【課題】ダブルゲート電界効果トランジスタとして用いられる層構造、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法では、補助基板上に、多孔質シリコン層を犠牲層として形成する。この犠牲層の上に第１半導体層、第１電気絶縁層を順次形成する。第１電気絶縁層の上に、導電層を形成し、ラテラルにパターン形成する。ラテラルにパターン形成された導電層を共通のマスクとして用いて、第１電気絶縁層、犠牲層、および、第１半導体層をラテラルにパターン形成する。さらに、パターン形成された犠牲層の側壁とパターン形成された第１半導体層の側壁とに隣接して、半導体部を形成する。基板を、パターン形成された導電層の上方に固定し、補助基板の材料を除去して、犠牲層を露出させる。さらに、犠牲層を選択的に除去することにより、トレンチを形成する。トレンチ中に、第２電気絶縁層を形成し、その上に導電部を形成する。 （もっと読む）

【課題】
簡便な方法で素子寿命の長い有機薄膜素子を提供し得る有機薄膜素子の製造方法、それを利用した電気光学装置の製造方法及び電子機器の製造方法の提供。
【解決手段】
少なくとも一の透明電極を備えた一対の薄膜電極間に有機薄膜を含んで構成される有機薄膜素子の製造方法であって、基材上に透明電極形成材料を含む原料液を噴霧することにより透明電極を形成する工程と、前記透明電極上に有機薄膜を形成する工程と、を含む有機薄膜素子の製造方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

本発明はフィルム（１）、特に型押フィルムまたは積層フィルム、及びそのようなフィルムの作成のためのプロセスに関する。有機半導体技術を用いて作成される少なくとも１つのデバイス、特に１つまたはそれより多くの有機電界効果トランジスタがフィルム（１）に集積される。
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【課題】剥離用物質を注入して半導体層を薄膜化すると共に、半導体デバイス部に対する剥離用物質による悪影響を排除する。
【解決手段】半導体装置Ｓの製造方法は、半導体層２０の表面に絶縁層であるゲート酸化膜４を形成する絶縁層形成工程と、半導体層２０に対し、半導体層における上記剥離用物質の移動を抑止するためのホウ素イオンを注入し、該半導体層２０に拡散抑止層３５を形成する拡散抑止層形成工程と、拡散抑止層３５のホウ素を加熱して活性化させる活性化工程と、半導体層２０に水素イオンを注入し、半導体層２０の領域のうち拡散抑止層３５を介してゲート酸化膜４と反対側の領域に剥離層３６を形成する剥離層形成工程と、半導体層２０のゲート酸化膜４側にガラス基板１８を貼り合わせる貼り合わせ工程と、半導体層２０を熱処理することにより、半導体層２０を剥離層３６に沿って分割する分割工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】同一なチップ内でＮチャネルおよびＰチャネルの両チャネルが高い耐圧特性を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタを実現でき得るデバイス構造の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｎch型Ｌ−ＤＭＯＳ１０１ とＰch型Ｌ−ＤＭＯＳ１０２と論理部１０３ から成る半導体装置であり、Ｎch型Ｌ−ＤＭＯＳ１０１ は、Ｎ型ドリフト領域１２、Ｐウエル１９、Ｐ型高濃度拡散層２０、ソース拡散層２１、ドレイン拡散層２２、ソースコンタクト１４、ドレインコンタクト１６、ソース電極配線１５、ドレイン電極１７、ゲート電極１８の各主要素から成り、ＳＯＩ領域であるＮ型ドリフト領域１２に形成されたこのＮch型Ｌ−ＤＭＯＳ１０１のソース電極１４と、領域１１と、を電気的に導通して同電位になるように構成するデバイス構造である。 （もっと読む）

本発明は、印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。本発明の方法、デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成することができる。また、本発明は、伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスも提供する。 （もっと読む）

第一ウェハ上に形成された第一の複数のトランジスタと、第二ウェハ上に形成された第二の複数のトランジスタとを備えた集積回路。第一トランジスタのうち少なくとも実質的に大部分が第一導電型であり、第二の複数のトランジスタのうち少なくとも実質的に大部分が第二導電型である。ウェハ同士が結合された後、第二ウェハの一部が除去されて、第二の複数のトランジスタのチャネルの歪みの圧縮性が、第一の複数のトランジスタのチャネルの歪みの圧縮性よりも高くなる。
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本発明は、透明導電酸化物層を含む第1の電極、有機活性層、第2の電極、および高分子基板層を少なくとも含み、透明導電層が、少なくとも250℃の温度で、除去可能な基板層上、または除去可能な基板層上に事前に適用された一つまたは複数の透明層上に適用され、高分子基板層が適用されると、除去可能な担体が除去される、可撓性有機電子装置を作製するための方法を提供する。本発明は、この方法によって得られる可撓性有機電子装置をさらに提供する。 （もっと読む）

本発明はドナー基板からレシーバ基板に材料のパターンを積層によって転写する方法である。転写された材料のパターンは、積層の際にドナーとレシーバとの間に挿入されたマスクの開口によって画定される。この技法は可撓性ポリマーレシーバ基板に適合しており、可撓性表示装置用の薄膜トランジスタを作製するのに有用である。

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金属ソース電極と、金属ドレイン電極と、金属ゲート電極と、堆積させた半導体材料内のチャネルとを有するトランジスタデバイスであって、金属ゲート電極、金属ソース電極の第１の金属部分、および金属ドレイン電極の第１の金属部分を含む第１の層と、金属ソース電極の第２の金属部分、金属ドレイン電極の第２の金属部分、堆積させた半導体材料、および半導体材料と金属ゲート電極との間にある誘電体材料を含む第２の層と、基板を含む第３の層とを含み、第１の層、第２の層および第３の層は、第２の層が第１の層と第３の層との間に配置されるような順序で構成されているトランジスタデバイス。
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