【課題】冷熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が接合されてなり、この回路層１２の表面に電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、アルミニウムの母相中に析出物粒子が分散された析出分散型のアルミニウム合金で構成されており、回路層１２の断面の走査型電子顕微鏡観察において、回路層１２のうちセラミックス基板１１との接合界面部分には、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％未満とされた析出物欠乏層１２Ａが形成されており、回路層１２の一方の面側においては、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％以上とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ３次元的に熱伝導性が良く、従来に比べて放熱性を著しく向上させることの可能な放熱性基板を提供する。
【解決手段】 基板骨格面１１上に配置された複数のグラファイトシートのうちの少なくとも一部のグラファイトシート２ａは、複数のグラファイトシートの他のグラファイトシート２ｂ，２ｃ，２ｄよりも基板骨格面１１の法線方向Ｚに長さが長くなっており、基板骨格面１１上の複数のグラファイトシートが配置される側において、基板骨格面１１から前記少なくとも一部のグラファイトシート２ａの長さＺ１よりも短い距離にあって基板骨格面１１と該基板骨格面１１に平行な面とに挟まれた範囲に、金属材料３１が充填されて基板本体１０が形成され、前記少なくとも一部のグラファイトシート２ａにおいて、基板本体１０に埋設されていない部分がフィン部２５となっている。 （もっと読む）

【課題】露出面を有する裸のシリコンチップを搭載した回路板のための熱散逸設備を提供する。
【解決手段】熱分散体１６は平坦部分１８を有し、その内面２０（回路板１２に面する）上に１つもしくはそれ以上のジェル組成物２３からなるパッド２２がつけられる。パッド２２は、熱分散体１６が回路板１２に取り付けられ、チップ１４の露出面２５を完全にカバーしたときに、裸のシリコンパッドの向かい側に位置決めされる。ジェル組成物２３は粘着強さよりも大きい凝集強さ、１．３８Ｍｐａよりも小さい圧縮係数、１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい熱伝導率、および０．０８ｍｍと１．０ｍｍとの間の厚みを有する。ジェル物質の低圧縮係数は、機械的ストレスのチップへの伝達からチップ１４を保護する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化、および、温度の均一化を図ることができ、放熱性に優れる撮像部品を提供すること。
【解決手段】撮像部品１が、光が入射される光入射面、および、光入射面の反対側に配置される裏面を備える撮像素子２と、裏面に設けられ、撮像素子２から生じる熱を放熱するための、板状の窒化ホウ素粒子を含有し、熱伝導性シート３の厚み方向に対する直交方向の熱伝導率が、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導性シート３とを備える。このような撮像部品１によれば、優れた放熱性を確保するとともに、温度の均一化を図ることができ、さらには、低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性板材と、絶縁性板材の上面に積層固定される導電性板材と、導電性接着剤を介して導電性板材の上面に電気接続状態で積層固定され、通電により発熱する発熱体とを備える半導体装置において、絶縁性板材と導電性板材との熱膨張係数の差に基づく発熱体や導電性接着剤への応力集中を緩和し、半導体装置の品質低下を抑える。
【解決手段】絶縁性板材３の上面３ａ及びこれに対向する導電性板材４の下面４１ｂに、互いに噛み合う凹凸面３１，４４をそれぞれ形成し、これら凹凸面３１，４４同士を噛み合わせることで、絶縁性板材３の上面３ａ及び導電性板材４の下面４１ｂに沿う面方向への絶縁性板材３及び前記導電性板材４の相対移動を規制する。 （もっと読む）

【課題】 気密性を向上させることが可能な実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】 実装構造体１であって、放熱基板２と、放熱基板２上に低融点合金３を介して実装された電子部品４と、放熱基板２上に電子部品４を取り囲むように設けられ、低融点合金３よりも高融点の熱硬化性樹脂５を介して接合されたセラミック枠体６と、セラミック枠体６上に設けられ、セラミック枠体６の内外を電気的に接続する接続端子７と、セラミック枠体６上に設けられ、電子部品４を被覆するようにセラミック枠体６と重なる領域に設けられた蓋体８と、を備えている。セラミック枠体６内の気密性を向上させることが可能な実装構造体１となる。 （もっと読む）

【課題】下部電極の凹部の底面と上部電極の下面との間にはんだを容易に充填することができる下部電極と上部電極との接続構造を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ２０は、上面２０ａに凹部２１を有している。上部電極３０は、凹部２１の一部を覆い、水平部３３の下面３３ａが凹部２１の底面２１ａと離間している。凹部２１の側面と上部電極３０の側面との隙間が凹部２１の底面２１ａと上部電極３０の水平部３３の下面３３ａとの隙間よりも狭くなっている部位を有している。凹部２１の底面２１ａと上部電極３０の水平部３３の下面３３ａとの間に、凹部２１における上部電極３０で覆われずに上方に開口するはんだ注入口Ｓ１から注入したはんだ４０が充填されている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、冷却効率を高めること。
【解決手段】表面に複数の溝３０ｂが形成された基体３０と、パリレン薄膜３３を介して主面４０ａが基体３０の表面に接続された電子部品４０とを有し、主面４０ａと溝３０ｂにより冷却流体Cが通る通路が画定され、溝３０ｂの内面にパリレンが存在する電子デバイスによる。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性と接着性を併せ持つ熱伝導シートを提供すること。
【解決手段】ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以下である有機高分子化合物（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、エポキシ樹脂（Ｂ）の硬化剤及び必要に応じ硬化促進剤（Ｃ）、及び鱗片状、楕球状又は棒状であり、結晶中の六員環面が鱗片の面方向、楕球の長軸方向又は棒の長軸方向に配向している黒鉛粒子又は／及び六方晶窒化ホウ素粒子（Ｄ）を含有する組成物を含み、前記黒鉛粒子又は／及び六方晶窒化ホウ素粒子（Ｄ）の鱗片の面方向、楕球の長軸方向又は棒の長軸方向が熱伝導シートの厚み方向に配向している熱伝導シート。 （もっと読む）

【課題】サーマルグリースに気泡が生じるのを抑え、ＬＳＩチップ等の電子部品を安定して冷却する。
【解決手段】配線基板３０の表面に実装される電子部品１０と、電子部品１０を覆うように設けられるヒートシンク２０と、電子部品１０とヒートシンク２０との間に充填され、半流動性を有するサーマルグリース４０とを備え、ヒートシンク２０は、電子部品１０側の表面から突出すると共に内側空間に電子部品１０を収容した周壁２５を有し、周壁２５は、電子部品１０の角部に対応する位置に形成されると共に前記内側空間と外側とを連通させる開放部２２を具備し、サーマルグリース４０は、前記内側空間に充填されていると共に開放部２２に貯留されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の熱膨張等に起因する半導体素子への負荷を低減することのできる素子実装回路基板を提供する。
【解決手段】パワー基板４９は、複数の絶縁層としての第２，第４，第６および第８層１１３，１１５，１１７，１１９と、これらの層間に配置された導電部１１４ａ，１１４ｂ，１１６ａ，１１６ｂ，１１８ａ，１１８ｂとを含む。パワー基板４９の上面１０１ａには、導電部１１４ａよりも厚みの大きい金属板６２が配置されている。ＦＥＴ５３は、金属板６２を介してパワー基板４９の上面１０１ａに実装されている。 （もっと読む）

【課題】加熱もしくは冷却時の温度変化に伴う反りを解消し、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３であって、両金属層６，７を構成する結晶粒の平均粒径が、厚みの厚い金属層７よりも厚みの薄い金属層６の方が小さく形成されていることから、ろう付け等の加熱処理あるいはその後の温度環境に伴う反りの発生を防止して、接合の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な冷却効率を有する冷却装置を提供する。
【解決手段】集積回路などの半導体デバイスの表面を冷却するための装置は、冷却対象の表面に対して非平行である複数のチャネル（３’）を備え、各チャネルは、各チャネルの長さに沿って配置された複数の分離電極（５）または等価の導電エリアを備え、該装置は、あるシーケンスに従って前記電極または導電エリアに電圧を印加するための手段を備え、あるいは該手段と接続可能であり、前記シーケンスは、チャネル内の冷却液の液滴（６）が１つの電極から次の電極へ移動して、これにより液滴をチャネルの上部から下部へ輸送し、そこから液滴が冷却対象の表面に衝突する。 （もっと読む）

【課題】
電子部品の冷却システムが提供される。
【解決手段】
冷却システムは電子部品の複数の異なる領域上に置かれた複数の熱電素子群を有する。冷却システムは、熱電素子群に接続され、該熱電素子群がそれぞれの領域から熱を排出するように該熱電素子群に電流を供給するための複数の導体を有する。冷却システムは、導体に接続され、異なる領域で発生された熱に基づいて、前記熱電素子群に供給される電流を相対的に制御するための制御装置を有する。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合を含む２個の接合素子の構成体およびその製造方法の提供。
【解決手段】低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第１および第２の接合素子を含む構成体に関する。関連する製造方法は次のステップを含む。すなわち、その上に平面状の金属酸化物の層２４０を含む卑金属からなる表面部分１８を有する第１接合素子１０を用意するステップと、その第１接合素子の第１接触面として設けられる表面部分の領域に還元剤を施与するステップと、その還元剤に焼結ペーストからなる層を施与するステップと、その焼結ペーストからなる層の上に第２接合素子５０の第２接触面５６を配置するステップと、材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体に温度および圧力を加えるステップと、である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制できる絶縁基板及びこの絶縁基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】板状をなす基板本体２０の一方の面が、半導体チップ３が搭載される搭載面とされ、基板本体２０の他方の面側に絶縁層１５が形成されてなる絶縁基板１０であって、基板本体２０は、炭素質部材中に金属が充填された金属基複合材料からなる金属基複合板２１を有し、この金属基複合板２１の他方の面側に金属板２２が積層された構造とされており、金属基複合板２１は、一方向における熱伝導率が他方向における熱伝導率よりも高くなるように異方性を有しており、金属板２２は、熱伝導率について等方性を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングやリボン電線を用いた接続方法により半導体ベアチップを基板に実装するパワーモジュールの放熱性を向上させることにある。
【解決手段】一面と他面とを有する基板１１と、基板１１の一面側に配設されるヒートスプレッダ１２と、ヒートスプレッダ１２を介して基板１１に実装される半導体ベアチップ１３と、基板１１に実装された半導体ベアチップ１３を封止する封止材１４と、基板１１の他面側に設けられた放熱器１５と、を備えたパワーモジュール１０において、ヒートスプレッダ１２に、基板１１及び半導体ベアチップ１３それぞれと熱接触する板状の第一拡散部１２１と、第一拡散部１２１から基板１１の反対方向に起立する一又は複数の第二拡散部１２２とを設けた。 （もっと読む）

【解決手段】
各々が能動回路領域を含むチップの積層体において、多重チップ積層体内の複数のスルーシリコンビア（ＴＳＶ）開口をパターニングし、エッチングし、そして熱的伝導性材料で充填することによって、多重チップ積層体からの熱を熱的に伝導させるための複数のＴＳＶ構造が形成され、複数のＴＳＶ開口は、いずれの能動回路領域をも貫通せずに多重チップ積層体の実質的に全体を通って延びる第１の大きなＴＳＶ開口と、能動回路領域まで下に延びるが通過はしない第２の小さい開口と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）