【課題】冷却効率の高い電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電子機器は、発熱源となる電子デバイス（１０）と、低熱膨張で高熱伝導の基部（２１）と基部上に設けられ電子デバイスがハンダ接合される配線層を有する配線部（２２）と基部上で配線部の反対面側に設けられ基部を通過した電子デバイスからの発熱を放熱する放熱部（２３）とからなる基板（２０）と、基板を保持する筐体（３０）と、からなる電子機器であって、さらに、前記基板の放熱部に冷媒を直接導く冷媒誘導体（４０）を有することを特徴とする。冷媒が基板の放熱部へ直接誘導されるので、高い冷却効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】積層回路基板から異物が生じることを防止すること。
【解決手段】パワー基板７８は、絶縁層としての第１、第３、第５および第７の層３１１，３１３，３１５，３１７と、導体を含む層としての第２、第４および第６の層３１２，３１４，３１６とを積層してなる基板本体３０１を備えている。基板本体３０１の外側面３０１ｃは、被覆部材３０４によって被覆されている。これにより、基板本体３０１の外側面３０１ｃから、絶縁層を構成する材料が粉塵（異物）として飛散することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ヒートスプレッダ下面側、つまりヒートスプレッダと基板の間のはんだ体積を増加でき、応力を緩和でき、はんだ寿命を向上できるヒートスプレッダを提供すること。
【解決手段】 半導体チップ３を基板２にはんだ接合する際、半導体チップ３の下面及び基板２の上面にそれぞれはんだ４，６によりはんだ接合させ、半導体チップ３及び基板２の間に介在させるヒートスプレッダ１において、基板側となる下面の周縁部と、側面の下端部を異なる位置にし、下面の周縁部よりも側面の下端部を半導体チップ側となる高い位置にした。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料や工程を使用しなくても高い放熱効果が得られる、ＩＣチップ、パッケージおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１は、内部素子が配置される内部素子領域１１と、ボンディングパッド１３が配置される領域とに分かれ、内部素子領域１１の上面に放熱用金属膜１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】３−Ｄ集積回路側方熱放散を提供する。
【解決手段】積み重ねＩＣ装置の段の間のエア・ギャップを熱伝導材料で充てんすることによって、段の一つの中の一つ以上の個所に生じた熱が側方に移動されることが可能である。熱の側方移動は段の全長に沿うことが可能であり、熱材料は電気的に絶縁していることが可能である。スルー・シリコン・ビア（ＴＳＶ）が、熱的に問題のある個所からの熱放散を支援するために、ある個所に構築されることが可能である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラーを含有する接着剤を介して、発熱部品と放熱板を機械的・熱的に接合してなる電子装置において、接着剤のペースト特性を極力維持しつつ、接着剤の熱伝導特性を向上させる。
【解決手段】接着剤３０を、その厚さ方向と直交する面内において熱伝導性フィラー３２が密に存在する第１の領域３０ａと第１の領域３０ａよりも熱伝導性フィラー３２が疎に存在する第２の領域３０ｂとを有するものとし、第１の領域３０ａを、発熱部品１０のうち当該発熱部品１０の駆動時に最も発熱が大きい部位である発熱部１１の直下に位置させ、第２の領域３０ｂを第１の領域３０ａの外周に設けた。 （もっと読む）

【課題】空気中への熱の放出を回避しつつ効率的に発熱部品を冷却することができる基板ユニットおよび電子機器を提供する。
【解決手段】第１伝熱板５１ａの内向き面には発熱部品４５が受け止められる。発熱部品４５の熱は第１伝熱板５１ａに受け渡される。第１伝熱板５１ａの外向き面には断熱材５３が重ね合わせられることから、第１伝熱板５１ａの外向き面から空気中に熱の放出は回避される。その結果、熱は第１伝熱板５１ａから第２伝熱板５４に伝達される。第２伝熱板５４は放熱面で受熱器２７を受け止める。熱は第２伝熱板５４から受熱器２７に受け渡される。受熱器２７内に冷媒の流通路が確立されることから、熱は冷媒に受け渡される。こうして発熱部品４５は効率的に冷却される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種電子機器内のＩＣチップ周辺などを局所的に冷却する冷却性能の優れた電子機器用冷却装置を提供するものである。
【解決手段】 かゝる本発明は、ＩＣチップなどの発熱源５０に直接又は間接的に接触させると共に、そのベース部２１に多数の冷却フィン２２を適宜間隔で平行に立設させてなるヒートシンク２０を用いた電子機器用冷却装置１０において、ヒートシンク２０の多数の冷却フィン２２、２２間の間に、振動装置４０の振動板４３を挿入させる一方、ヒートシンク２０の多数の冷却フィン２２の全部又は一部に外気用の開口部２２ａを設け、かつ、開口部形成位置を振動装置４０の振動板の挿入長さの内側としてある電子機器用冷却装置にあり、外気用の開口部２２ａにより、振動装置４０の振動時、外気が導入され、冷却性能の向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】半導体構成素子の外側表面を保護材料で被覆し、放熱性を改善した半導体構成素子、および、それを備えた装置の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの半導体構成素子４を備える装置に関し、この半導体構成素子の外側表面６は、保護材料５によって被覆されている。保護材料５への熱移動表面積を拡大するために、この外側表面６に表面構造９が設けられている。さらに、それを備えた装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながらパッケージ基板とＬＳＩとの接合部やＬＳＩとヒートスプレッダの接合部の破壊を防止して信頼性を向上することができるパッケージ構造、それを搭載したプリント基板、並びに、かかるプリント基板を有する電子機器を提供する。
【解決手段】外部のプリント基板２００に搭載可能なパッケージ構造であって、発熱性回路素子１０２を搭載したパッケージ基板１１０と、発熱性回路素子からの熱を、発熱性回路素子を放熱するためのヒートシンク１９０に伝達するヒートスプレッダ１５０と、発熱性回路素子とヒートスプレッダとの間を封止し、発熱性回路素子及びヒートスプレッダと協同して封止空間ＣＡを形成する接合部材１４０と、封止空間に封止される液体金属１６０とを有し、接合部材は、発熱性回路素子の外周において発熱性回路素子とヒートスプレッダとを接続する銅又はアルミニウムを含有する固体金属である。 （もっと読む）

【課題】金属配線層のクラックを抑制し，高放熱性を確保する半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１００は，絶縁基板２０の一方の面を応力緩和層４０と接合し，他方の面上に半導体素子１０を搭載する。半導体モジュール１００は，次の２つの条件を満たしている。すなわち，条件（１）が「応力緩和層４０の降伏応力＞絶縁基板２０の金属配線層２２の降伏応力」であり，条件（２）が「金属配線層２２の線膨張率＞絶縁材２３の線膨張率」である。また，半導体モジュール１００では，金属配線層２２の外周部が弾性樹脂の樹脂モールド５０によってモールドされている。すなわち，樹脂モールド５０は，応力緩和層４０と絶縁基板２０の絶縁材２３との隙間を充填し，両者を接合している。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を高くしても、高い出力を得ることを可能にする。
【解決手段】基板２上に形成された半導体膜３と、半導体膜のトランジスタ能動部形成領域となる第１領域上に離間して形成されたソース電極１０およびドレイン電極１２と、ソース電極とドレイン電極との間の第１領域上に形成されたゲート電極１４と、を有する電界効果トランジスタと、半導体膜、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を覆うように形成された絶縁膜８、１６と、ソース電極に接続し、ゲート電極を覆うようにゲート電極の上方にまで延在するように絶縁膜上に形成された放熱プレート１８と、放熱プレート上に形成された放熱部２２、２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】冷却性能に優れると共に、半導体素子の発熱による早期の劣化等を、従来に比べてより確実に防止できる上、小型化も可能な半導体素子搭載基板と、前記半導体素子搭載基板を用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体素子搭載基板５は、ビア１の、素子搭載面２に露出した表面８の平面積を、前記素子搭載面２に搭載される半導体素子３の平面積の８５％以上、１１０％以下とする。半導体装置１６は、前記半導体素子搭載基板５の素子搭載面２に、ビア１と接合させた状態で、半導体素子３を搭載した。 （もっと読む）

【課題】半田層3の剥離のおそれを低減しつつ、半導体チップ2の放熱性を向上させる。
【解決手段】セラミック基板1aの両面に導体パターン1b,1cが形成されている絶縁基板1を有し、上面側導体パターン1bに半導体チップ2を搭載し、半田層3を介して下面側導体パターン1cと放熱板4とを接合した半導体装置において、放熱板4の上面のうち、概略長方形の下面側導体パターン1cの４個のコーナー部1c1,1c2,1c3,1c4に対応する位置に概略「く」形状の凹部4aを形成し、半田層3のうち、凹部4aが形成されている部分3aの厚さT3aを、凹部4aが形成されていない部分3bの厚さT3bより厚くし、凹部4aの内縁部4a1を、導体パターン1cの外縁部1c5より内側に配置しかつ半導体チップ2の外縁部2aより外側に配置し、凹部4aの外縁部4a2を導体パターン1cの外縁部1c5より外側に配置した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用気密端子の放熱性を向上させること。
【解決手段】ベース１とヒートシンク５とを銅または銅系合金で一体に形成した半導体装置用気密端子７であり、封着ガラス３で封着する際に塑性変形域温度まで加熱してヒートシンク５の硬度低下を招いても、ワイヤーボンド予定部に平面状にパンチングを施してコイニング８を形成することでワイヤーボンド予定部の硬度を上げることができ、ボンダビリティーを損なうこと無く、放熱性を向上出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体で発生する熱の放散と電気絶縁に関する各種問題を解決するための電力変換素子及びその材料の提供を目的とする。
【解決手段】厚さ方向に電気抵抗率が5×10²Ωm以上である少なくとも1層の高抵抗層と該高抵抗層より電気抵抗率が低い少なくとも1層の低抵抗層とを有する単結晶炭化珪素基板を用いて形成した電力変換素子であって、前記低抵抗層内に半導体回路を形成し、前記高抵抗層面を熱放散のために、外部へ露出したヒートシンクに接続して、低抵抗層の半導体回路から発生し伝播する熱を高抵抗の層を介して外部へ放散すると同時に外部との電気絶縁を行い、電力変換素子を保護する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブシート、その製造方法、及び、電子装置に関し、配向方向の揃ったカーボンナノチューブシートと被放熱部材或いは発熱部材との接触界面の熱抵抗を低減する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束の群とめっき金属からなり、カーボンナノチューブ束の配向方向がシートの垂直方向に保持されているとともに、カーボンナノチューブ束の少なくとも先端部が前記めっき金属により結合されており、且つ、カーボンナノチューブ束の先端部と反対側に空洞を設ける。 （もっと読む）

【課題】回路基板の材質や半導体チップの厚さばらつきにかかわらず高い放熱効果を確保することができ、かつ、半導体チップの接続信頼性を低下させる外力を抑えることができる半導体装置の放熱構造を提供する。
【解決手段】回路基板21に半導体チップ1が搭載された半導体装置の放熱構造であって、半導体チップ1の裏面と当該半導体チップ1の裏面側に配置される放熱板10とに固定された伝熱体12を備え、伝熱体12は、可撓性シート材料よりなり、平面視して、第１の面接触部13ｂと、同面接触部13ｂと交わる方向に少なくとも一部が延びた中間部13ｃと、同中間部13ｃと交わる方向に延びた第２の面接触部13aとを有し、中間部13cが立ち上がる姿勢で成形されていて、第１の面接触部13bが半導体チップ1の裏面に面接触し、第２の面接触部13aが放熱板10の対象面に面接触する構造とする。 （もっと読む）

【課題】反りの発生や熱サイクル負荷時の回路層と絶縁基板の界面及び金属層と絶縁基板の界面での剥離を防止することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュールを提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール基板１１と、金属層１４側に接合され、パワーモジュール基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７との間には、ヒートシンク１７及び金属層１４と接合する前の状態において純度９９％以上のアルミニウムからなる緩衝層１５が形成されており、緩衝層１５の厚さｔが、０．５ｍｍ≦ｔ≦７ｍｍとされていることを特徴とする。 （もっと読む）