【課題】半導体基板をはんだ接合により搭載するための銅または銅合金製の放熱板において、Ｐｂフリーはんだ使用時のＣｕ拡散に起因したボイドの形成や、はんだ濡れ性不良が安定して防止でき、パワーモジュールケースとの接合性の良いものを提供する。
【解決手段】半導体基板７をはんだ接合２により搭載するための銅または銅合金製の放熱板１において、半導体基板を搭載する面（基板搭載面）およびその反対側の面（裏面）にＮｉめっきが施されており、基板搭載面あるいはさらに裏面において、端面近傍と板面中央部を含めた５点のＮｉめっき厚さの変動幅が２.０μｍ以下である放熱板。特にＮｉめっきが施されていない端面を有するものが好適な対象となる。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置においては、放熱板収縮による半導体基板の破損を防ぐために、放熱板に形成した凹部に半導体基板を収納して接合した構成とすると、半導体基板を接合するのに必要な放熱板表面の面粗度や平面度を得ることが困難であった。
【解決手段】 半導体装置１は、半導体基板３と、該半導体基板３が接合されるベース板２１と、該ベース板２１に接合され、前記半導体基板３のベース板２１に対する位置決めを行う位置決め部材２２とで構成される放熱板２とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱疲労に対する信頼性を高めたパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、素子の下側に接合した下側電極と、下側電極の下側に接合され、両面に金属箔が接合された第１の絶縁基板と、パワー半導体素子の上側に接合した上側電極と、上側電極の上側に接合され、両面に金属箔が接合された第２の絶縁基板と、第１の絶縁基板の下側に接合した第１の放熱板と、第２の絶縁基板の上側に接合した第２の放熱板とを備え、パワー半導体素子と第１の絶縁基板と第２の絶縁基板とを樹脂で封止した。 （もっと読む）

【課題】ナノ金属ペーストを用いて上位，中位，下位に重ねた三つの部品間を接合させる際に、各部品の間に未接合部分を残すことなく、かつ同じ接合工程で各部品を一括して接合てきるように改良した接合方法，および組立治具を提供する。
【解決手段】半導体モジュールの組立治具８に、ナノ金属ペースト１７を塗布した絶縁基板２，半導体チップ３，ヒートスプレッダ４をセットしての各部品の相互を離間させて保持し、この状態で熱を加えてナノ金属ペーストの有機成分を揮散させ（プレ加熱工程）、続く加熱接合工程では各部品の接合面を重ね合わせた上で、外部から加圧力を加えてナノ金属粒子同士，およびナノ金属粒子と部品の接合母材とを融合／溶着させる。 （もっと読む）

【課題】ヒートスプレッダをはんだで半導体チップに固着した半導体装置において、ゲートライナーを被覆しているポリイミド膜の端部上の角部からはんだ内へのクラックの発生を防止した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に酸化膜２を形成し、ポリシリコンで形成したＩＧＢＴのゲート電極と接続するポリシリコンゲート配線３を酸化膜２上に形成し、さらに絶縁膜４および開口部５を形成し、開口部５を介してゲートライナー６、７とポリシリコンゲート配線３を接続し、ＩＧＢＴのエミッタ領域と複数のエミッタ電極９を接続する。ゲートライナー６、７上をポリシリコン膜１０、１１で被覆し、エミッタ電極９で挟まれた箇所のゲートライナー６上のポリイミド膜１０の端部上の角部を丸め、冷熱繰り返し環境における当該箇所への応力を低減することで、ヒートスプレッダ１２とエミッタ電極９を固着するはんだ１３にクラックが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】個別に冷却機能を調整可能で信頼性の高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスＡは、電気素子が形成されたチップ１１と、はんだ層１３と、ダイパッド１２と、リード１５と、ボンディングワイヤ１６と、絶縁板１７と、熱伝達部材１４とを備えている。伝達部材１４は、円板部１４ａと、円板部１４ａの裏面から下方に延びる複数の柱状部材１４ｂとからなる。柱状部材１４ｂの下端面は、冷却管３０に接触しており、電気素子内で発生した熱を外部に放出して、電気素子の温度上昇を抑制するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】熱を効率的に伝達することができる電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】接合材２６はＩｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される。本発明者の検証によれば、接合材２６の全重量に対するＡｇの含有量が増大すればするほど、接合材２６では電子部品２１や熱伝導部材１５との接合面でボイドが減少することが確認された。しかも、Ｉｎ−Ａｇは、これまでの例えばＳｎ−Ｐｂといったはんだ材料に比べて低い熱抵抗値を示す。これまでのはんだ材料に比べて熱伝導率は向上する。その結果、本発明の接合材２６によれば、電子部品２１の熱は熱伝導部材１５に効率的に伝達されることができる。 （もっと読む）

【課題】 温度検出用ダイオードの温度特性を正確に決定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 このパワー半導体モジュール１０は、一方の面にスイッチング素子が載置された放熱用の金属ベース板１１は、たとえば銅ベース板として構成されている。この金属ベース板１１の一方の面には、樹脂などの外囲ケース１４によって保護されたＩＧＢＴチップが固定され、外囲ケース１４の外部に複数の主端子１５が突設されている。また、金属ベース板１１の他方の面には高い電気抵抗率ρ（=１７×１０^-8Ωｍ）の金属膜１６が加熱体として成膜されている。誘導加熱による温度計測装置を用いて、放熱用の金属ベース板１１の温度を非接触で測定することで、ＩＧＢＴチップ内の温度検出用ダイオードの温度特性を正確に決定できる。 （もっと読む）

ナノサイズの金属粒子組成物は、約20nm以下の粒径を有する第1金属を有する。前記ナノサイズの粒子は、前記第1金属の殻を形成する第2金属を有して良い。前記ナノサイズの金属粒子組成物を用いたマイクロエレクトロニクスパッケージについても開示されている。マイクロエレクトロニクスパッケージのアセンブリ方法についても開示されている。前記ナノサイズの金属粒子組成物を有する演算システムについても開示されている。

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【課題】位置決めによる粘着操作を省き、作業効率を上げるとともに熱伝導効果を高めることができる低融点金属合金被覆層を有する放熱装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】放熱装置は放熱器１および低融点金属合金被覆層２を有しており、その製造にあたっては、低融点金属合金材を融点以上に加熱し、溶融状態となった低融点金属合金材を放熱器にスプレーし、直接放熱器１に被覆層２を形成する。製造時間を節約すると共に、作業が便利となり、かつ被覆層と発熱端の接触を利用して熱伝導効果をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させると共に、小形化を実現し、また、応力に弱い構成の半導体チップであっても、半導体チップの２つの主面から速やかに放熱させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、一方の主面にコレクタ電極を有すると共に他方の主面にエミッタ電極及びゲート電極を有する６個のＩＧＢＴチップ４を備え、これらＩＧＢＴチップ４を挟むように設けられ各挟む側の面にＩＧＢＴチップ４の電極に接合するための電極パターン１３、１４、１９が配設された２枚の高熱伝導性絶縁基板２、３を備え、そして、ＩＧＢＴチップ４の電極と高熱伝導性絶縁基板２、３の電極パターン１３、１４、１９とをろう付けにより接合して構成している。 （もっと読む）

【課題】自動車のヘッドライト用の、放電ランプ制御モジュール用のヒートシンクを備える電子アセンブリを提供すること。
【解決手段】ヒートシンクを備えた電子アセンブリは、本質的に、印刷回路（１）と、熱絶縁および／または電気絶縁の働きをし、ヒートシンク（２、５、６）を有するハウジング（３、４）とを備えている。このヒートシンクは、印刷回路の少なくとも１つの面と、ハウジング面との間に挿入される。前記ヒートシンクは、この印刷回路面の大部分の上を延び、一方では、このヒートシンクを印刷回路に固定するための粘着面と、他方では、このヒートシンクをハウジング面に固定するための粘着面とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、回路と、集積回路パッケージと、集積回路ダイまたはディスクリートな電力構成要素を集積回路のフランジに取り付けるための方法とに関するものである。前記集積回路ダイはそれぞれウェーハからのこ引きされる。本発明は、機械的研磨により前記ウェーハを薄くし、前記ウェーハに等方性湿式化学的エッチを行うことにより結晶欠陥を除き、前記ウェーハの裏面に接着および拡散隔膜金属を蒸着させ、前記ウェーハの裏面にＡｕおよびＳｎを蒸着させ（Ａｕの重量割合は８５％以上）、前記ウェーハをのこ引きして回路ダイを作り、前記各回路ダイをそれぞれのヒートシンクにはんだ付けすることを含む。
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