【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜のうち、パターニング後に基板上に残される部分をマスクに従って把握する。そして、少なくともパターニングすることで得られる部分を結晶化することができるようにレーザー光の走査部分を定め、該走査部分にビームスポットがあたるようにし、半導体膜を部分的に結晶化する。チャネル方向とレーザーの走査方向を揃えることにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー１０１から分離された基板１０６に貼り合わせた半導体膜１０７に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物１０９、１１２を注入し、その上に単結晶半導体膜１１４を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らすことにより、電流特性と電子の移動度を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、金属誘導結晶化方法によって非晶質シリコン薄膜を結晶化薄膜２０ｂに結晶化する過程で、熱処理条件と金属触媒のドーピング量を最適化することにより粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らし、多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面にＯ₂ガスまたはＨ₂Ｏ蒸気を供給して多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面に不動態膜３０ａを形成し、それにより、電流特性と電子の移動度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】積層体中の被剥離体に損傷を与えず、短時間で被剥離体を転写体への転写する方法の提供を課題とする。また、基板上に作製した半導体素子を、転写体、代表的にはプラスチック基板に転写する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層と被剥離体を形成し、両面テープを介して被剥離体と支持体を接着し、剥離層と被剥離体を物理的手段によって剥離した後被剥離体を転写体に接着し、被剥離体から支持体と両面テープを剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】曲げ等の外力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の損傷を低減する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 （もっと読む）

【課題】 オフ電流の突発的な増大が抑制されるＴＦＴを備えた半導体装置を簡便に製造する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）の製造方法は、フォトレジスト層（Ｐ）を形成する工程と、導電層（Ｇ）に、第１領域（ＧＨ）と、第１領域（ＧＨ）よりも薄い第２領域（ＧＬ）を形成する工程と、フォトレジスト層（Ｐ）の一部を除去してフォトレジスト層（Ｐ）の残りの部分を除去しないようにフォトレジスト層（Ｐ）を部分的にエッチングする工程と、フォトレジスト層（Ｐ）の除去しなかった部分（ＰＡ’）をマスクとして用いてゲート電極（１３０）を形成する工程と、導電層（Ｇ）の第１領域（ＧＨ）および第２領域（ＧＬ）に対応して絶縁層（１２０）の第１領域（１２０Ｈ）および第２領域（１２０Ｌ）を形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する画素部を有する。前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有する。前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、層間絶縁膜の段差部における第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部（表示領域Ｈ）と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。額縁部は、薄膜トランジスタ等により構成される駆動回路を備える。また、薄膜トランジスタと接続されるソース電極及びドレイン電極を含む第１配線層１７と、第１配線層１７上に第２層間絶縁膜１８を介して形成される第２配線層１９とを有する。第２配線層１９は、Ａｌを含むＡｌ配線層１９ａと、Ａｌ配線層１９ａの表面を覆うトップバリアメタル層１９ｂとから構成され、Ａｌ配線層１９ａの底面を覆うボトムバリアメタル層が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】低比抵抗を有し、且つ上記ゲッタリング工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体素子からなる半導体回路を備える。保護膜は、高温処理を施した場合、基板からの不純物の拡散を抑えることができ、基板の不純物濃度に左右されることなく、良好なＴＦＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】より高集積化され、薄型化及び小型化された半導体装置を作製することを目的の一とする。また、半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。
【解決手段】剥離層を用いて基板から剥離された半導体素子層を、他基板に形成され、平坦化された無機絶縁層に覆われた半導体素子層上に積層する。上層の半導体素子層を基板より剥離後、剥離層を除去し半導体素子層下に形成される無機絶縁膜を露出する。平坦化された無機絶縁層及び無機絶縁膜を密着させて接合する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い微結晶半導体層、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。さらには、前記微結晶半導体膜の表面をフッ素系ガス（ＳｉＦ４）処理し、より結晶性を高める。
前記微結晶半導体膜を用いて、ボトムゲートの薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有し、且つ、信頼性および量産性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、互いに対向する第１および第２主面を有する可撓性基板１２と、可撓性基板の第１主面上に形成された島状の第１無機絶縁膜１３と、第１無機絶縁膜上に形成された島状の積層体であって、無機半導体材料からなる半導体層１４と半導体層と接する絶縁層１５とを含む積層体と、積層体を覆う第２無機絶縁膜１６と、半導体層に電気的に接続されたソース電極３４ａおよびドレイン電極３４ｂと、半導体層の少なくとも一部の導電性を制御するゲート電極１８とを有し、半導体層の法線方向からみたとき、半導体層および半導体層と絶縁層との界面の外周は、第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜によって包囲されており、且つ、第２無機絶縁膜は少なくとも１つ方向において可撓性基板上に端を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高効率プロセスで非晶質シリコンと多結晶シリコン（若しくは擬似単結晶シリコン）を同一基板上に形成する表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に、第１の非晶質の薄膜シリコンを蒸着する第１の蒸着工程と、前記第１の非晶質シリコンに選択的にレーザ光を照射し前記第１の非晶質シリコンに含有する水素を取り除く第１のレーザ光照射工程と、前記第１のレーザ光照射工程の後に、前記第１の非晶質シリコンに選択的にレーザ光を照射し多結晶若しくは擬似単結晶の薄膜シリコンを形成する第２のレーザ光照射工程と、前記前記多結晶若しくは前記擬似単結晶の薄膜シリコンを能動層として薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＰＳ膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜（例えば、ＣＧＳシリコン膜）よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、第１および第２主面を有する透明な基板を用意する工程と、基板の第１主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、遮光層と重ならない第１領域と、遮光層と重なる第２領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、第２主面側から半導体膜に光を照射し第１領域の半導体膜だけを選択的に結晶化することによって第１結晶領域を形成する工程と、その後に、第２領域の半導体膜を固相結晶化することによって第２結晶領域を形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生の抑制を行うゲッタリングの効果を良好に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル領域を挟んでソース領域とドレイン領域とを有する半導体層を備える薄膜トランジスタであって、上記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域は、チャネル領域よりも膜厚の薄い領域を有する薄膜トランジスタであり、好ましくは、上記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域は、該領域内で膜厚の厚い領域と膜厚の薄い領域とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の表面のチャネル形成領域に対応する箇所に島状導電膜を形成し該島状導電膜を絶縁膜で覆って凸部を形成する。形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。凸部上の溶融した半導体は凸部の両側に隣接する領域へと流れ、それによって凸部上に位置する半導体膜（チャネル形成領域）が薄膜化される。 （もっと読む）