【課題】ウエットプロセスで成膜する場合に、駆動時よりも基板温度を低温で成膜することにより、よりパッキング密度の高い半導体膜が得られる有機半導体薄膜の製造方法を提供することができた。また、前記製造方法を用いて有機半導体薄膜、有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含有する溶液を、基板上へ供給して薄膜形成を行う有機半導体薄膜の製造方法において、該有機半導体薄膜の駆動時の温度以下の温度条件下で成膜する工程を有することを特徴とする有機半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶剤や樹脂に対する溶解・相溶性に優れ、高いキャリア移動度を持つ電荷輸送性材料を用い動作速度が速く製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを含む有機半導体を備えた有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】ＳＯＩ構造もしくはＳＯＩ構造を有する半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＳｉＧｅ膜およびＳｉ膜を形成し、これらの膜を選択的に第１除去することにより、基板に到達する分離溝を形成し、その上に酸化シリコン膜を形成した後、さらにこれらの膜を第２除去することにより少なくともＳｉＧｅ膜の側壁を露出させ、この露出部からＳｉＧｅ膜をエッチングすることにより、Ｓｉ膜の下部に空洞部を形成する際、シリコン基板１をフッ酸を含有する溶液に浸漬し、ＳｉＧｅ膜に正電位を印加した状態でＳｉＧｅ膜をエッチングする。このように、Ｓｉ（又はＧｅ）の酸化工程を陽極酸化で行ったので、硝酸フリーのエッチング液でＳｉＧｅ膜の除去を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成された半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、埋め込み酸化膜３と、シリコン膜５とを有するＳＯＩ基板１０のシリコン膜５の素子形成領域Ａｃを取り囲む素子分離領域Ｉｓを熱酸化することにより熱酸化膜１５を形成し、素子形成領域Ａｃに形成された酸化膜を除去した後、堆積膜１７を堆積し、素子形成領域Ａｃに位置するシリコン膜５が露出するまで堆積膜１７をエッチバックし、露出したシリコン膜５上にＭＩＳＦＥＴを形成する。その結果、酸化膜の除去の際、熱酸化膜が侵食され素子形成領域と素子分離領域との境界に凹部１６が生じても、堆積膜１７で埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により確実なコンタクトを実現し、微細化が可能な相補型薄膜トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】基板の絶縁性表面上に設けられた複数の起点部のそれぞれを略中心として形成された複数の単結晶粒を用いて形成された第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとを備え、複数の単結晶粒は結晶粒界を介して隣接する少なくとも第１の単結晶粒と第２の単結晶粒とからなり、第１導電型の薄膜トランジスタは第１の単結晶粒に結晶粒界に近接して形成された少なくとも第１導電型のドレイン領域を備え、第２導電型の薄膜トランジスタは第２の単結晶粒に結晶粒界に近接して形成された少なくとも第２導電型のドレイン領域を備え、結晶粒界上に第１導電型のドレイン領域及び第２導電型のドレイン領域から出力を取り出す共通電極を備える。 （もっと読む）

【課題】無線信号から生成できる電流値及び電圧値の範囲内で駆動できるメモリを搭載した半導体装置を提供することを課題とする。また、半導体装置製造後に書き込みをいつでも行える追記型のメモリを提供することも課題とする。
【解決手段】絶縁性を有する基板上にアンテナと、アンチヒューズ型のＲＯＭと、駆動回路とを形成する。アンチヒューズ型のＲＯＭを構成する一対の電極のうち、もう一方の電極も駆動回路を構成するトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ工程、且つ、同じ材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】コ字状電極ＴＦＴの構成を回避することにより、大電流を安定に流すとともに、リーク電流を抑制することのできる薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置用駆動回路を得る。
【解決手段】ａ−Ｓｉ層２Ａは、ソース電極３のコ字状電極部６の内側とドレーン電極４の平行電極肢の先端部との間の除去領域８と、ドレーン電極４のコ字状電極部７の内側とソース電極３の平行電極肢の先端部との間の除去領域９と、において完全に除去され、各電極３、４の平行電極肢を含むチャネル領域５Ａと、少なくとも各電極３、４とゲート電極１とが平面的に重なる領域と、に形成されている。 （もっと読む）

【課題】クロストークノイズを抑制し誤作動を防止できるようにした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に設けられたＳｉ層１２と、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２の底面および側面を覆う絶縁分離層５、６を備える。絶縁分離層５は、絶縁膜５ａおよび導電層５ｂからなり、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２と他領域のＳｉ層１２との間を絶縁分離する。また、絶縁分離層６は、絶縁膜６ａおよび導電層６ｂからなり、Ｓｉ層１２とＳｉ基板１との間を絶縁分離する。導電層５ｂ、６ｂは、金属または低抵抗半導体からなるので、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２と他領域のＳｉ層１２との間、および、Ｓｉ層１２と半導体基板との間で電気力線を遮断することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明による表示装置においては、生産性が高く、表示品位の優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板と、基板上に設けられ、半導体層とキャパシタ電極６及びゲート電極１５を含む第１導電層との間に配置されるゲート絶縁膜５と、半導体層、第１導電層、及びゲート絶縁膜５の上層に形成された層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に形成され、信号線９を含む第２導電層と、層間絶縁膜８及び第２導電層の上に形成された保護膜１０と、保護膜１０の上に形成された画素電極層１２と、を備え、画素電極層１２が、保護膜１０を貫通して第２導電層まで到達し、かつ保護膜１０、層間絶縁膜８、及びゲート絶縁膜５を貫通して半導体層まで到達することによって、半導体層と第２導電層とが画素電極層１２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとの特性のばらつきが防止され、安定して動作する信頼性の高い相補型薄膜トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】基板の絶縁性表面上に設けられた複数の起点部のそれぞれを略中心として形成された単結晶粒を用いて形成された第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとを備え、前記第１導電型の薄膜トランジスタ及び第２導電型の薄膜トランジスタは、ドレイン電流の向きを揃えて形成されるとともに少なくとも該第１導電型の薄膜トランジスタ及び第２導電型の薄膜トランジスタのチャネル領域が同一面方位を有する前記単結晶粒内に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射を行う際に、レーザ光の長軸方向の端部領域におけるエネルギー強度分布の低い領域の、エネルギー強度分布を高くするレーザ照射装置およびレーザ照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ光を照射面に照射させる際に、レーザ発振器から発振されたレーザ光を、光学素子を介して一方向に集光する。光学素子を通過し、一方向に集光されたレーザ光を、レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過させることにより、照射面においてレーザの長軸方向の端部領域にエネルギー強度分布が急峻に高くなる領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜半導体装置１０は、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極２１まではパターンなどを設けないで平坦なまま形成され、さらに半導体層１３、ゲート絶縁膜１８の下層には段差を生じさせる層が形成されていない。従って、ゲート絶縁膜１８に、亀裂等が生じず、ゲートリーク電流を抑制させることができ、良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストなＴＦＴ基板の製造方法、及びこれを用いた表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴ基板の製造方法は、基板１上にアモルファスシリコン膜４を形成するアモルファスシリコン膜形成工程と、アモルファスシリコン膜４上に屈折率が１．５５以上１．８０以下のシリコン酸窒化膜からなる反射防止膜６を形成する反射防止膜形成工程と、反射防止膜６が形成された基板に反射防止膜６を介してレーザアニールを行ない、アモルファスシリコン膜４を結晶化してポリシリコン膜５を形成するポリシリコン膜形成工程と、ポリシリコン膜５形成後に反射防止膜６を除去する反射防止膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】データライン用金属膜のエッチング時に発生するストリンガを防止する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にゲートライン１２２、ゲート絶縁膜１３０、活性層１４０、及びデータライン用金属膜１５０を形成し、データライン用金属膜１５０上にチャンネル形成領域１５４部分が他領域に比べて薄い第１フォトレジストパターン１６０を形成する。第１フォトレジストパターンを用いてデータライン用金属膜を１次エッチングし、さらに活性層をエッチングする。第１フォトレジストパターンをＳＦ_６とＯ_２が１：４〜１：２０の比率で混合されたガスで乾式エッチングして、チャンネル形成領域部分が開口した第２フォトレジストパターン１６２を形成すると同時に１次エッチングされたデータライン用金属膜の表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの枚数を低減しながらも、容易且つ高精度に半導体装置を製造する。
【解決手段】ゲート配線５と、ソース配線６と、ゲート配線５及びソース配線６に接続された薄膜トランジスタ１２と、薄膜トランジスタ１２に接続された絵素電極１１とを備えた半導体装置１を製造する場合に、絵素電極１１とソース配線６とを同時にパターン形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上にシリコン層４を形成する工程と、シリコン層４上にテトラエトキシシランを原料ガスとして用いた化学気相堆積法により酸化シリコン膜５ａを形成する工程と、酸化シリコン膜５ａの上層に窒化シリコン膜５ｂを形成する工程と、アニール処理を行なう工程と、を有する。 （もっと読む）

半導体構造の製造方法は、第１トランジスタ素子および第２トランジスタ素子を有する半導体基板を提供するステップを有する。前記第１トランジスタ素子は少なくとも１つの第１アモルファス領域を含み、前記第２トランジスタ素子は少なくとも１つの第２アモルファス領域を含む。前記第１トランジスタ素子の上に応力発生層が形成される。前記応力発生層は、前記第２トランジスタ素子は覆わない。第１アニールプロセスが実施される。前記第１アニールプロセスは、前記第１アモルファス領域および前記第２アモルファス領域を再結晶化させるために適合されている。前記第１アニールプロセス後に、第２アニールプロセスが実施される。前記第２アニールプロセス中は、前記応力発生層が前記基板上に残されている。
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【課題】 ゲート絶縁膜の平坦性が優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上の絶縁体層に溝を設け、この溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるようにゲート電極１２を形成し、該ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１３を介して半導体層１４を配置し、該半導体層にソース電極１５およびドレイン電極の少なくとも一方を電気的に接続した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜１３を前記ゲート電極１２上に設けた絶縁体塗布膜１３１とその上に形成された絶縁体ＣＶＤ膜１３２とを含んで構成した。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを介しての電気的な接続部分の信頼性が高く、かつ、かかる接続部分の占有面積を縮小することのできる半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタを形成した後、層間絶縁膜形成工程において、下層側絶縁膜４０として、シリコン窒化膜層４１を形成した後、このシリコン窒化膜層４１の上層にシリコン酸化膜層４２を形成し、さらに、上層側絶縁膜４３としてシリコン窒化膜層を形成して、層間絶縁膜４を形成する。次に、レジストマスク５を形成した状態で、等方性プラズマエッチングを行い、上層側絶縁膜４３にコンタクトホール４ｈの上穴部分４３ｈを大径に形成する。続いて、異方性プラズマエッチングを行い、コンタクトホール４ｈの下穴部分４２ｈを小径に形成する。 （もっと読む）