【課題】高い絶縁破壊電圧を維持しつつ、回路上に発熱性の高い半導体やＬＥＤを搭載しても、熱放散を行うことが可能な回路基板を提供する。
【解決手段】無機フィラーを含有する樹脂からなる絶縁層と、その表面に配置された第１の回路と、その裏面に配置された第２の回路とを有し、前記第１の回路が、前記絶縁層の内部に陥入する凸部を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を向上させると共に、実装された半導体装置を小型化することが可能な半導体素子を提供すること。
【解決手段】素子内部に冷却媒体流路（２６）を有する半導体素子（１０）であって、前記冷却媒体流路を拡大又は収縮可能な高熱膨張材料層（２４）を備えることを特徴とする、半導体素子。高熱膨張材料層は、半導体素子を構成する半導体に比して熱膨張係数が高い材料、例えば銅やアルミニウムにより構成されると好適である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時の接合信頼性を向上することができるパワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュールを提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板１の表面に回路層２が配置され、裏面に金属層３が配置されるパワーモジュール用基板４の製造方法であって、前記金属層３は、アルミニウム純度９９．５ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％未満の第１層３ａと、アルミニウム純度９９．９９ｗｔ％以上の第２層３ｂとを含む２以上の層を積層してなるクラッド材により形成されており、前記クラッド材の前記第１層３ａを、前記セラミックス基板１側と反対側の面として、これらセラミックス基板１と金属層３とを、互いにろう付けにより接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】はんだ工程の温度管理によって、はんだ接合部におけるボイドの生成を抑えた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子１１と絶縁基板１３との間の素子下はんだ１２について行う第１はんだ工程と、絶縁基板１３とヒートシンク１５との間の基板下はんだ１４について行う第２はんだ工程を有し、素子下はんだ１２及び基板下はんだ１４は、すずからなるＳｎはんだであり、半導体素子１１には、電極層２２を挟んで密着層２１と酸化防止層２３とを備えた電極部２０が形成されたものであって、第１はんだ工程では、素子下はんだ１２のすずと電極層２２を構成する材料との合金層２５を形成する温度で加熱を行い、更にその第１はんだ工程と前記第２はんだ工程では、合金層２５を素子下はんだ１２中に分離させない温度で加熱を行うようにし半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱装置を有するイメージセンサーを提供する。
【解決手段】本発明に係るイメージセンサーは、基板及び前記基板に連接するイメージセンサーチップを備える。前記基板の上に収容孔が設置され、前記イメージセンサーチップは、前記収容孔を覆う。前記イメージセンサーは、前記基板の収容孔の中に収容され、且つ前記イメージセンサーチップと接触するヒート・シンクを更に備える。本発明のイメージセンサーは、ヒート・シンクを利用するため、入射光が前記イメージセンサーチップの上に照射する時に生じる熱量を適時に放熱することができ、従ってイメージセンサーの温度が予定使用温度の範囲に戻り、さらに前記イメージセンサーの寿命及び影像の品質を上げる。 （もっと読む）

【課題】動作中にジャンクション温度が上昇しにくい半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１２と、半導体チップ１２が接合されたベース部材１１と、半導体チップ１２とベース部材との間に形成された金属多層膜１３とを備えている。金属多層膜１３は、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の耐圧を向上させることができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、ｎ⁺型のバッファ領域１７と、ｎ型のドリフト領域１６と、ｐ型のベース領域２と、ゲート電極８と、ソース電極４と、ガードリング１２ａ、１２ｂと、チャネルストッパ領域１４と、ドレイン電極１８を備えている。半導体装置１００はさらに、半導体装置１００の内部の終端部分に流体経路９を備えている。流体経路９は壁面が絶縁膜１０で覆われており、内部にマイナス電位に調整されている低温の流体１１が流動している。半導体装置１００の内部に流体経路１１を形成することによって、流体経路１１の周辺の等電位線が伸ばされ、空乏層が広がる。半導体装置１００の耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板１は、複数のリードフレーム３の間を狭くする（あるいは狭ギャップ化）ことが難しいため、その放熱効果に限度がある課題を有していた。
【解決手段】リードフレーム１４の上に、更にめっき電極部１５を形成し、これを絶縁樹脂層１６や伝熱樹脂層１３に埋め込むことで、見かけ上リードフレーム１４の間を狭くした（あるいは狭ギャップ化が可能となる）放熱配線板１１を提供することができ、パワー半導体や高輝度発光ダイオード、高輝度半導体レーザ等を実装した場合の放熱性を高められ、各種機器の小型化、光学系の低コスト化に貢献できる放熱配線板１１を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は冷却装置としてヒートパイプを用いた電子装置に関し、小型化を図りつつ電子素子を効率よく冷却することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ２１と、この半導体チップ２１を冷却する冷却装置とを備えた電子装置であって、冷却装置として密閉容器２８及びパイプ部３０内にウイック３１及び動作液を設けたヒートパイプ２２を用い、半導体チップ２１をこのヒートパイプ２２の内部に配設し、かつ、半導体チップ２１を密閉容器２８の外部と接続する閉塞板２３Ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】高充填率で接着剤に混入するのに適したフィラー構造、およびこれを用いた複合接着剤およびパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体チップ１１と、ヒートシンク２１と、金属配線２３と、金属配線２３とヒートシンク２１との間に設けられた複合接着剤２６と、半田層１４とを備えている。複合接着剤２６は、接着剤Ｅに大径表面コートフィラーＣＦ１と、小径表面コートフィラーＣＦ２とを混入して構成されている。各表面コートフィラーＣＦ１，ＣＦ２は、無機絶縁性物質からなるフィラーＦと、フィラーＦの表面を覆う樹脂皮膜Ｌとからなり、全体の外形が実質的に球面体である。大径表面コートフィラーＣＦ１は、整列しており、大径表面コートフィラーＣＦ１同士の間隙に小径表面コートフィラーＣＦ２が入り込んでいて、高充填率でフィラーＦが充填されている。 （もっと読む）

開示の一実施形態において、２つの金属面の間に形成されるはんだ接合内の空隙の形成を阻止するための本方法は、スリットはんだ層（２１４）を形成するために、はんだの層に少なくとも１本のスリット（２１８）を形成するステップ（４１０）と、２つの金属面の間に前記スリットはんだ層を配するステップ（４４０）と、前記はんだ接合を形成するために、前記スリットはんだ層を加熱するステップ（４５０）とを含み、前記少なくとも１つのスリットは、前記はんだ接合内の前記空隙の形成を阻止するための前記スリットはんだ層の脱気路を形成する。はんだ接合幅が重要である場合、本方法は、加熱（４５０）とともに外圧を加えるステップ（４５０）を含む。前記はんだ接合の形成中に生成されるフラックスガスを逃がす用意された脱出路を提供するために、前記脱気路が形成される。
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【課題】小型化を実現したうえで、高効率な熱制御を実現して、高出力化の促進を図り得るようにした半導体パッケージを提供する。
【解決手段】ベースプレート１１に該ベースプレート１１の熱伝導率より高い熱伝導材料で形成した素子実装部１４を設けて、この素子実装部１４に半導体素子１５を実装し、半導体素子１５の熱を、熱伝導率の高い素子実装部１４で熱拡散された後、ベースプレート１１全体に熱拡散させるように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高めた表面実装用の水晶発振器を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ２と水晶片３とを凹部を有する容器本体１内に一体的に収容し、前記ＩＣチップ２は前記容器本体１の内底面に設けられたアースパターン５上に非回路機能面が固着され、前記ＩＣチップ２の回路機能面のＩＣ端子と前記容器本体１内の回路端子とをワイヤーボンディングによって電気的に接続した表面実装用の水晶発振器において、前記容器本体１の内底面には穴部が設けられ、前記穴部の底面及び内周面には前記アースパターン５が形成され、前記ＩＣチップ２の非回路機能面である底面を導電性接着剤７ａによって固着するとともに、前記ＩＣチップ２の外周側面と前記穴部の内周面との間にも前記導電性接着剤７ａを埋設した構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからの発熱で、半導体チップ、基板、及び放熱材等の間の熱膨張差により発生する接合面の剥離やクラックを防止できると共に、構成を簡単にでき、製造工程を簡略化でき、製品コストを低減できるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、半導体チップ２と、この半導体チップからの電流を絶縁する絶縁材３と、半導体チップ２の発熱を放熱する放熱材４と、絶縁材３と放熱材４との熱膨張差による熱応力を緩衝するための緩衝材５と、を少なくとも備え、緩衝材５は、その基材５ａの少なくとも一方の表面に金属板材５ｂが接合されたクラッド材である。緩衝材５は、一方の金属板材５ｃの表面に放熱材として、金属製のフィン４が接合されている。 （もっと読む）

【課題】優れた熱伝導性を有するとともに、発熱部材や放熱部材等の被接着物に対する取り付け性（タック性）に優れる絶縁性熱伝導シートを提供する。
【解決手段】高分子量ポリマーと熱伝導性フィラーとを含有する絶縁性熱伝導シートであって、前記高分子量ポリマーは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下、かつ、重量平均分子量が１万〜５００万であり、前記熱伝導性フィラーの含有量が３０〜９０体積％であり、熱伝導率が０．５Ｗ・ｍＫ以上、かつ、シリコン基板に対する２５℃での９０度ピール力が５Ｎ／ｍ以上である絶縁性熱伝導シート。 （もっと読む）

【課題】無機充填材が充填され高熱伝導性を有するとともに、耐電圧の低下などが防止され絶縁特性に優れた絶縁シートを得ること。
【解決手段】高熱伝導性を得るため、粒径の大きい第１の無機充填材とこの第１の無機充填材より粒径が小さい第２の無機充填材との混合無機充填材を用い、熱硬化性樹脂中に無機充填材を高充填した絶縁シートであって、粒径の大きい第１の無機充填材が絶縁シートの厚さ方向における中央部に配置され、粒径の小さい第２の無機充填材が絶縁シートにおけるシート表面の近傍部に分布したものである。 （もっと読む）

【課題】発熱体から発生する熱の効率的な放熱および移送を省スペースで可能にした熱伝導膜、熱伝導膜を備える半導体デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】熱伝導膜１は、C（炭素）を含む材料で、熱を膜内及び膜厚方向に伝導する第１の構成材料からなる熱伝導層２と、第１の構成材料のひずみを緩和する第２の構成材料からなるひずみ緩和層３とを積層してなる。第１の構成材料からなる熱伝導層２と熱伝導層２のひずみを緩和する第２の構成材料からなるひずみ緩和層３とを積層することで、第１の構成材料の結晶性が向上し、熱伝導層の膜内熱伝導率が向上する。これにより、非常に薄い膜で、膜内方向に非常に高い熱伝導性を有する熱伝導膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】信頼性および冷却機能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子が形成された半導体チップ１１と、半導体チップ１１で発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材２４と、ヒートシンク部材２４と半導体チップ１１との間に介在する金属配線２３とを備えている。ヒートシンク部材２４は、無機絶縁材料からなる，平板部２１ａおよびフィン部２１ｂを有するヒートシンク本体２１と、ヒートシンク本体２１の熱交換媒体にさらされる領域を覆う金属層またはメタライズ層である保護層２２とを有している。保護層２２により、無機絶縁材料からなるヒートシンク本体２１の腐食などの損耗を防止している。 （もっと読む）

【課題】発熱体を二つの冷却手段によって二方向から冷却することができ、冷却効率を向上させることができる電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子２２と熱的に結合されるとともに冷却器１２内に冷却水を強制的に循環させることで半導体素子２２の冷却を該半導体素子２２の一方側から行う第１の冷却手段を備える。また、半導体装置１０は、冷媒収容部１１内に収容され所定温度で沸騰する液体冷媒を用いた沸騰冷却によって半導体素子２２の冷却を前記一方側と異なる側から行う第２の冷却手段を備える。また、半導体装置１０は、冷却器１２から延び、冷媒収容部１１に配設され、冷却器１２を通過した冷却水を冷媒収容部１１に通過させるための第２接続管３２と、冷媒収容部１１の第２接続管３２上に設けられた凝縮部３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】一枚の基板上で、半田付け用の銅回路と、ワイヤーボンディング用のアルミニウム回路を有する放熱基板で、アルミニウム回路と銅回路の異種金属の接続部分に発生する異種金属接触腐食が発生しない手段を提供する。
【解決手段】半田付けが可能な銅を主成分とした第１の配線１０と、ワイヤーボンディングに適したアルミニウムを主成分とした第２の配線１１を、互いにその一部を伝熱層１２に埋め込み、更にその第１の配線１０と第２の配線１１の接続部分を伝熱層１２や封止部１４で覆うことで、半田付けとワイヤーボンディングの両方に対応できる熱伝導基板とその製造方法及び回路モジュール。 （もっと読む）