【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置の製造方法、を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有し、第１の層７ｍと第２の層７ｎとを有する半導体膜７を形成する工程を備える。半導体膜７を形成する工程時、第１の層７ｍに含まれる水素の割合は、第２の層７ｎに含まれる水素の割合よりも小さい。半導体装置の製造方法は、半導体膜７を熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を低減する工程と、ゲート絶縁膜１７およびゲート電極２１を形成する工程と、半導体膜７にソース領域９およびドレイン領域１３を形成する工程と、半導体膜７を水素雰囲気中で熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を０．５原子％以上１０原子％以下に設定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ＞χ≧φｍｄの関係になるように構成し、トランジスタのゲートとドレインを電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジスタの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。第１配線と第２配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ＜φｍｄの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗のさらなる低減を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。そのシリコン酸化膜３上に、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ＧＯＬＤ領域４１，４２、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタＴ４と、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＳＤ構造の薄膜トランジスタＴ５と、ｐ型のソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｐ型の薄膜トランジスタＴ６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第１の導電膜を形成し、第１の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第２の導電膜を形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。
【解決手段】本発明のエリアセンサは、発光素子を用いてセンサ部に画像を表示する機能と、光電変換素子を用いた読み取り機能を有する。そのため、新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設けなくとも、センサ部で読み込んだ画像をセンサ部に表示させることが可能である。また、本発明のフォトダイオードの光電変換層は、非晶質珪素膜で形成されており、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層は多結晶珪素膜で形成されている。このとき、非晶質珪素膜は、多結晶珪素膜よりも厚く形成され、その結果、本発明のフォトダイオードは、より多くの光を受け取ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】
工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適したｎチャネル型ＴＦＴ
とｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる薄膜半導体装置及び差動増幅回路及び表示装置の提供。
【解決手段】
入力対に与えられた信号電圧を差動で受ける差動対（１０１、１０２）と、前記差動対の出力対と第１の電源間に接続される負荷素子対（１０３、１０４）と、前記差動対と第２の電源間に接続され、前記差動対に定電流を供給する電流源（１０６）と、を有する差動段（２３）を備えた差動増幅回路において、前記差動対、及び／又は、前記負荷素子対は、相対的に低閾値のトランジスタよりなり、前記差動段の電流パスに挿入され、前記電流パスの導通・遮断を制御するスイッチ機能として、前記低閾値のトランジスタよりも高い閾値を有し、制御端子に入力される制御信号によってオン・オフ制御される少なくとも１つのトランジスタ（５０３）を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第１の手段と、レーザー光を発振する第２の手段（レーザー発振装置１２１３）と、前記レーザー光を加工または集光する第３の手段（光学系１２１４）と、前記第２の手段の発振を制御し、なおかつ第３の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ（パターン情報）に従って定められる位置を覆うように前記第１の手段を制御する第４の手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタと、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層とを有し、薄膜トランジスタは温度８５℃で、１２時間、ゲート電極層に３０Ｖ、又は−３０Ｖの電圧を印加する測定において、測定前と測定後の薄膜トランジスタのしきい値電圧の値の差が１Ｖ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを用いた表示装置であって、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供。
【解決手段】ＴＦＴの少なくとも一端において、ソース領域やドレイン領域となる高濃度領域と、チャネル領域との間に、順に、高濃度領域の不純物濃度が低濃度の第１低濃度領域と、第１低濃度領域の不純物濃度よりさらに低濃度の第２低濃度領域とを、設ける。 （もっと読む）

【課題】特性が向上された微結晶シリコン薄膜トランジスタと、それを備える表示装置、及び、それらの製造方法の提供。
【解決手段】微結晶シリコン薄膜トランジスタにおける微結晶シリコン半導体膜層における水素濃度を酸素濃度より大きくする。微結晶シリコン半導体膜層における酸素濃度に対する水素濃度の比は１．５倍以上が望ましい。 （もっと読む）

【課題】効果的に不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜をキャパシタの電極として使用した有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施例による有機発光表示装置は、基板本体、前記基板本体上の同一層に形成された半導体層及び第１キャパシタ電極、前記半導体層及び前記第１キャパシタ電極上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層上に形成されたゲート電極、そして前記ゲート絶縁膜を間において前記第１キャパシタ電極上に形成されて、前記ゲート電極と同一層に形成された第２キャパシタ電極を含む。そして、前記第１キャパシタ電極及び前記半導体層は、各々不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含み、前記第２キャパシタ電極は前記ゲート電極より相対的に厚さが薄い。 （もっと読む）

【課題】発光装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路用トランジスタを含む駆動回路部と、画素用トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用トランジスタ及び画素用トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型のトランジスタである。画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。なお、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】近接配置される半導体膜の一方のみを精度良く選択的に結晶化することができ、アモルファスＴＦＴと微結晶シリコンＴＦＴを同じ透明絶縁性基板上に同時に形成することや、非晶質シリコンと微結晶シリコンが一つの半導体層内で混在したＴＦＴを得ることが可能となる。
【解決手段】本発明の非晶質半導体膜の結晶化方法においては、透明絶縁性基板上にゲート電極と、ゲート絶縁膜と、非晶質半導体膜と、透光性絶縁膜を順次形成する工程と、開口を有したメタル膜をこの透光性絶縁膜上にパターニング形成する工程と、メタル膜を遮光マスクとして機能させてレーザーを照射することにより、開口により露出する領域においてのみ非晶質半導体膜を結晶性半導体膜に変換するレーザーアニール工程とを備えるものである。 （もっと読む）