【課題】高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる半導体モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップとこの半導体チップの両面から放熱するための一対の放熱基板とを備えた半導体モジュールであって、前記放熱基板はセラミックス基板の両面に銅板もしくは銅合金板をろう材により接合してなり、前記放熱基板および前記半導体チップのほぼ全体がモールド樹脂で覆われている半導体モジュール。 （もっと読む）

【課題】従来の熱伝導基板は、パワー素子に発生した熱を、電極を介して、絶縁層や金属板に放熱していたため、電極以上の熱伝導を実現することができず、またシート状黒鉛層をエラストマー層で保護してなる熱伝導シートを併用して、必要な放熱性が得られない場合があった。
【解決手段】金属板１３の上に、シート状の伝熱樹脂層１２を介して、その一部にシート状の炭素系高熱伝導層１１を接着剤１６で接着したリードフレーム１０を形成し、前記リードフレーム１０の上に、放熱が求められるパワー素子１５を実装することで、パワー素子１５に発生した熱を放熱する際に、放熱（あるいは熱伝導）に際してリードフレーム１０と炭素系高熱伝導層１１を併用することで、その放熱性を高める。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに対する電気的絶縁状態を確保しつつこれを直接冷却して熱放散効果を高める。
【解決手段】絶縁材料からなるベース６の上に、導電性材料からなる放熱体３が固定されるとともに、該放熱体３の表面に導電性接合材４を介して半導体チップ２が搭載され、該半導体チップ２の電流経路における一方の電極が前記導電性接合材４を介して放熱体に電気的に接続状態とされている。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルに対して亀裂、剥離などの不具合を生じない信頼性の高いパワー半導体モジュール及びその製造方法であって、製造工程上、位置ずれなどの不具合を生じないパワー半導体モジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】パワー半導体素子と、絶縁基板と、放熱板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板との間、及び前記絶縁基板と前記放熱板との間の少なくとも一方を、Ｃｕ層、Ｃｕ_３Ｓｎ層及びＣｕ層の順で積層してなる積層構造で接合するパワー半導体モジュール及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ヒートシンクの装着による厚さ増加を防止するとともに積層される半導体チップ各々から発生される熱を一様に外部に放出することができるようにする。
【解決手段】 積層パッケージは、上面に接続パッドが具備され下面にボールランドが具備されたベース基板と、前記ベース基板上にスペーサを介在して積層され前記接続パッドに対応する部分に電気的接続用貫通孔が具備された少なくとも２つの半導体チップと、前記積層された半導体チップの両側面各々と接触しながら前記ベース基板上に垂直に立てて設置された一対のヒートシンクと、前記ベース基板下面のボールランドに取着された外部接続端子とを含む。 （もっと読む）

マイクロスケール冷却装置は、第１の熱源に熱伝導可能に連結された第１の熱交換器を備える。また、冷却装置は、第２の熱源と熱伝導可能に連結された第２の熱交換器と、第１の熱交換器と第２の熱交換器との間の接続とを備える。流体は、第１及び第２の冷却板を流れる。冷却装置は、流体を流す第１のポンプを備える。冷却装置は、更に、第１のラジエータと、第１の熱交換器、第２の熱交換器、第１のポンプ及び第１のラジエータを相互接続するチューブとを備える。幾つかの実施の形態では、チューブは、流体損失を最小化するように設計されている。幾つかの実施の形態は、オプションとして、第１のラジエータから熱を放出する第１のファン及び／又は経時的な流体損失を補償する流体容積補償器を備える。幾つかの実施の形態では、少なくとも１つの熱交換器は、少なくとも１つのマイクロスケール構造を有する。幾つかの実施の形態では、このような冷却装置を用いてマルチデバイス構成の熱源を冷却する冷却方法を提供する。
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【課題】パワーモジュールの高出力化に対応できるとともに、板材と冷却器本体部の表面との接合部、および絶縁回路基板と板材との接合部それぞれの接合信頼性を向上させることができる。
【解決手段】表面側に半導体チップ１３が設けられたセラミックス板１１の裏面側に設けられるパワーモジュール用の冷却器１４であって、純度９９．９０％以上の純Ｃｕにより形成された板材１７と、少なくともこの板材１７が設けられる表面側が純度９９．０％以上の純Ａｌにより形成された冷却器本体部１９とを備え、板材１７は、その表面がセラミックス板１１の裏面側に接合され、裏面が冷却器本体部１９の表面にはんだ接合されている。 （もっと読む）

【課題】放熱部材を担持した半導体チップと回路基板との正確な位置合わせを行う構造と方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１２Ｗを有し放熱部材となる支持体１２に孤立パターン１２Ｌを、支持体の表側からも裏側からも観察できるように形成する工程と、前記支持体に半導体素子１１を、孤立パターンを支持体の表側から観察することにより位置合わせし、半導体素子の裏側面を支持体の表側面に固定する工程と、支持体を反転させ、回路基板１３上に半導体素子が支持体の表側面に固定された状態で、半導体素子の表側面に形成された電極１１Ａが、回路基板上の配線パターン１３Ａにコンタクトするように実装する工程は、貫通孔を介して回路基板上に形成された対応する孤立パターン１３Ｌを支持体の裏側から観察し、支持体の貫通孔に対応して形成された孤立パターンと、回路基板上の孤立パターンとを、それぞれ位置合わせする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く、冷却効率に優れたヒートシンク、電子デバイス及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク２０は、絶縁性を有する絶縁性ダイヤモンド基板で形成されたベース２１部と、絶縁性ダイヤモンド基板で形成されベース部２１上に配設された第１の圧接体２２１及び第２の圧接体２２２とを備える。電子デバイス１は、デバイス本体１０の表面上にヒートシンク２０を備え、発熱部１２に第１の圧接体２２１を、非発熱部１３に第２の圧接体２２２を圧接する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ構造に関し、ヒートスプレッダのはんだ付け作業時における不良発生を確実に防止することを目的とする。
【解決手段】パッケージ基板１に実装された半導体チップ２と、
半導体チップ２の回路面に対する反対面にはんだ付けされるヒートスプレッダ３とを有し、
前記ヒートスプレッダ３の半導体チップ２との接合面には、平面視において半導体チップ２を含む領域を包囲する枠形状のはんだダム４が形成される。 （もっと読む）

【課題】電子部品の接合信頼性と、半田の接合信頼性の両者の接合信頼性と、ボンディングワイヤの接続信頼性を同時に向上させて満足させることができる安価な高放熱型電子部品収納用パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１２の上面に窓枠形状からなる絶縁枠体１３を接合して有し、ヒートシンク板１２の上面と絶縁枠体１３の内周側壁面で電子部品１１を収納するためのキャビティ部１４を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、キャビティ部１４のヒートシンク板１２の上面に形成されたＡｕめっき被膜２１を介して接合されるＡｕ箔２２を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性の優れた回路基板を提供することを課題とする。
【解決手段】Ａｌ／ＳｉＣ複合材からなる放熱板２の裏面２ｂに複数のフィン２ｃが形成されており、この放熱板２の裏面２ｂがカバーケース５で覆われ、放熱板２とカバーケース５の周縁部をゴムパッキン８を介して締結ボルト７で固着することにより、カバーケース５と放熱板２の裏面２ｂとの間に冷媒通路６が区画形成される。放熱板２の表面２ａ上には絶縁層３が形成され、絶縁層３の表面３ａ上には配線層４が形成され、配線層４の表面４ａ上にはんだ９を介して半導体素子１０が搭載されている。冷媒通路６に冷却媒体を流通させた状態で半導体素子１０を駆動すると、半導体素子１０で発生した熱は、配線層４及び絶縁層３を介して放熱板２の表面２ａに伝達され、放熱板２の内部を通って裏面２ｂにまで伝達され、冷媒通路６に流通している水により効率よく放出される。 （もっと読む）

【課題】絶縁材からなる基板本体と、かかる基板本体に接合する放熱部材と、かかる放熱部材に接合する電子部品とを備え、前記各接合部が強固で且つ設計上の自由度を有する配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】放熱部材１２の上に発光素子（電子部品）１５を接合材１６を介して接合する第１工程と、上記発光素子１５が接合された放熱部材１２を、セラミック（絶縁材）からなる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６と裏面４との間を貫通するように、配線基板１に対し別の接合材１１で接合する第２工程と、を含み、上記発光素子１５と放熱部材１２とを接合する接合材１６の融点またはキュア温度は、上記配線基板１の基板本体２と放熱部材１２とを接合する別の接合材１１の融点またはキュア温度よりも高い、配線基板１ａの製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤のような導電性接合部材内部におけるフィラー間の接続にたよることなく、両被接続部材間の電気的および熱的な接続経路を適切に確保することの可能な導電性接合部材を提供する。
【解決手段】その両面３０ａ、３０ｂにて被接続部材との接続を行うシート状の導電性接合部材３０であって、両被接続部材間の電気的接続を行う金属層３２と機械的接続を行う樹脂層３１とを、導電性接合部材３０の厚さ方向に延びるように配置するとともに、当該厚さ方向と直交する方向に交互に積層させ、さらに、当該厚さ方向における金属層３２の一端部および樹脂層３１の一端部を導電性接合部材３０の一面３０ａに露出させ、当該厚さ方向における両層３１、３２の他端部を導電性接合部材３０の他面３０ｂに露出させている。 （もっと読む）

【課題】水冷用フィン付き受熱部材とカバーケースとで形成される水路に冷却水（液体）を流しても、水路構成部分に腐食を生じることがないようにされた電力変換装置を提供する。
【解決手段】表面に絶縁層２６を介して半導体素子２５が搭載されるとともに、裏面に水冷用フィン２２が設けられた受熱部材２０と、水路を形成すべく水冷用フィン２２を覆うように受熱部材２０に取り付けられたカバーケース３０と、を備え、カバーケース３０は、受熱部材２０の裏面に対接せしめられる対接部３１と、水冷用フィン２２が接触することなく嵌め込まれる水路用凹部３２と、からなり、受熱部材２０の裏面と対接部３１との間に絶縁シート４０が介装され、かつ、受熱部材２０とカバーケース３０とがボルト類５０により締め付け固定されるとともに、ボルト類５０と受熱部材２０との間に絶縁カラー５５が介装されてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス及び金属製熱伝導体と，ダイヤモンドヒートスプレッダとの接合面を，常温で，接着剤等を使用することなく活性化により化学的に結合させる。
【解決手段】半導体デバイスにダイヤモンドヒートスプレッダを介して銅やアルミニウム製のヒートシンク，ヒートスプレッダ（金属製熱伝導体）を取り付ける。天然ダイヤモンド等により切り出し，又は気相合成法によって成膜されたダイヤモンド膜として得たダイヤモンドヒートスプレッダは，半導体デバイスとの接合面及び前記金属製熱伝導体との接合面を，直接研磨，又は表面に形成された金属膜の研磨により表面平均粗さ（Ｒａ）３０nm以下に平坦化し，真空又は不活性ガス雰囲気下に置かれた常温の前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイスとの接合面，及び前記ダイヤモンドスプレッダと金属製熱伝導体との接合面に，アルゴン（Ａｒ）等の希ビームを照射して活性化させて接合する。 （もっと読む）

【課題】実装基板に複数の半導体素子が設けられた半導体装置において、それぞれの半導体素子の放熱性を確保しつつ、組み立てにおける作業工数を軽減する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、プリント基板１０４、プリント基板１０４に実装された第一の半導体素子１０３ａおよび第二の半導体素子１０３ｂ、ならびに第一の半導体素子１０３ａの上部から第二の半導体素子１０３ｂの上部にわたって設けられたヒートシンク１０１を含む。ヒートシンク１０１は、第一の半導体素子１０３ａに対応する第一の放熱領域１２３ａ、第二の半導体素子１０３ｂに対応する第二の放熱領域１２３ｂ、および第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間に挟まれた領域であって、第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間の熱伝導を抑制する接続領域１２５を含む。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に実装された半導体素子の熱をスルーホールを通じて確実に放熱する。
【解決手段】プリント基板４１には内層配線による放熱層４２が形成されていると共に、その放熱層４２を貫通するようにスルーホール４３が形成されている。このスルーホール４３の内部ははんだ４４がほぼ完全にボイド無く充填されている。プリント基板４１においてスルーホール４３上となる位置にＩＣチップ４５が実装されており、そのＩＣチップ４５とプリント基板４１とがワイヤ４６により接続されている。従って、ＩＣチップ４５の熱はスルーホール４３に充填されたはんだ４４を通じてプリント基板４１の裏面及び放熱層４２に効果的に放熱することができる。 （もっと読む）

多流体冷媒を使用するシステム。不混和性又は混和性の流体を、１本又は複数本の流路に通すことができる。冷却すべきデバイスを、流路に熱的に結合させることができる。１つの流体の沸点は、デバイス内で維持すべき動作温度よりも高くてよい。別の流体の沸点は、デバイスの動作温度未満とすべきである。
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本発明は、流体冷却チャネルを集積された集積回路デバイス、およびこうした集積回路デバイスを製造する方法に関するものである。この方法は、絶縁層シーケンス内の電気相互接続部の横方向の所望位置、および流体冷却チャネル部の横方向の所望位置に凹部を形成するステップを備えている。この絶縁層シーケンスの凹部内に金属充填物を堆積させて、流体冷却チャネル部内に電気相互接続部および犠牲的充填物を形成する。その後に、この犠牲的金属充填物を、流体冷却チャネル部から選択的に除去する。
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