【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層１７２と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 画素電極近傍の光り抜けを防止できるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型液晶表示装置において、アレイ基板１０上に、配線を形成した後透明な絶縁膜２０を成膜する工程と、該配線側面に、該配線の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をドライエッチングする工程と、前記配線の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚の前記配線のみ、ウェットエッチングする工程とを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置における光の取り出し効率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置において、第１の凹部１０１ａ〜第３の凹部１０１ｃを有する第１の基板１００に金属膜１０２ａ〜第３の金属膜１０２ｃを形成することや、画素電極１４５、有機層１４８、凸部１４９ａの表面を有する陰極１４９からなる発光素子１５０を形成することにより、光の損失や隣の画素への光漏れを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣ等の半導体装置や、表示装置に用いられるＴＦＴ基板で使用される、Ａｌを含む積層配線の信頼性を高める。
【解決手段】 上層の金属層２２を下層のＡｌ又はＡｌを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させる。この積層配線は、エッチングによりこれを作製する際に、上層の金属層２２よりも下層のＡｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１の方のエッチング速度を大きくして、Ａｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１のサイドエッチングを多くし、上層の金属層２２を下層のアルミニウム又はアルミニウムを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させることで作製できる。 （もっと読む）

【課題】 上層配線の線幅面積を減少させて、上下配線間の相互干渉による不具合を低減する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の配線７を覆うＴＥＯＳ膜から成る第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８を隔てて前記第１の配線７にコンタクトする第２の配線９と、該第２の配線９を覆うＴＥＯＳ膜から成る第２の層間絶縁膜１０と、該第２の層間絶縁膜１０を隔てて前記第２の配線９にコンタクトする第３の配線１１と、該第３の配線１１を覆うシリコン窒化膜１３とポリイミド系絶縁膜１４から成るパッシベーション膜１２とを具備し、前記第３の配線１１には相互干渉を起こし易い映像信号に用いられているクロマ系信号や同期信号やシリアルコントロール信号等が流れていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のＴＦＴのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（９ａ）とを備える。ＴＦＴ（３０）の下側には、第１遮光膜（１１ａ）が設けられている。データ線（６ａ）は、遮光性の材料からなり、ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）及びチャネル隣接領域（１ａ”）を対向基板（２０）の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部（６ｂ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）