【課題】製造コストの増大を抑制でき、かつ、微細配線に対応可能な配線基板及びその製造方法並びに前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、金属層を介して、前記セラミック基板の前記電極と接合されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの冷却効果を向上させ、半導体集積回路の動作の安定性を向上させることが可能な半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路を形成した半導体基板１に、ビアホール２を形成し、ビアホール２に熱伝導性を有する金属３を埋め込み、埋め込んだ金属３に接触するように、半導体基板１の表裏両面に金属４，５を取り付け、取り付けた金属４，５を、パッケージ６やリッド７に接触させる構造とすることにより、半導体基板１上の集積回路の近傍を直接冷却することを可能とする。金属３，４，５の代わりに、冷却効果が大きな材料例えば炭素や樹脂を用いるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】より簡便かつ低コストな方法で低熱膨張性を維持しつつ、板面に垂直な方向への高熱伝導性を両立させた、バッファー用複合材を提供する。
【解決手段】半導体とその半導体を冷却するためのベース板間に介在し、半導体を前記ベース板上に接合するためのバッファー用複合材６において、熱膨張率の低い低熱膨張金属層１の両面に熱伝導率の高い高熱伝導金属層２が配置されたクラッド材３と、高熱伝導率の金属で枠状に形成されると共に、前記クラッド材３を囲って一体に接合される高熱伝導金属枠体４とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールからの不要輻射を低減し、かつ半導体モジュールの冷却性を向上させる。
【解決手段】
半導体モジュール（１０）は、グランド配線層（２２）を含む母基板（２１）上に設けられ、グランド配線層（２２）と電気的に接続した導体（２５）が表面に設けられているコネクタ（２４）に、着脱可能に構成されている。半導体モジュール（１０）は、半導体素子（１２）が実装されたモジュール基板（１１）と、半導体素子（１２）の、モジュール基板（１１）とは反対側に向いた一面に取り付けられたヒートスプレッダ（１４）と、を有する。半導体モジュール（１０）がコネクタ（２４）に取り付けられたときに、ヒートスプレッダ（１４）はコネクタ（２４）の表面（２４ａ）に設けられた導体（２５）に接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクと第二の金属板との接合界面におけるボイドの発生を抑制してヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第二の金属板の他面にヒートシンクを接合するヒートシンク接合工程は、第二の金属板の他面とヒートシンクの接合面のうち少なくとも一方にＳｉ層を形成するＳｉ層形成工程Ｓ０１と、Ｓｉ層を介して第二の金属板とヒートシンクとを積層するヒートシンク積層工程Ｓ０２と、第二の金属板とヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、Ｓｉ層のＳｉを第二の金属板及びヒートシンクに拡散させることによって溶融金属領域を形成するヒートシンク加熱工程Ｓ０３と、この溶融金属領域を凝固させることによって第二の金属板とヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程Ｓ０４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部品とセラミック基体との熱膨張率差による電子装置全体の変形を低減させること。
【解決手段】素子搭載用部品１は、複合部材１１および金属部材１２を含んでいる。複合部材１１は、タングステンまたはモリブデンからなる多孔質体と、多孔質体に含浸された含浸材とを含んでいる。含浸材は、タングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる。金属部材１２は、複合部材１１に接合されているとともに、複合部材１１よりセラミックスに近い熱膨張係数を有している。 （もっと読む）

【課題】電子装置における熱伝導特性を向上させること。
【解決手段】熱伝導部品１は、複合部材１１と、複数のビア１２と、金属層１３とを含んでいる。複合部材１１は、タングステンまたはモリブデンからなる多孔質体と、多孔質体に含浸されているとともにタングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる含浸材とを含んでいる。複合部材１１は、上下方向に設けられた複数の貫通孔を有している。複数のビア１２は、複合部材１１の複数の貫通孔に設けられており、上記金属材料からなる。金属層１２は、上記金属材料からなり、複合部材１１の上面または下面に設けられているとともに、メッキによって複数のビア１２と一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムからなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス基板１１は、酸素又は窒素を含有しており、金属板１２、１３には、Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｇ及びＧｅから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板１１、１２とセラミックス基板１１との界面部分には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ及びＭｏから選択される１種又は２種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された冷熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉを固着させて、０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下のＳｉを含むＳｉ層を形成するＳｉ固着工程Ｓ１と、Ｓｉ層を介してセラミックス基板と金属板と積層する積層工程Ｓ２と、セラミックス基板と金属板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、溶融金属領域を凝固させることによってセラミックス基板と金属板とを接合する凝固工程Ｓ４と、を有し、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ層のＳｉを金属板側に拡散させることにより、セラミックス基板と金属板との界面に溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオード１２で発生した熱を第１、第２放熱体２０、７０へ効率的に伝導させることのできるＬＥＤダウンライト照明装置を提供する。
【解決手段】 発光ダイオード１２および点灯回路部品１１を表面に搭載した基板１０と、基板１０の裏面に表面が接する第１熱伝導性絶縁シート４０と、第１熱伝導性絶縁シート４０の裏面に一端面が接する第１放熱体２０とを備えている。さらに、基板１０の表面に裏面が接する第２熱伝導性絶縁シート８０と、第２熱伝導性絶縁シート８０の表面に一端面が接する第２放熱体７０とを備えている。各熱伝導性絶縁シート４０、８０は、第１、第２締結部材５０、９０によって圧縮されて、基板１０と各放熱体２０、７０に密接する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップから発生した熱を放熱フィンに効率よく伝えるとともに、放熱フィンの排熱性を向上させること。
【解決手段】通風箱体１には、通風路２を形成するとともに、通風路２に連通された開口部３ａ〜３ｅを形成し、開口部３ａ〜３ｅを介して半導体パッケージ４ａ〜４ｅを通風箱体１にそれぞれ装着することで半導体モジュールを構成し、半導体パッケージ４ａ〜４ｅに設けられた放熱フィン１６は、通風路２に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】シリコングリースによる接着剤の硬化阻害を防止することができる基板の接着構造を提供する。
【解決手段】 基板の接着構造１は、発熱部品４が実装されたセラミック基板２を常温硬化型接着剤６によりヒートシンク３に接着するための構造である。セラミック基板２とヒートシンク３の上部に形成された基板収容凹部５の底面との間には、熱伝導性の低い常温硬化型接着剤６が介在された接着剤領域７と、熱伝導性の高いシリコングリース８が介在されたグリース領域９とが形成されている。グリース領域９は、発熱部品４の直下位置に形成されている。接着剤領域７は、グリース領域９を取り囲むようにグリース領域９の外側に形成されている。基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９と接着剤領域７との間には、シリコングリース８を溜めるためのグリース溜まり溝１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系めっき鋼板を緩衝材に用いた放熱構造体において、反りの発生を効果的に抑制しながら、熱伝導性を向上させたものを提供する。
【解決手段】半導体発熱部品搭載側から順に「絶縁基板」、「緩衝材」、「伝熱材」をろう付け接合した構造を有し、緩衝材は、アルミニウム系めっき鋼板を素材として板厚を貫通する穴を形成したものであり、絶縁基板のアルミニウム系金属層と重なる領域に占める穴のトータル面積率が１０〜５０％となるように１個または複数個の穴を有し、伝熱材は、緩衝材側から受け取った熱を空気中または他の接合部材に伝えるためのアルミニウム系金属部材であり、「絶縁基板のアルミニウム系金属層」と「伝熱材」とが緩衝材の貫通穴を通してアルミニウム系金属で繋がったろう付け接合構造を有する放熱構造体。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層はタングステンを含み、第２の金属層は銅を含み、第３の金属層はタングステンを含む金属積層構造体である。 （もっと読む）

【課題】発熱部品が高密度に実装された複数のＰＣＢを組み合わせた全体の形状を薄型に構成しつつ、効率的に放熱する電子ユニットを提供する。
【解決手段】電子ユニット１を構成する発熱部品１７が高密度実装された２枚のＰＣＢを、いずれも半田面を上にして上下に配置し、上側に配置された第１のＰＣＢ１１の半田面にはこの面を覆うように放熱板１４を設け、第１のＰＣＢからの発熱を放熱させる。また、下側に配置された第２のＰＣＢ１２にはサーマルビア１８を設け、発熱部品から部品面に伝導した熱を半田面側に伝導し、さらにこの半田面に放熱シート２１を介して密着させた熱拡散板２２に伝導して拡散・均熱化してから、２枚のＰＣＢ間に設けられた放熱スペーサ１５により熱拡散板から放熱板へ熱伝導する。合わせて部品表面からの発熱は、部品面を覆うように設けられた金属ケースに伝導して拡散・均熱化し、基板スペーサ１６から放熱板に伝導する。 （もっと読む）

【課題】
発熱部品の駆動効率の低下を抑制することができる発熱部品用接着剤を提供する。
【解決手段】
発熱部品と放熱器とを固定するための接着剤に関する。樹脂成分に熱伝導成分として金属シリコン粒子を含有させる。熱伝導成分である金属シリコン粒子により発熱部品から放熱器への熱伝導効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】アドレスドライバＩＣとシステムＧＮＤとの間の配線インピーダンスを低減して、アドレスドライバＩＣにおける更なるＧＮＤ電位の安定化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の電位に保持された放熱板２５０と、放熱板２５に実装されるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）チップ２００と、放熱板２５０とＳＯＩチップ２００との接触面に塗布される放熱グリス２６０とを備え、ＳＯＩチップ２００は、回路素子領域を形成する第１シリコン（以下、Ｓｉ）基板２０３と、放熱板２５０と面する第２Ｓｉ基板２０１と、第１Ｓｉ基板２０３と第２Ｓｉ基板２０１との間に形成された絶縁膜２０２とを具備し、第１Ｓｉ基盤２０３と第２Ｓｉ基板２０１とは電気的に接続されており、放熱グリス２６０は、導電性であり、第２Ｓｉ基板２０１と放熱板２５０とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】パッケージの熱抵抗を低減する手段を提供する。
【解決手段】集積回路パッケージ１０は、熱的および電気的伝導パッケージのふた１５を含む。パッケージのふたは、パワー面、グランド面、又は、集積回路の信号ルートに接続された電気伝導パッド２３と電気的に通信される。電気伝導パッケージのふたは、電気接続を電力または電気信号に提供でき、または、電気的グランドとして役立ちうる。ある形態では、パッケージのふたは、熱的及び電気的に伝導性の材料からなる。他の実施形態では、パッケージのふたは、金属または他の導電材料の層を備えた少なくとも一つの表面に被覆された電気的絶縁基板を含み得る。伝導層は、電気的グランド、基準電圧、または、少なくとも１つの電気伝導バイアによる信号ペイに電気的につなぐことができる。 （もっと読む）

【課題】容易かつ確実に基材の下面に半導体素子を半田付けすることができる半田付け装置を提供する。
【解決手段】ロバーバル機構２０は、第１の棒材２２と第２の棒材２３が上下に離間した状態で基台２１を支点として棒材２２と棒材２３の両端が上下動可能に支持され、棒材２２の一端および棒材２３の一端に第３の棒材２４が上下に延びる状態で回動可能に連結され、棒材２２の他端および棒材２３の他端に第４の棒材２５が上下に延びる状態で回動可能に連結されている。棒材２５に重り３０が設けられ、棒材２４には半導体素子８５を載置して重り３０による重力に対するモーメントにより半導体素子８５をヒートシンク６０の下面６０ｂ側に向かって付勢する皿５０が設けられている。ヒートシンク６０の下面６０ｂ側に半田９２を挟んで半導体素子８５を押し付け、この状態で半田を溶融させることにより半導体素子８５をヒートシンク６０側に半田付けする。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの放熱性を十分に確保できながら、半導体チップの接合材の鉛フリー化を達成することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２が接合されるダイパッド３と、半導体チップ２とダイパッド３との間に介在され、ＢｉＳｎ系材料からなる接合材８とを有する半導体装置１において、接合材８に、半導体チップ２とダイパッド３との間の熱伝導性を向上させるためのＡｇネットワーク９を形成する。 （もっと読む）