【課題】高精彩・高解像度・高画質・低消費電力の小型半導体表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、画素マトリクス回路、データ線駆動回路、および走査線駆動回路を有しており、これらの構成要素が多結晶ＴＦＴによって同一基板上に形成される。また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも少ないマスク数により作製でき、光電流による影響が抑えられた薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】遮光膜、下地膜、第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第２の導電膜、不純物半導体膜、半導体膜、第１の絶縁膜、第１の導電膜、下地膜及び遮光膜に第１のエッチングを行い、第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、第２の導電膜上に第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて、第２の導電膜、不純物半導体膜及び半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面１ａを有するガラス基板１と、主表面１ａ上に設けられ、チャネル領域１１と、チャネル領域１１の両側に位置するソース領域９およびドレイン領域１３とが形成されたポリシリコン膜７と、ポリシリコン膜７に接触するように設けられたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７を介してチャネル領域１１に向い合う位置に設けられたゲート電極２１とを備える。ポリシリコン膜７は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有する。ソース領域９およびドレイン領域１３は、ポリシリコン膜７の頂面７ａからポリシリコン膜７の底面７ｃにまで達して形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの表面積を増大させて容量が増加した有機電界発光表示装置及びその製造方法。
【解決手段】薄膜トランジスタ及びキャパシタ領域を含む基板と；バッファー層と；トランジスタ領域に位置する金属触媒を利用して結晶化した半導体層パターンと；ゲート絶縁膜と；前記パターンの一定領域に対応されるゲート電極及びキャパシタ領域のキャパシタ下部電極と；層間絶縁膜と；前記パターンと一部が連結されるソース／ドレイン電極及びキャパシタ下部電極に対応される上部電極と；同じく層間絶縁膜上のソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と；発光層を含む有機膜層；及び第２電極をこの順で含み、キャパシタ領域に対応されるバッファー層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜の一定領域、キャパシタ下部電極、及びキャパシタ上部電極の表面には半導体層パターンを形成する結晶粒の結晶粒界及びシードの形状と一致する形状の突出部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ対策をした保護回路および半導体装置を提供する。
【解決手段】集積回路と電気的に接続された信号線と、信号線と第１の電源線との間に設けられた第１のダイオード、及び第１のダイオードと並列に設けられた第２のダイオードと、第１の電源線と第２の電源線との間に設けられた第３のダイオードとを有し、第１のダイオードは、トランジスタをダイオード接続することによって形成されたダイオードであり、第２のダイオードはＰＩＮ接合又はＰＮ接合を有するダイオードである保護回路。上記保護回路は、特に薄膜トランジスタを用いて作製される半導体装置に用いられることで効果を発揮する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、シリコン原子を含むガス及び水素ガスを用いて非晶質シリコン層を形成する工程と、前記非晶質シリコン層を、結晶化誘導金属を用いて多結晶シリコン層に結晶化させる工程とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する半導体層と、前記半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記半導体層に一部が接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタにおいて、前記基板全面に位置する絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記ソース／ドレインと電気的に接続される第１電極、有機膜層及び第２電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層に残留する残留金属触媒を最小化して特性が向上した薄膜トランジスタとその製造方法、及び有機電界発光表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と；基板上に形成されたシリコン膜と；シリコン膜上部に形成された拡散層と；拡散層上に形成された金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と；半導体層とゲート電極を絶縁させるためにゲート電極と半導体層間に位置するゲート絶縁膜と；半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極とを含む。また、基板全面にかけて位置する保護膜；及び保護膜上に位置し、ソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極、有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上にレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、該第１の導電膜に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングをドライエッチングにより行ってゲート電極層を形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊をより効果的に防ぐことができる保護回路を用いた、半導体表示装置
の提供を課題とする。
【解決手段】 本発明では、保護ダイオードとして用いるＴＦＴを覆って第１の層間絶縁
膜が形成されており、更に該第１の層間絶縁膜上に形成された配線を覆って、絶縁性の塗
布膜である第２の層間絶縁膜が形成されている場合に、第２の層間絶縁膜の表面に蓄積し
た電荷を放電させる経路を確保するために、該ＴＦＴと他の半導体素子とを接続するため
の配線を、第２の層間絶縁膜上に接するように形成する。なお保護ダイオードとして用い
るＴＦＴは、その第１の端子または第２の端子のいずれか一方がゲート電極と接続された
、所謂ダイオード接続のＴＦＴである。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン層を貼り付けた高価な基板や、触媒金属を拡散させたシリコン膜を用いなくても、トランジスター特性の優れた薄膜トランジスターを備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造工程では、非晶質のシリコン膜１の一部の領域にゲルマニウムを導入して熱処理を行う。その結果、核形成用元素導入領域１ｓに結晶核が生成するとともに、かかる結晶核を起点として結晶粒が成長する。このため、シリコン結晶粒の位置制御が可能となり、チャネル領域１ｈに含まれる粒界の量を制御することができる。また、ゲルマニウムは、チャネル領域形成予定領域１ｉやその周辺の領域１ｋ、１ｍなどに拡散しない。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、ＴＦＴ活性層と、キャパシタの第１下部電極及び第１下部電極上に形成されたキャパシタの第１上部電極と、第１絶縁層と、チャンネル領域に対応する領域に順次に形成されたゲート下部電極及びゲート上部電極と、キャパシタの第１上部電極に対応する領域に順次に形成されたキャパシタの第２下部電極及び上部電極と、画素下部電極及び画素下部電極を露出させるように画素下部電極エッジの上部に配された画素上部電極と、活性層のソース及びドレイン領域を露出させるコンタクトホール、及び画素上部電極エッジの一部を露出させるビアホールによって貫通される第２絶縁層と、第２絶縁層上に形成され、コンタクトホール及びビアホールを通じて、ソース、ドレイン領域及び画素上部電極と接続するソース及びドレイン電極と、を備える平板表示装置。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファス
シリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のト
ランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を
同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このように
して、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少し
だけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する
。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化
を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半
導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前
記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射
する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができ
る。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる
。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する第１半導体層及び第２半導体層と、前記第１半導体層及び第２半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記第１半導体層及び第２半導体層と前記ゲート電極とを絶縁するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記第２半導体層と一部が接続するソース／ドレインである電極とを含み、前記第１半導体層は前記第２半導体層の下部に位置し、前記第１半導体層の面積は第２半導体層の面積よりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置とその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する第１の半導体層及び第２の半導体層と、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と絶縁されているゲート電極と、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と前記ゲート電極とを絶縁するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記第２の半導体層に一部が接続するソース／ドレイン電極とを含み、前記第１の半導体層上部に前記第２の半導体層が位置することを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素領域と非画素領域を備える基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置し、チャネル領域及びソース／ドレイン領域を備える半導体層と、前記半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極と、前記ゲート電極と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させる層間絶縁膜とを含み、前記バッファ層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜は、非画素領域上の一部が除去された形態で位置し、前記除去された面積はパネル面積の８〜４０％であることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法に関する。 （もっと読む）