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Fターム[5F136DA13]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | ベアチップ (514)

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LDMOSタイプのパワートランジスタ用半導体パッケージは金属性基板を有し、当該基板上には、直接マウントされるチップと、チップに隣接してマウントされるリードフレーム絶縁体と、前記絶縁体上に設けられ結合ワイヤーで前記チップに電気的に接続される複数のリード線とを有する。前記基板は、純銅層からなる互いに対向した面を有する本体部を含み、前記本体部内部は少なくとも部分的に銅/ダイヤモンドの複合材料からなり、チップとの電気的接続だけでなく熱拡散部として機能し、改善された熱除去と低熱膨張を与えるようになる。前記本体部全体が銅/ダイヤモンドの複合材料からなっても良いし、または内部に銅/ダイヤモンドの複合材料からなる部分を有する銅/タングステンの複合材料からなっても良い。前記銅/ダイヤモンドの複合材料は、銅基質中のダイヤモンド粒子からなる。前記銅/ダイヤモンドの複合材料の製造方法では、ダイヤモンド粒子が分子または無機化合物の多層膜で被覆されて乾式加工成形剤とともに混合され、圧縮本体部を形成するように圧力下でチップに圧縮成形される。前記本体部は銅の上に配置され、前記成形剤を蒸発または分解させたりするように真空環境下または水素雰囲気下で加熱され、前記被覆されたダイヤモンド粒子を結合または部分焼結させるように真空環境下または水素雰囲気下で加熱され、その後、銅が融解するように水素雰囲気下で銅の融点を少し上回る温度に加熱され、銅は前記結合または部分焼結したダイヤモンド粒子中に引き込まれる。続いて、前記圧縮本体部は冷却され所望の形状に切断される。
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【課題】ICチップなどの電子デバイスをマイクロチャネルにより冷却する機器および方法を提供すること。
【解決手段】この装置および方法により、パッケージ基板に伏せて装着される、電力密度分布が不均一な高電力密度電子デバイスを、効率よく、低動作圧力でマイクロチャネルにより冷却することができる。例えば、ICチップを冷却する一体型マイクロチャネル冷却装置(または、マイクロチャネル・ヒート・シンク装置)は、冷却流体が均一に流れかつ分配され、冷却液流路に沿った圧力降下が最小限に抑えられ、電力密度が平均よりも高いICチップの高電力密度領域(すなわち、「ホット・スポット」)に対する局所的な冷却能力が変化するように設計される。 (もっと読む)


本発明は、回路と、集積回路パッケージと、集積回路ダイまたはディスクリートな電力構成要素を集積回路のフランジに取り付けるための方法とに関するものである。前記集積回路ダイはそれぞれウェーハからのこ引きされる。本発明は、機械的研磨により前記ウェーハを薄くし、前記ウェーハに等方性湿式化学的エッチを行うことにより結晶欠陥を除き、前記ウェーハの裏面に接着および拡散隔膜金属を蒸着させ、前記ウェーハの裏面にAuおよびSnを蒸着させ(Auの重量割合は85%以上)、前記ウェーハをのこ引きして回路ダイを作り、前記各回路ダイをそれぞれのヒートシンクにはんだ付けすることを含む。
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半導体デバイス・ダイ(10、116)が、ヒートシンク支持構造体(30、100)の上に配置される。ナノチューブ(54、126)を含むナノチューブ領域(52、120)が、ヒートシンク支持構造体(30、100)の表面上又はその内部に設けられる。ナノチューブ領域(52、120)は、半導体デバイス・ダイ(10、116)からヒートシンク支持構造体(30、100)への熱輸送に寄与するように設けられる。1つの実施形態によれば、半導体デバイス・ダイ(10)はダイ電極(20、22)を含み、支持構造体(30)は、ナノチューブ領域(52)の少なくとも幾つかによって定められるコンタクトパッド(40、42)を含む。コンタクトパッド(40、42)は、ダイ電極(20、22)に電気的及び機械的に接触する。別の実施形態においては、ヒートシンク支持構造体(100)は、該支持構造体(100)内に横方向に設けられたマイクロチャネル(120)を含む。ナノチューブ領域の少なくとも幾つかは、マイクロチャネル(120)の内部に配置される。
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本発明は、改善された熱導出を伴う送信モジュールである。移動無線用途向けの送信モジュールは多層のモジュールサブストレートを含む。このモジュールサブストレートは複数の金属化面とこれらの金属化面の間にある誘電層を有する。ここでは、金属化面を構造化することによって接続部が実現されている。モジュールサブストレート内またはモジュール上には少なくとも1つのHFフィルタまたは整合ネットワークが実現されている。モジュールサブストレートの下面には切り欠き部が設けられている。この切り欠き部内には、チップ構成素子がフリップチップ構成ではんだ付けされている。チップ構成素子の外部に向いている背面は、金属化部を有している。この金属化部は、外部の回路周辺部とチップ構成素子との良好な熱的接触接続を可能にする。
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