【課題】半導体レーザ素子２００ａとヒートシンク１００ａの接合時の熱応力を低減するとともに、放熱効率を向上させる。
【解決手段】ヒートシンク１００ａは、表面に、半田と合金化しない非合金化電極層４と、この非合金化電極層４を挟むように形成される半田層３と、を有している。非合金化電極層４は、半導体レーザ素子２００ａの発光部８の直下において、半導体レーザ素子２００ａの下面に形成された合金化電極層１０と電気的に接続し、非合金化電極層４の周辺において半田層３は、合金化電極層１０と合金化することにより半導体レーザ素子と接合する構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】
樹脂封止型半導体パッケージの放熱性を向上させるとともに、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄに接続されたドレイン端子５が封止樹脂部６の裏面６ｂで露出され、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓに接続されたソース端子３の第１の部分３ａと半導体チップ２のゲートパッド電極に接続されたゲート端子の一部が封止樹脂部６の上面６ａで露出され、ソース端子３の第２の部分３ｂとゲート端子の他の部分が封止樹脂部６の裏面６ｂで露出されている。この半導体装置１を製造する際に、ドレイン端子５と半導体チップ２の間に接合材とフィルム部材８ａとを介在させ、ソース端子３およびゲート端子と半導体チップ２の間にペースト状接合材とフィルム部材８ｂを介在させ、ペースト状接合材を硬化して接合材７とする。フィルム部材８ａ，８ｂを用いたことで、接合材７の厚みのばらつきが抑制される。 （もっと読む）

【課題】放熱板の放熱特性を損ねることなく、電位の発生を防止しうる樹脂封止型半導体装置および半導体装置を構成するための組立構造を提供する。
【解決手段】実装用組立構造Ａは、放熱板１１と、放熱板１２を固定している樹脂キャリア１２と、放熱板１１の上に載置された電極パターン１４付きのサブマウント１３と、樹脂キャリア１２に固定されたインナーリード２１ａとを備えている。サブマウント１３上の電極パターン１４の上に、半導体チップ３０が搭載され、ワイヤボンディングにより、半導体チップ３０上の各電極及び電極パターン１４と、インナーリード２１ａとがワイヤ３１，３２，３３によって接続される。その後、全体が封止樹脂３５によって封止されて、樹脂封止型半導体装置Ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安く、しかも放熱性能の優れた放熱装置を提供する。
【解決手段】放熱装置１は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板３と、絶縁基板３の他面側に配置されたヒートシンク５とを備えている。絶縁基板３における発熱体搭載面の反対側の面にアルミニウム層７が形成され、アルミニウム層７とヒートシンク５との間に、アルミニウムめっき鋼板またはアルミニウム合金めっき鋼板からなる応力緩和部材４が介在する。アルミニウム層７と応力緩和部材４とヒートシンク５とが同一工程で同種ろう材によって接合される。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時の接合信頼性を向上することができるパワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュールを提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板１の表面に回路層２が配置され、裏面に金属層３が配置されるパワーモジュール用基板４の製造方法であって、前記金属層３は、アルミニウム純度９９．５ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％未満の第１層３ａと、アルミニウム純度９９．９９ｗｔ％以上の第２層３ｂとを含む２以上の層を積層してなるクラッド材により形成されており、前記クラッド材の前記第１層３ａを、前記セラミックス基板１側と反対側の面として、これらセラミックス基板１と金属層３とを、互いにろう付けにより接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の放熱効率を改善し、半導体レーザ素子の光出力の低下と熱的クロストークを改善した半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１の基板側に接合されている第１のサブマウント２と、第１のサブマウント２の裏側に接合されている第１のヒートシンク７とを備えた半導体レーザ装置において、第２のサブマウント１０が第２のヒートシンク１２上に接合され、第２のサブマウント１０が半導体レーザ素子１上に接合され、第２のヒートシンク１２が第１のヒートシンク７上に接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過負荷等によって半導体素子から定常発熱状態（通常状態）より大きな熱が発生した場合、半導体素子の急激な温度上昇を抑制することができ、同等の性能を持つヒートマスをより少ない材料で作製することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１６と、半導体素子１６で発生した熱が伝導される強制冷却式の冷却器１１と、半導体素子１６上に半田付けされているヒートマス１７とを備えている。ヒートマス１７は、本体部１７ａと複数の脚部１７ｂとを有し、脚部１７ｂにおいて半導体素子１６に半田付けされている。ヒートマス１７は半導体素子１６の発熱時の温度分布における温度の高い位置に対応する部分の熱容量が、温度の低い位置に対応する部分の熱容量より大きくなるように形成されている。本体部１７ａは、熱容量が大きい部分の厚さが、熱容量が小さい部分の厚さより厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】安価で汎用性があり、従来のＰｂ含有の高温系はんだの代替が可能になる新規な合金接合材を提供する。
【解決手段】第１金属被接合材１と第２金属被接合材２とを薄層接合材３を介して積層し積層体４を形成する。薄層接合材３は、ＴｅとＡｇとを主成分にし、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｏからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材、あるいはＴｅとＡｇとを主成分にし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｐｔ、ＭｎおよびＦｅからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材の例えばシートハンダである。この積層体４を３５０℃〜４５０℃の範囲の温度で加熱することによって、高耐熱性を有する接合層５を通して接合された接合体６が得られる。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と、冷熱サイクルに対する高い耐久性を兼ね備えた半導体モジュールを得る。
【解決手段】この半導体モジュール１においては、回路基板２と放熱部材３とがはんだ層４により接合される。回路基板２は、セラミックス基板５とその両側に接合された金属回路板６、金属放熱板７とからなり、金属回路板６とセラミックス基板５間、および金属放熱板７とセラミックス基板５間は、ろう材により強固に接合されている。放熱部材３の表面（金属回路板７と接合させる側の面）に、複数の凹凸が形成された放熱部材接合領域１１が設けられている。この放熱部材接合領域１１においては、互いに平行な線状の凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と、冷熱サイクルに対する高い耐久性を兼ね備えた半導体モジュールおよびこれに使用される回路基板を得る。
【解決手段】この半導体モジュール１においては、回路基板２と半導体チップ３とが第１のはんだ層４により接合される。回路基板２は、セラミックス基板５とその両側に接合された金属回路板６、金属放熱板７とからなる。この半導体モジュール１においては、第２のはんだ層９の厚さは、金属放熱板７の中央部で薄く、端部で厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに放熱性に優れ、ハンダ付けが可能であるヒートシンクに好適に適用可能な表面処理Ａｌ板、およびその表面処理Ａｌ板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＳｎ層をめっきにより形成させ、前記Ｚｎ層が前記Ｎｉめっき後の状態で５〜５００ｍｇ／ｍ^２の皮膜量、前記Ｎｉ層が０．２〜５０ｇ／ｍ^２の皮膜量、前記Ｓｎ層が０．２〜２０ｇ／ｍ^２の皮膜量となるようにする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制する。
【解決手段】セラミックス板１１と回路層１２との積層体１４ａ間に介在されるろう材層２０は、前記積層体１４ａにおいて、表面に前記回路層１２の外周縁部が配置される外周部分２０ａと、この外周部分２０ａに囲まれた内側部分２０ｂとを備え、前記外周部分２０ａは、その酸素含有濃度が前記内側部分２０ｂよりも高いろう材により形成されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制する。
【解決手段】セラミックス板１１と回路層１２との積層体１４ａ間に介在されるろう材層２０は、前記積層体１４ａにおいて、表面に前記回路層１２の外周縁部が配置される外周部分２０ａと、この外周部分２０ａに囲まれた内側部分２０ｂとを備え、前記内側部分２０ｂは、直径０．１μｍ以下の超微粒子粉末のろう材により形成され、前記外周部分２０ａは、内側部分２０ｂのろう材よりも粒径が大きいろう材又はろう材箔により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装した発光装置の出力を改善し、照明用の白色発光装置の励起光源として好適に用い得る、発光出力に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装して発光装置を構成する。
（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。
ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１８を切り出した後、金属膜３上にＩｎ−１０原子％Ａｇペレット５を載置する。次いで、スティフナ１２上のエポキシシート１３をセラミック基板４に貼り付ける。このとき、中央凸部１１ａと金属膜３との間でＩｎ合金ペレット５を挟み込む。そして、Ｉｎ合金ペレット５を加熱することにより、溶融させ、その後、冷却することにより、Ｉｎ合金ペレット５からＩｎ合金膜を形成する。この結果、金属膜３及びＩｎ合金膜１７を介して半導体チップ１８とヒートスプレッダ１１とが接合される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に対して大きな熱応力が作用したときに、素子破壊を防止することができ、長期的信頼性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２と、この半導体チップ２の両面から放熱するための一対のヒートシンク３、４とを備え、装置のほぼ全体を樹脂７でモールドしたものにおいて、半導体チップ２の厚さ寸法をｔ１とし、一対のヒートシンク３、４のうちの少なくとも一方のヒートシンク３の厚さ寸法をｔ２としたときに、ｔ２／ｔ１≧５が成立するように構成したものである。上記構成の半導体装置１に対して大きな熱応力が作用しても、素子破壊が発生しないことを試作と実験により確認した。 （もっと読む）

【課題】セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制する。
【解決手段】パワーモジュール用基板の製造方法であって、ろう材箔２０は、積層体１４ａにおいて、表面に回路層１２の外周縁部が配置される外周部分２０ａと、この外周部分２０ａに囲まれた内側部分２０ｂとを備え、外周部分２０ａは内側部分２０ｂを形成する材質と比べて液相温度が高い材質で形成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、半導体レーザチップに加わる応力が低減され、かつ安定した接合が可能な半導体レーザ装置と、その半導体レーザ装置の製造方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザ素子１０、半導体レーザ素子１０を載置する基台１４ならびに第１及び第２の放熱部材１１、１２を備えて構成され、半導体レーザ素子１０は、第１の放熱部材１１との熱的な接合を介して基台１４上に載置され、かつ、第２の放熱部材１２と熱的に接合されており、第２の放熱部材１２は、基台１４と熱的に接合されてなる半導体レーザ装置。 （もっと読む）

【課題】高い効率で熱交換を行うことが可能な熱交換器、及びその熱交換器を用いた光源
装置、及びプロジェクタを提供すること。
【解決手段】波形状を有する波状板部３６と、波状板部３６を収納し、流体を流動させる
流体流動部と、流体流動部を構成する第１構造体と、流体流動部を構成し、第１構造体よ
り熱源側に設けられた第２構造体３２と、を有し、第２構造体３２は、波状板部３６のう
ち第２構造体３２側の部分に対応させて設けられた溝部３８を備える。 （もっと読む）

【課題】使い勝手が良く、低熱抵抗で高信頼性の絶縁回路基板を搭載した半導体パワーモジュールを提供。
【解決手段】回路板１と放熱板５の間に、セラミックス板２を設けた熱拡散板３を１層以上配置した絶縁回路基板５００を搭載した半導体パワーモジュールで、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とする。 （もっと読む）