【課題】大型基板上に多結晶シリコン(ポリシリコン)ＴＦＴを形成するために、基板上に形成した非晶質シリコン(アモルファスシリコン)膜をレーザ光で結晶化するプロセスにおいて、基板全面にわたり均一で大粒径の多結晶シリコンを容易に作成する。
【解決手段】基板上に形成した非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ201)し、この非晶質シリコン膜にレーザ光を照射(ステップ101)し、この照射で結晶化した多結晶シリコン膜の粒径分布を計測(ステップ102)し、多結晶シリコン膜の２つの点Ａ,Ｂにおける粒径の測定値(ステップ103〜105)から、適正なレーザ光照射エネルギー密度値を算出(ステップ106〜108)し、次の非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ110,201)し、この平均膜厚と１つ前の非晶質シリコン膜の平均膜厚とから照射するエネルギー密度値を算出(ステップ203,204)し、このエネルギー密度値をレーザ光照射系にフィードバック(ステップ109)する。 （もっと読む）

【課題】 不純物が導入された半導体膜を均一に加熱し、不純物の活性化と不純物が導入された領域の再結晶化を均一に行なうことの可能な光処理方法及び光処理装置を提供すること。
【解決手段】 光透過性基板上に形成された半導体膜、この半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜、及びこのゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を具備し、前記ゲート電極をマスクとして不純物が導入された前記半導体膜を光処理する方法において、前記光透過性基板の裏面から前記光透過性基板を通して前記半導体膜にエキシマレーザのパルスを１８０ｎｓ以上、継続照射し、前記半導体膜を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止するとともに、回路設計の自由度を増大させることができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向きに結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向きに結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って鋸歯状または正弦波状に衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産効率を高めるため、５インチよりも大きく、できるだけ大口径の半導体基板を利用して半導体装置を製造することを課題とする。
【解決手段】第１の半導体ウエハの表面上にバッファ層を形成し、イオンドーピング装置によりＨ_３^＋イオンを第１の半導体ウエハに照射してバッファ層の下方に損傷領域を形成する。バッファ層を介して、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板を密着させ、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、第１の単結晶半導体基板の加熱によって損傷領域に亀裂を生じさせ、第１の単結晶半導体基板の一部を第１の単結晶半導体基板から分離する。第２の単結晶半導体基板に固定された単結晶半導体層を加熱しながら、単結晶半導体層にレーザビームを照射して平坦性の向上と結晶性の回復の両方を行う。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ソースガスを励起してプラズマを生成し、プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、絶縁層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、単結晶半導体基板を加熱することにより、損傷領域において分離して、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板とに分離し、支持基板に貼り付けられた単結晶半導体層の表面に対して、ドライエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも一部を溶融することで、単結晶半導体層を再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】低比抵抗を有し、且つ上記ゲッタリング工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体素子からなる半導体回路を備える。保護膜は、高温処理を施した場合、基板からの不純物の拡散を抑えることができ、基板の不純物濃度に左右されることなく、良好なＴＦＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】バッファ層を介して単結晶半導体層を有する半導体基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷層を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体層を有する側より単結晶半導体層にレーザビームを照射し、単結晶半導体層のレーザビームが照射されている領域の表面から深さ方向の一部の領域を溶融することで、溶融せずに残った単結晶半導体層の面方位をもとにして再結晶化させることでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面の平坦化させる。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び液晶表示装置に関し、駆動回路部の大きさを増大させることなく各薄膜トランジスタの電荷移動度を均一にする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、絶縁基板上に結晶粒が成長して形成された多結晶シリコン薄膜からなる半導体パターンが形成されており、この半導体パターンはチャンネル領域とチャンネル領域の両側に位置するソース領域及びドレーン領域とを含み、半導体パターンをゲート絶縁膜が覆い、ゲート絶縁膜上には少なくとも一部が結晶粒の成長方向と交差する方向を有するゲート電極がチャンネル領域に重畳する。 （もっと読む）

【課題】信頼性向上、歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる半導体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質の半導体薄膜を形成する工程（ｓｔｅｐ１）と、自然酸化膜を除去する工程（Ｓｔｅｐ２）と、紫外線照射によって生成するオゾン又は／及び酸素ラジカルにより表面酸化処理を行う工程（Ｓｔｅｐ３）と、結晶粒界が略等間隔で、かつ格子状の周期構造を有する多結晶化された半導体薄膜を得るレーザーアニール工程（Ｓｔｅｐ４）とを備え、レーザーアニール工程において、表面酸化処理を行う工程を経ずに、自然酸化膜を除去する工程後、直ちにレーザーアニールを行うことにより多結晶化された半導体薄膜を得る場合のレーザー光の最適エネルギー密度に対して、所定のエネルギー密度だけ低いエネルギー密度にてレーザー光照射を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを往復させることによりスループットを高めると共に、往路と復路
との結晶性の差を確実に抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板のレーザビームが照射された既照射領域６１と未照射領域６２との光学
特性の変化、例えば透過光または反射光の強度の変化を、コントラストすなわち（（既照
射領域の光学特性）−（未照射領域の光学特性））／（（既照射領域の光学特性）＋（未
照射領域の光学特性）と定義する。コントラストを第１方向（往路）と第２方向（復路）
との各々について計測し、第１方向のコントラストと第２方向のコントラストとの差が所
定範囲内に収まるようにレーザビームの照射パワー、または、レーザビームと基板との相
対的な速度を変調する。改質された半導体膜において往路と復路との結晶性の差が確実に
抑えられ、ＴＦＴ特性差が小さくなり、表示装置の表示むらが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化を課題とする。また、効率のよい半導体基板の作製方法を提案することを課題とする。また、上記の半導体基板の特性を向上することを課題とする。また、上記の半導体基板を用いた半導体装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化及び作製効率の向上を図るために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、半導体基板を作製する。具体的には、複数の単結晶半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。また、ベース基板に形成した単結晶半導体層に対してエッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、単結晶半導体層に存在する損傷領域を除去すると共に、隣接する単結晶半導体層の間隙におけるベース基板の表面の一部を除去して、ベース基板に凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの一方の面からイオンを照射して、損傷層を形成し、半導体ウエハの一方の面上に絶縁層を形成し、支持基板の一方の面と、半導体ウエハに形成された絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、支持基板と半導体ウエハを接着し、損傷層において、半導体ウエハと支持基板とに分離させることで、支持基板上に半導体層を転置し、半導体層に部分的に残存する損傷層をウェットエッチングにより除去し、半導体層の表面に対してレーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】電気特性を高め、かつ電気特性のばらつきを抑制した半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に半導体薄膜を製造する方法であって、上記製造方法は、基板上に形成された非晶質珪素膜に対して、該非晶質珪素膜の膜面内の一方位に結晶化エネルギーを付与していくことにより、｛１０１｝面が膜面と平行でありかつ〈１００〉方位が結晶化エネルギーを付与していく方位と平行である第一結晶粒、及び、｛１１４｝面が膜面と平行でありかつ〈１２２〉方位が結晶化エネルギーを付与していく方位と平行な第二結晶粒で構成された多結晶珪素膜を形成する結晶化工程と、上記多結晶珪素膜に結晶成長エネルギーを付与することにより、第一結晶粒を消失させ、第二結晶粒を大きくする結晶成長工程とを含む半導体薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成にしたがって光学系の大型化を招くことなく、非単結晶半導体膜上での干渉縞の発生を良好に抑えることのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。所定方向（ｙ方向）に沿って配列された複数のシリンドリカルレンズ要素（２３ｂａ）を有するホモジナイザを介して光変調素子を照明する照明系と、光変調素子を介した光に基づいて所定の光強度分布を形成する結像光学系と、複数のシリンドリカルレンズ要素に対して１個おきに設けられた複数の短冊状の光学部材（２５）とを備えている。 （もっと読む）