出し口は、プラズマ装置１０の上面から見て中央部分に１２個配置されている。それぞれのガス吹き出し口は、酸素ガスを供給するためのガス供給源とガス流路１７を介して接続されており、ガス供給源は、マスフローコントローラ等を備え、所望の流量（０より多く１０００ｓｃｃｍ以下）でガス流路１７に対して酸素ガスを供給することができる。ガス供給源から供給される酸素ガスは、ガス流路１７から１２個のガス吹き出し口を介して真空チャンバー１５内に供給される。
【０２５２】
ＩＣＰコイル１６は、複数本の帯状の導体を螺旋状に配置してなる。各導体の一端は、インピーダンス調整のためのマッチング回路を介して第１の高周波電源１８（１３．５６ＭＨｚ）に電気的に接続され、他端は接地されている。
【０２５３】
真空チャンバーの下部には、下部電極として機能する基板ステージ１９が配置されている。基板ステージ１９に設けられた静電チャックなどにより、基板ステージ上に被処理基板２０が着脱可能に保持される。基板ステージ１９には、加熱機構としてヒータ、冷却機構としてＨｅガス流路を備えている。基板ステージは、基板バイアス電圧印加用の第２の高周波電源２１（３．２ＭＨｚ）に接続されている。
【０２５４】
また、真空チャンバー１５には、排気口が設けられ、自動圧力制御弁２２（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｖａｌｖｅ、ＡＰＣとも呼ぶ。）が備えられる。ＡＰＣはターボ分子ポンプ２３に接続され、さらにターボ分子ポンプ２３を介してドライポンプ２４に接続される。ＡＰＣは真空チャンバー内の圧力制御を行い、ターボ分子ポンプ２３及びドライポンプ２４は、真空チャンバー１５内を減圧する。
【０２５５】
次に、図１７（Ｂ）に示す真空チャンバー１５内にプラズマを発生させ、被処理基板２０に設けられている酸化物半導体膜、下地絶縁膜またはゲート絶縁膜に酸素プラズマドープを行う一例を示す。
【０２５６】
まず、ターボ分子ポンプ２３及びドライポンプ２４などを作動させて、真空チャンバー１５内を所望の圧力に保持した後、被処理基板２０を真空チャンバー１５内の基板ステージに設置する。なお、基板ステージに保持する被処理基板２０には少なくとも酸化物半導体膜または下地絶縁膜を備えるものとする。本実施の形態では、真空チャンバー１５内の圧力を１．３３Ｐａに保持する。なお、酸素ガスをガス吹き出し口から真空チャンバー１５内に供給する流量を２５０ｓｃｃｍに設定する。
【０２５７】
次いで、第１の高周波電源１８からＩＣＰコイル１６に高周波電力を印加し、プラズマを発生させる。そして、プラズマを発生させた状態を一定時間（３０秒以上６００秒以下）維持する。なお、ＩＣＰコイル１６に印加する高周波電力は、１ｋＷ以上１０ｋＷ以下とする。本実施の形態では、６０００Ｗとする。この際、第２の高周波電源２１から基板ステージに基板バイアス電圧を印加してもよい。本実施の形態では基板バイアス電圧印加に用いる電力を１０００Ｗとする。
【０２５８】
本実施の形態では、プラズマを発生させた状態を６０秒維持した後、被処理基板２０を真空チャンバー１５から搬出する。こうして、被処理基板２０に設けられている酸化物半導体膜、下地絶縁膜またはゲート絶縁膜に酸素プラズマドープを行うことができる。
【０２５９】
なお、同様の装置を用いて、塩素ガスやフッ素ガスなどのハロゲンガスを用いることで、ハロゲンドープ処理を行うこともできる。
【０２６０】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２６１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、半導体装置の一例として、記憶媒体（メモリ素子）を示す。本実施の形態では、実施の形態１または２などにおいて示す酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタとを同一基板上に形成する。
【０２６２】
図７は、半導体装置の構成の一例である。図７（Ａ）には、半導体装置の断面を、図７（Ｂ）には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図７（Ａ）は、図７（Ｂ）のＣ１−Ｃ２およびＤ１−Ｄ２における断面に相当する。また、図７（Ｃ）には、上記半導体装置をメモリ素子として用いる場合の回路図の一例を示す。図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示される半導体装置は、下部に第１の半導体材料を用いたトランジスタ２４０を有し、上部に実施の形態２で示したトランジスタ３４５を有する。なお、トランジスタ３４５は、第２の半導体材料として酸化物半導体を用いている。本実施の形態では、第１の半導体材料を酸化物半導体以外の半導体材料とする。酸化物半導体以外の半導体材料としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウムヒ素等を用いることができ、単結晶半導体を用いるのが好ましい。他に、有機半導体材料などを用いてもよい。このような半導体材料を用いたトランジスタは、高速動作が容易である。一方で、酸化物半導体を用いたトランジスタは、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
【０２６３】
なお、本実施の形態においては、トランジスタ３４５を用いて記憶媒体を構成する例を示すが、トランジスタ３４５に代えて、実施の形態１または２で示したトランジスタを適用可能であることは、いうまでもない。
【０２６４】
図７におけるトランジスタ２４０は、半導体材料（例えば、シリコンなど）を含む基板２００に設けられたチャネル形成領域２１６と、チャネル形成領域２１６を挟むように設けられた不純物領域２２０と、不純物領域２２０に接する金属化合物領域２２４と、チャネル形成領域２１６上に設けられたゲート絶縁膜２０８と、ゲート絶縁膜２０８上に設けられたゲート電極２１０と、を有する。
【０２６５】
半導体材料を含む基板２００は、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することができる。なお、一般に「ＳＯＩ基板」は、絶縁表面上にシリコン半導体膜が設けられた構成の基板をいうが、本明細書等においては、絶縁表面上にシリコン以外の材料からなる半導体膜が設けられた構成の基板も含む。つまり、「ＳＯＩ基板」が有する半導体膜は、シリコン半導体膜に限定されない。また、ＳＯＩ基板には、ガラス基板などの絶縁基板上に絶縁膜を介して半導体膜が設けられた構成のものが含まれるものとする。
【０２６６】
基板２００上にはトランジスタ２４０を囲むように素子分離絶縁膜２０６が設けられており、トランジスタ２４０を覆うように絶縁膜２２８および絶縁膜２３０が設けられている。なお、高集積化を実現するためには、図７（Ａ）に示すようにトランジスタ２４０がサイドウォール絶縁膜を有しない構成とすることが望ましい。一方で、トランジスタ２４０の特性を重視する場合には、ゲート電極２１０の側面にサイドウォール絶縁膜を設け、不純物濃度が異なる領域を含む不純物領域２２０を設けても良い。
【０２６７】
トランジスタ２４０はシリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウムヒ素等を用いて作製することができる。このようなトランジスタ２４０は、高速動作が可能であるという特徴を有する。このため、当該トランジスタを読み出し用のトランジスタとして用いることで、情報の読み出しを高速に行うことができる。
【０２６８】
トランジスタ２４０を形成した後、トランジスタ３４５および容量素子１６４の形成前の処理として、絶縁膜２２８や絶縁膜２３０にＣＭＰ処理を施して、ゲート電極２１０の上面を露出させる。ゲート電極２１０の上面を露出させる処理としては、ＣＭＰ処理の他にエッチング処理などを適用することも可能であるが、トランジスタ３４５の特性を向上させるために、絶縁膜２２８や絶縁膜２３０の表面は可能な限り平坦にしておくことが望ましい。
【０２６９】
次に、酸化物半導体膜３０８に接し、下地として機能する絶縁膜３０２を形成する。絶縁膜３０２は、実施の形態２で示した絶縁膜３０２ａまたは絶縁膜３０２ｂ、もしくはそれらの積層構造を用いて、実施の形態２に示す材料及び形成プロセスを用いて形成することができる。
【０２７０】
次に、ゲート電極２１０、絶縁膜２２８、絶縁膜２３０などの上に導電膜を形成し、該導電膜を選択的にエッチングして、ソース電極３０４ａ、ドレイン電極３０４ｂを形成する。
【０２７１】
導電膜は、スパッタ法をはじめとするＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて形成することができる。また、導電膜の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗからから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｄ、Ｓｃのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。
【０２７２】
導電膜は、単層構造であっても良いし、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、チタン膜や窒化チタン膜の単層構造、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜が積層された２層構造、窒化チタン膜上にチタン膜が積層された２層構造、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とが積層された３層構造などが挙げられる。なお、導電膜を、チタン膜や窒化チタン膜の単層構造とする場合には、テーパー形状を有するソース電極３０４ａ、およびドレイン電極３０４ｂへの加工が容易であるというメリットがある。
【０２７３】
上部のトランジスタ３４５のチャネル長（Ｌ）は、ソース電極３０４ａ、およびドレイン電極３０４ｂの下端部の間隔によって決定される。なお、チャネル長（Ｌ）が２５ｎｍ未満のトランジスタを形成する場合に用いるマスク形成の露光を行う際には、数ｎｍ〜数１０ｎｍと波長の短い超紫外線を用いるのが望ましい。
【０２７４】
次に、ソース電極３０４ａ、およびドレイン電極３０４ｂを覆うように酸化物半導体膜を形成した後、当該酸化物半導体膜を選択的にエッチングして酸化物半導体膜３０８を形成する。酸化物半導体膜は、実施の形態２に示す材料及び形成プロセスを用いる。
【０２７５】
次に、酸化物半導体膜３０８に接するゲート絶縁膜３１０を形成する。ゲート絶縁膜３１０は、実施の形態２で示したゲート絶縁膜３１０ａまたはゲート絶縁膜３１０ｂ、もしくはそれらの積層構造を用いて、実施の形態２に示す材料及び形成プロセスを用いて形成することができる。
【０２７６】
次に、ゲート絶縁膜３１０上において酸化物半導体膜３０８と重畳する領域にゲート電極３１２ａを形成し、ソース電極３０４ａと重畳する領域に電極３１２ｂを形成する。
【０２７７】
ゲート絶縁膜３１０の形成後には、不活性ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で熱処理（加酸化などとも呼ぶ）を行うのが望ましい。熱処理の温度は、２００℃以上４５０℃以下、望ましくは２５０℃以上３５０℃以下である。例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の熱処理を行えばよい。熱処理を行うことによって、トランジスタの電気的特性のばらつきを軽減することができる。
【０２７８】
なお、加酸化を目的とする熱処理のタイミングはこれに限定されない。例えば、ゲート電極の形成後に加酸化を目的とする熱処理を行っても良い。また、脱水化等を目的とする熱処理に続けて加酸化を目的とする熱処理を行っても良いし、脱水化等を目的とする熱処理に加酸化を目的とする熱処理を兼ねさせても良いし、加酸化を目的とする熱処理に脱水化等を目的とする熱処理を兼ねさせても良い。
【０２７９】
上述のように、脱水化等を目的とする熱処理と、酸素ドープ処理または加酸化を目的とする熱処理とを適用することで、酸化物半導体膜３０８を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。
【０２８０】
ゲート電極３１２ａおよび電極３１２ｂは、ゲート絶縁膜３１０上に導電膜を形成した後に、当該導電膜を選択的にエッチングすることによって形成することができる。
【０２８１】
次に、ゲート絶縁膜３１０、ゲート電極３１２ａ、および電極３１２ｂ上に、絶縁膜１５１および絶縁膜１５２を形成する。絶縁膜１５１および絶縁膜１５２は、スパッタ法やＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム等の無機絶縁材料を含む材料を用いて形成することができる。
【０２８２】
次に、ゲート絶縁膜３１０、絶縁膜１５１、及び絶縁膜１５２に、ドレイン電極３０４ｂにまで達する開口を形成する。当該開口の形成は、マスクなどを用いた選択的なエッチングにより行われる。
【０２８３】
その後、上記開口に電極１５４を形成し、絶縁膜１５２上に電極１５４に接する配線１５６を形成する。
【０２８４】
電極１５４は、例えば、開口を含む領域にＰＶＤ法やＣＶＤ法などを用いて導電膜を形成した後、エッチング処理やＣＭＰといった方法を用いて、上記導電膜の一部を除去することにより形成することができる。
【０２８５】
配線１５６は、スパッタ法をはじめとするＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて導電膜を形成した後、当該導電膜をパターニングすることによって形成される。また、導電膜の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｄ、Ｓｃのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。詳細は、ソース電極３０４ａまたはドレイン電極３０４ｂなどと同様である。
【０２８６】
以上により、高純度化された酸化物半導体膜３０８を用いたトランジスタ３４５、および容量素子１６４が完成する。容量素子１６４は、ソース電極３０４ａ、酸化物半導体膜３０８、ゲート絶縁膜３１０、および電極３１２ｂ、で構成される。
【０２８７】
なお、図７の容量素子１６４では、酸化物半導体膜３０８とゲート絶縁膜３１０を積層させることにより、ソース電極３０４ａと、電極３１２ｂとの間の絶縁性を十分に確保することができる。もちろん、十分な容量を確保するために、酸化物半導体膜３０８を有しない構成の容量素子１６４を採用しても良い。さらに、容量が不要の場合は、容量素子１６４を設けない構成とすることも可能である。
【０２８８】
図７（Ｃ）には、上記半導体装置をメモリ素子として用いる場合の回路図の一例を示す。図７（Ｃ）において、トランジスタ３４５のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、トランジスタ２４０のゲート電極と、は電気的に接続されている。また、第１の配線（１ｓｔＬｉｎｅ：ソース線とも呼ぶ）とトランジスタ２４０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄＬｉｎｅ：ビット線とも呼ぶ）とトランジスタ２４０のドレイン電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄＬｉｎｅ：第１の信号線とも呼ぶ）とトランジスタ３４５のソース電極またはドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線（４ｔｈＬｉｎｅ：第２の信号線とも呼ぶ）と、トランジスタ３４５のゲート電極とは、電気的に接続されている。そして、第５の配線（５ｔｈＬｉｎｅ：ワード線とも呼ぶ）と、容量素子１６４の電極の他方は電気的に接続されている。
【０２８９】
酸化物半導体を用いたトランジスタ３４５は、オフ電流が極めて小さいという特徴を有しているため、トランジスタ３４５をオフ状態とすることで、トランジスタ３４５のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、トランジスタ２４０のゲート電極とが電気的に接続されたノード（以下、ノードＦＧ）の電位を極めて長時間にわたって保持することが可能である。そして、容量素子１６４を有することにより、ノードＦＧに与えられた電荷の保持が容易になり、また、保持された情報の読み出しが容易になる。
【０２９０】
半導体装置に情報を記憶させる場合（書き込み）は、まず、第４の配線の電位を、トランジスタ３４５がオン状態となる電位にして、トランジスタ３４５をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位が、ノードＦＧに供給され、ノードＦＧに所定量の電荷が蓄積される。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下、ロー（Ｌｏｗ）レベル電荷、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベル電荷という）のいずれかが与えられるものとする。その後、第４の配線の電位を、トランジスタ３４５がオフ状態となる電位にして、トランジスタ３４５をオフ状態とすることにより、ノードＦＧが浮遊状態となるため、ノードＦＧには所定の電荷が保持されたままの状態となる。以上のように、ノードＦＧに所定量の電荷を蓄積及び保持させることで、メモリセルに情報を記憶させることができる。
【０２９１】
トランジスタ３４５のオフ電流は極めて小さいため、ノードＦＧに供給された電荷は長時間にわたって保持される。したがって、リフレッシュ動作が不要となるか、または、リフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となり、消費電力を十分に低減することができる。また、電力の供給がない場合であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。
【０２９２】
記憶された情報を読み出す場合（読み出し）は、第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第５の配線に適切な電位（読み出し電位）を与えると、ノードＦＧに保持された電荷量に応じて、トランジスタ２４０は異なる状態をとる。一般に、トランジスタ２４０をｎチャネル型とすると、ノードＦＧにＨｉｇｈレベル電荷が保持されている場合のトランジスタ２４０の見かけのしきい値Ｖ_ｔｈ＿Ｈは、ノードＦＧにＬｏｗレベル電荷が保持されている場合のトランジスタ２４０の見かけのしきい値Ｖ_ｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、見かけのしきい値とは、トランジスタ２４０を「オン状態」とするために必要な第５の配線の電位をいうものとする。したがって、第５の配線の電位をＶ_ｔｈ＿ＨとＶ_ｔｈ＿Ｌの中間の電位Ｖ_０とすることにより、ノードＦＧに保持された電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、Ｈｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ_０（＞Ｖ_ｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ２４０は「オン状態」となる。Ｌｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ_０（＜Ｖ_ｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ２４０は「オフ状態」のままである。このため、第５の配線の電位を制御して、トランジスタ２４０のオン状態またはオフ状態を読み出す（第２の配線の電位を読み出す）ことで、記憶された情報を読み出すことができる。
【０２９３】
また、記憶させた情報を書き換える場合においては、上記の書き込みによって所定量の電荷を保持したノードＦＧに、新たな電位を供給することで、ノードＦＧに新たな情報に係る電荷を保持させる。具体的には、第４の配線の電位を、トランジスタ３４５がオン状態となる電位にして、トランジスタ３４５をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位（新たな情報に係る電位）が、ノードＦＧに供給され、ノードＦＧに所定量の電荷が蓄積される。その後、第４の配線の電位をトランジスタ３４５がオフ状態となる電位にして、トランジスタ３４５をオフ状態とすることにより、ノードＦＧには、新たな情報に係る電荷が保持された状態となる。すなわち、ノードＦＧに第１の書き込みによって所定量の電荷が保持された状態で、第１の書き込みと同様の動作（第２の書き込み）を行うことで、記憶させた情報を上書きすることが可能である。
【０２９４】
本実施の形態で示すトランジスタ３４５は、高純度化され、真性化された酸化物半導体膜３０８を用いることで、トランジスタ３４５のオフ電流を十分に低減することができる。また、酸化物半導体膜３０８を酸素過剰な層とすることで、トランジスタ３４５の電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定なトランジスタとすることができる。さらに、ハロゲンドープ処理によって酸化物半導体膜が形成されるゲート絶縁膜に塩素に代表されるハロゲンを添加することで、電気的バイアスストレスや熱ストレスに起因する劣化をより抑制し、光による劣化をより低減することができる。そして、このようなトランジスタを用いることで、極めて長期にわたり記憶内容を保持することが可能で、信頼性の高い半導体装置が得られる。また、多値のデータを記憶する半導体装置には、しきい値の変動が小さいことが求められるが、トランジスタ３４５は、そのような目的に適している。
【０２９５】
また、本実施の形態において示す半導体装置では、トランジスタ２４０とトランジスタ３４５を重畳させることで、集積度が十分に高められた半導体装置が実現される。
【０２９６】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２９７】
（実施の形態５）
実施の形態１または２で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置（表示装置ともいう）を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０２９８】
図８（Ａ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２を囲むようにして、シール材４００５が設けられ、第２の基板４００６によって封止されている。図８（Ａ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆動回路４００４、信号線駆動回路４００３が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）４０１８ａ、４０１８ｂから供給されている。
【０２９９】
図８（Ｂ）（Ｃ）において、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、表示素子と共に封止されている。図８（Ｂ）（Ｃ）においては、第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。図８（Ｂ）（Ｃ）においては、別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０３００】
また図８（Ｂ）（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
【０３０１】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）方法などを用いることができる。図８（Ａ）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４を実装する例であり、図８（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図８（Ｃ）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
【０３０２】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【０３０３】
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＡＢテープもしくはＴＣＰが取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【０３０４】
また第１の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態１または２で例示したトランジスタを適用することができる。
【０３０５】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）、発光素子（発光表示素子ともいう）、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
【０３０６】
半導体装置の一形態について、図９乃至図１１を用いて説明する。図９乃至図１１は、図８（Ｂ）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０３０７】
図９乃至図１１で示すように、半導体装置は接続端子電極４０１５及び端子電極４０１６を有しており、接続端子電極４０１５及び端子電極４０１６はＦＰＣ４０１８が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して、電気的に接続されている。
【０３０８】
接続端子電極４０１５は、第１の電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。
【０３０９】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、トランジスタを複数有しており、図９乃至図１１では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１とを例示している。図１０及び図１１では、トランジスタ４０１０、４０１１上に、絶縁層４０２１が設けられている。
【０３１０】
本実施の形態では、トランジスタ４０１０、トランジスタ４０１１として、実施の形態１または２で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ４０１０、トランジスタ４０１１は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図９乃至図１１で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０３１１】
また、本実施の形態では、絶縁層上において駆動回路用のトランジスタ４０１１の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置には導電層を設けてもよい。導電層を酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、ＢＴ試験前後におけるトランジスタ４０１１のしきい値電圧の変化量をさらに低減することができる。また、導電層は、電位がトランジスタ４０１１のゲート電極と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲート電極として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
【０３１２】
また、該導電層は外部の電場を遮蔽する、すなわち外部の電場が内部（トランジスタを含む回路部）に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮蔽機能）も有する。導電層の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によりトランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。
【０３１３】
画素部４００２に設けられたトランジスタ４０１０は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。
【０３１４】
図９に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図９において、表示素子である液晶素子４０１３は、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１、及び液晶層４００８を含む。なお、液晶層４００８を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜４０３２、４０３３が設けられている。第２の電極層４０３１は第２の基板４００６側に設けられ、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１とは液晶層４００８を介して積層する構成となっている。
【０３１５】
またスペーサ４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なおスペーサ４０３５の形状は、柱状に限定されるものではなく、例えば、球状のスペーサを用いていても良い。
【０３１６】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０３１７】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
【０３１８】
また、液晶材料の固有抵抗率は、１×１０^９Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは１×１０^１１Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１×１０^１２Ω・ｃｍ以上である。なお、本明細書における固有抵抗率の値は、２０℃で測定した値とする。
【０３１９】
液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して１／３以下、好ましくは１／５以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。
【０３２０】
本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【０３２１】
また、本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
【０３２２】
液晶表示装置には、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（ＡｘｉａｌｌｙＳｙｍｍｅｔｒｉｃａｌｉｇｎｅｄＭｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（ＯｐｔｉｃａｌＣｏｍｐｅｎｓａｔｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
【０３２３】
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ＤｏｍａｉｎＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（ＰａｔｔｅｒｎｅｄＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（ＡｄｖａｎｃｅｄＳｕｐｅｒＶｉｅｗ）モードなどを用いることができる。また、画素（ピクセル）をいくつかの領域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
【０３２４】
また、表示装置において、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
【０３２５】
また、バックライトとして複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いて、時間分割表示方式（フィールドシーケンシャル駆動方式）を行うことも可能である。フィールドシーケンシャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うことができる。
【０３２６】
また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白を表す）、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
【０３２７】
また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０３２８】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０３２９】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明する。
【０３３０】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。
【０３３１】
図１０に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子４５１３は、画素部４００２に設けられたトランジスタ４０１０と電気的に接続している。なお発光素子４５１３の構成は、第１の電極層４０３０、電界発光層４５１１、第２の電極層４０３１の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子４５１３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１３の構成は適宜変えることができる。電流励起型発光では、発光強度をトランジスタのドレイン電流で制御するが、トランジスタのしきい値が変動すると、ドレイン電流が大きく変動してしまうので、しきい値の変動が小さいトランジスタが求められる。実施の形態１や２で示したトランジスタは、この目的にかなっている。
【０３３２】
隔壁４５１０は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第１の電極層４０３０上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０３３３】
電界発光層４５１１は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
【０３３４】
発光素子４５１３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層４０３１及び隔壁４５１０上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−ＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）膜等を形成することができる。また、第１の基板４００１、第２の基板４００６、及びシール材４００５によって封止された空間には充填材４５１４が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【０３３５】
充填材４５１４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
【０３３６】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０３３７】
また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）とも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
【０３３８】
電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の粒子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。
【０３３９】
このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
【０３４０】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０３４１】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【０３４２】
また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第１の電極層及び第２の電極層の間に配置し、第１の電極層及び第２の電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
【０３４３】
図１１に、半導体装置の一形態としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。図１１の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。
【０３４４】
トランジスタ４０１０と接続する第１の電極層４０３０と、第２の基板４００６に設けられた第２の電極層４０３１との間には黒色領域４６１５ａ及び白色領域４６１５ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ４６１２を含む球形粒子４６１３が設けられており、球形粒子４６１３の周囲は樹脂等の充填材４６１４で充填されている。第２の電極層４０３１が共通電極（対向電極）に相当する。第２の電極層４０３１は、共通電位線と電気的に接続される。
【０３４５】
なお、図９乃至図１１において、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０３４６】
絶縁層４０２１は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
【０３４７】
絶縁層４０２１の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコーティング等を用いることができる。
【０３４８】
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
【０３４９】
表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【０３５０】
第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０３５１】
また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０３５２】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０３５３】
以上のように、実施の形態１または２で例示したトランジスタを適用することで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０３５４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０３５５】
（実施の形態６）
実施の形態１または２のいずれかで一例を示したトランジスタを用いて、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置を作製することができる。
【０３５６】
図１２（Ａ）に、イメージセンサ機能を有する半導体装置の一例を示す。図１２（Ａ）はフォトセンサの等価回路であり、図１２（Ｂ）はフォトセンサの一部を示す断面図である。
【０３５７】
フォトダイオード６０２は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線６５８に、他方の電極がトランジスタ６４０のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ６４０は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線６７２に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ６５６のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ６５６は、ゲートがゲート信号線６５９に、ソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線６７１に電気的に接続されている。
【０３５８】
なお、本明細書における回路図において、酸化物半導体膜を用いるトランジスタと明確に判明できるように、酸化物半導体膜を用いるトランジスタの記号には「ＯＳ」と記載している。図１２（Ａ）において、トランジスタ６４０、トランジスタ６５６は酸化物半導体膜を用いるトランジスタである。
【０３５９】
図１２（Ｂ）は、フォトセンサにおけるフォトダイオード６０２及びトランジスタ６４０に示す断面図であり、絶縁表面を有する基板６０１（ＴＦＴ基板）上に、センサとして機能するフォトダイオード６０２及びトランジスタ６４０が設けられている。フォトダイオード６０２、トランジスタ６４０の上には接着層６０８を用いて基板６１３が設けられている。また、トランジスタ６４０上には、第１の層間絶縁層６３３、第２の層間絶縁層６３４が設けられている。
【０３６０】
フォトダイオード６０２は、第１の層間絶縁層６３３上に設けられ、第１の層間絶縁層６３３上に形成した電極層６４１と、第２の層間絶縁層６３４上に設けられた電極層６４２との間に、第１の層間絶縁層６３３側から順に第１半導体層６０６ａ、第２半導体層６０６ｂ、及び第３半導体層６０６ｃを積層した構造を有している。
【０３６１】
また、トランジスタ６４０のゲート電極と電気的に接続されるように、該ゲート電極と同じ層にゲート電極６４５が設けられている。ゲート電極６４５は、第１の層間絶縁層６３３、トランジスタ６４０の保護絶縁膜およびトランジスタ６４０のゲート絶縁膜とに設けられた開口を介して、第１の層間絶縁層６３３に形成された電極層６４４と電気的に接続している。第３の半導体層６０６ｃと電気的に接続された電極層６４２は、電極層６４４を介してゲート電極６４５と電気的に接続しているため、フォトダイオード６０２はトランジスタ６４０と電気的に接続している。また、第１の半導体層６０６ａと電気的に接続された電極層６４１は、第２の層間絶縁層６３４に形成された導電層６４３と電気的に接続している。
【０３６２】
本実施の形態では、トランジスタ６４０として、実施の形態１または２のいずれかで示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ６４０、トランジスタ６５６は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定であるため、図１２で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０３６３】
ここでは、第１半導体層６０６ａとしてｐ型の導電型を有する半導体層と、第２半導体層６０６ｂとして高抵抗な半導体層（ｉ型半導体層）、第３半導体層６０６ｃとしてｎ型の導電型を有する半導体層を積層するｐｉｎ型のフォトダイオードを例示している。
【０３６４】
第１半導体層６０６ａはｐ型半導体層であり、ｐ型を付与する不純物元素を含むアモルファスシリコン膜により形成することができる。第１半導体層６０６ａの形成には１３族の不純物元素（例えばボロン（Ｂ））を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成する。半導体材料ガスとしてはシラン（ＳｉＨ_４）を用いればよい。または、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４等を用いてもよい。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、ＬＰＣＶＤ法、気相成長法、又はスパッタリング法等を用いればよい。第１半導体層６０６ａの膜厚は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるよう形成することが好ましい。
【０３６５】
第２半導体層６０６ｂは、ｉ型半導体層（真性半導体層）であり、アモルファスシリコン膜により形成する。第２半導体層６０６ｂの形成には、半導体材料ガスを用いて、アモルファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。半導体材料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ_４）を用いればよい。または、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４等を用いてもよい。第２半導体層６０６ｂの形成は、ＬＰＣＶＤ法、気相成長法、スパッタリング法等により行っても良い。第２半導体層６０６ｂの膜厚は２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となるように形成することが好ましい。
【０３６６】
第３半導体層６０６ｃは、ｎ型半導体層であり、ｎ型を付与する不純物元素を含むアモルファスシリコン膜により形成する。第３半導体層６０６ｃの形成には、１５族の不純物元素（例えばリン（Ｐ））を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成する。半導体材料ガスとしてはシラン（ＳｉＨ_４）を用いればよい。または、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４等を用いてもよい。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、ＬＰＣＶＤ法、気相成長法、又はスパッタリング法等を用いればよい。第３半導体層６０６ｃの膜厚は２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるよう形成することが好ましい。
【０３６７】
また、第１半導体層６０６ａ、第２半導体層６０６ｂ、及び第３半導体層６０６ｃは、アモルファス半導体ではなく、多結晶半導体を用いて形成してもよいし、微結晶半導体（セミアモルファス半導体（ＳｅｍｉＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＳＡＳ）を用いて形成してもよい。
【０３６８】
微結晶半導体は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ^−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ^−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ^−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られる。
【０３６９】
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４などのシリコンを含む気体を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。さらには、シリコンを含む気体中に、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_６等の炭化物気体、ＧｅＨ_４、ＧｅＦ_４等のゲルマニウムを含む気体、Ｆ_２等を混入させてもよい。
【０３７０】
また、光電効果で発生した正孔の移動度は電子の移動度に比べて小さいため、ｐｉｎ型のフォトダイオードはｐ型の半導体層側を受光面とする方がよい特性を示す。ここでは、ｐｉｎ型のフォトダイオードが形成されている基板６０１の面からフォトダイオード６０２が受ける光６２２を電気信号に変換する例を示す。また、受光面とした半導体層側とは逆の導電型を有する半導体層側からの光は外乱光となるため、電極層は遮光性を有する導電膜を用いるとよい。また、ｎ型の半導体層側を受光面として用いることもできる。
【０３７１】
第１の層間絶縁層６３３、第２の層間絶縁層６３４としては、表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する絶縁層が好ましい。第１の層間絶縁層６３３、第２の層間絶縁層６３４としては、例えばポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等の単層、又は積層を用いることができる。
【０３７２】
第１の層間絶縁層６３３、第２の層間絶縁層６３４としては、絶縁性材料を用いて、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコーティング等を用いて形成することができる。
【０３７３】
フォトダイオード６０２に入射する光を検出することによって、被検出物の情報を読み取ることができる。なお、被検出物の情報を読み取る際にバックライトなどの光源を用いることができる。
【０３７４】
トランジスタ６４０として、実施の形態１または２で一例を示したトランジスタを用いることができる。水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を意図的に排除することで高純度化され、また、酸素ドープ処理により酸素を過剰に含有する酸化物半導体膜を含むトランジスタは、トランジスタの電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０３７５】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０３７６】
（実施の形態７）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
【０３７７】
図１３（Ａ）は電子書籍（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体９６３０、表示部９６３１、操作キー９６３２、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有することができる。図１３（Ａ）に示した電子書籍は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図１３（Ａ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ（以下、コンバータと略記）９６３６を有する構成について示している。先の実施の形態で示した半導体装置を表示部９６３１に適用することにより、信頼性の高い電子書籍とすることができる。
【０３７８】
図１３（Ａ）に示す構成とすることにより、表示部９６３１として半透過型、又は反射型の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想され、太陽電池９６３３による発電、及びバッテリー９６３５での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池９６３３は、筐体９６３０の空きスペース（表面や裏面）に適宜設けることができるため、効率的なバッテリー９６３５の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０３７９】
また図１３（Ａ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図１３（Ｂ）にブロック図を示し説明する。図１３（Ｂ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、コンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、コンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
【０３８０】
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【０３８１】
次いで外光により太陽電池９６３３により発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー９６３５に蓄電された電力は、スイッチＳＷ３をオンにすることでコンバータ９６３７により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作にバッテリー９６３５からの電力が用いられることとなる。
【０３８２】
なお太陽電池９６３３については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
【０３８３】
図１４（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。先の実施の形態で示した半導体装置を表示部３００３に適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。
【０３８４】
図１４（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス３０２２がある。先の実施の形態で示した半導体装置を表示部３０２３に適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）とすることができる。
【０３８５】
図１４（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍２７００は、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
【０３８６】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図１４（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部（図１４（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。先の実施の形態で示した半導体装置を表示部２７０５、表示部２７０７に適用することにより、信頼性の高い電子書籍２７００とすることができる。
【０３８７】
また、図１４（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
【０３８８】
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０３８９】
図１４（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８００には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。先の実施の形態で示した半導体装置を表示パネル２８０２に適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
【０３９０】
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図１４（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０３９１】
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図１４（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０３９２】
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０３９３】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０３９４】
図１４（Ｅ）は、デジタルビデオカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６などによって構成されている。先の実施の形態で示した半導体装置を表示部（Ａ）３０５７、表示部（Ｂ）３０５５に適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
【０３９５】
図１４（Ｆ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。先の実施の形態で示した半導体装置を表示部９６０３に適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置９６００とすることができる。
【０３９６】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０３９７】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０３９８】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０３９９】
１０プラズマ装置
１１基板供給室
１２ロードロック室
１３搬送室
１４カセットポート
１５真空チャンバー
１６ＩＣＰコイル
１７ガス流路
１８第１の高周波電源
１９基板ステージ
２０被処理基板
２１第２の高周波電源
２２自動圧力制御弁
２３ターボ分子ポンプ
２４ドライポンプ
１００基板
１０２ａゲート絶縁膜
１０２ｂゲート絶縁膜
１０４ａソース電極
１０４ｂドレイン電極
１０６酸化物半導体膜
１０８酸化物半導体膜
１１０ａ絶縁膜
１１０ｂ絶縁膜
１１２ゲート電極
１１２ａゲート電極
１１２ｂ電極
１１４絶縁膜
１２０トランジスタ
１２５トランジスタ
１３０トランジスタ
１３５トランジスタ
１４０トランジスタ
１４５トランジスタ
１５０トランジスタ
１５１絶縁膜
１５２絶縁膜
１５４電極
１５６配線
１６０トランジスタ
１６４容量素子
１８０ハロゲン
１８２酸素
２００基板
２０６素子分離絶縁膜
２０８ゲート絶縁膜
２１０ゲート電極
２１６チャネル形成領域
２２０不純物領域
２２４金属化合物領域
２２８絶縁膜
２３０絶縁膜
２４０トランジスタ
３００基板
３０２絶縁膜
３０２ａ絶縁膜
３０２ｂ絶縁膜
３０４ａソース電極
３０４ｂドレイン電極
３０８酸化物半導体膜
３１０ゲート絶縁膜
３１０ａゲート絶縁膜
３１０ｂゲート絶縁膜
３１２ゲート電極
３１２ａゲート電極
３１２ｂ電極
３１４絶縁膜
３２０トランジスタ
３２５トランジスタ
３３０トランジスタ
３３５トランジスタ
３４０トランジスタ
３４５トランジスタ
３５０トランジスタ
３８０ハロゲン
３８２酸素
６０１基板
６０２フォトダイオード
６０６ａ半導体層
６０６ｂ半導体層
６０６ｃ半導体層
６０８接着層
６１３基板
６２２光
６３１絶縁膜
６３３層間絶縁層
６３４層間絶縁層
６４０トランジスタ
６４１電極層
６４２電極層
６４３導電層
６４４電極層
６４５ゲート電極
６５６トランジスタ
６５８フォトダイオードリセット信号線
６５９ゲート信号線
６７１フォトセンサ出力信号線
６７２フォトセンサ基準信号線
２７００電子書籍
２７０１筐体
２７０３筐体
２７０５表示部
２７０７表示部
２７１１軸部
２７２１電源
２７２３操作キー
２７２５スピーカー
２８００筐体
２８０１筐体
２８０２表示パネル
２８０３スピーカー
２８０４マイクロフォン
２８０５操作キー
２８０６ポインティングデバイス
２８０７カメラ用レンズ
２８０８外部接続端子
２８１０太陽電池セル
２８１１外部メモリスロット
３００１本体
３００２筐体
３００３表示部
３００４キーボード
３０２１本体
３０２２スタイラス
３０２３表示部
３０２４操作ボタン
３０２５外部インターフェイス
３０５１本体
３０５３接眼部
３０５４操作スイッチ
３０５５表示部（Ｂ）
３０５６バッテリー
３０５７表示部（Ａ）
４００１基板
４００２画素部
４００３信号線駆動回路
４００４走査線駆動回路
４００５シール材
４００６基板
４００８液晶層
４０１０トランジスタ
４０１１トランジスタ
４０１３液晶素子
４０１５接続端子電極
４０１６端子電極
４０１８ＦＰＣ
４０１９異方性導電膜
４０２１絶縁層
４０３０電極層
４０３１電極層
４０３２絶縁膜
４０３５スペーサ
４５１０隔壁
４５１１電界発光層
４５１３発光素子
４５１４充填材
４６１２キャビティ
４６１３球形粒子
４６１４充填材
４６１５ａ黒色領域
４６１５ｂ白色領域
９６００テレビジョン装置
９６０１筐体
９６０３表示部
９６０５スタンド
９６３０筐体
９６３１表示部
９６３２操作キー
９６３３太陽電池
９６３４充放電制御回路
９６３５バッテリー
９６３６コンバータ
９６３７コンバータ

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、
前記第１の絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、
前記水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、
前記酸素原子が供給された前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜上に接して、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜を覆うように、窒素を含有する絶縁膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、
前記第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、
前記水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、
前記酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜上に接して、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
前記ゲート電極を覆うように、窒素を含有する絶縁膜を形成する請求項３に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記酸化物半導体膜を形成した後、前記酸化物半導体膜を島状に加工する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記酸化物半導体膜を島状に加工する工程において、少なくとも前記第１の絶縁膜の一部も島状に加工する請求項５に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜と接するように前記第２の絶縁膜を形成する請求項５または６に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜を形成する請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜と、前記酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜を積層して形成する請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
前記第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給する工程に代えて、
前記第１の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜にハロゲン原子を供給し、
前記第１の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素とは異なる元素を含む絶縁膜上に前記酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜を形成する請求項９に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、ガリウムを含む絶縁膜を形成する請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、ガリウムを含む絶縁膜と、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜を形成する請求項１乃至１１のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給する工程に代えて、
前記第１の絶縁膜として、ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜を形成し、
前記ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜にハロゲン原子を供給し、
前記第１の絶縁膜として、前記ガリウムとは異なる材料を含む絶縁膜上に前記ガリウムを含む絶縁膜を形成する請求項１２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
前記ハロゲンドープ処理において、塩素を用いる請求項１乃至１３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。

【図１】