【課題】放熱性および絶縁破壊強度の両方に優れた絶縁材、これを用いた金属ベース基板および半導体モジュール、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁材は、エポキシ樹脂と、このエポキシ樹脂に分散された、１〜９９ｎｍの平均粒径を有する第１の無機フィラーと、０．１〜１００μｍの平均粒径を有する第２の無機フィラーとを含む。第１及び第２の無機フィラーは、互いに独立して、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＢＮ、ＡｌＮ及びＳｉ₃Ｎ₄からなる群から選択される少なくとも１つであり、絶縁材における第１及び第２の無機フィラーの配合割合は、それぞれ、０．１〜７重量％及び８０〜９５重量％である。この絶縁層１１の両面に、金属箔１２と金属ベース１３を形成し、金属ベース基板１０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミック層と、前記セラミック層の片側に配置された第１金属層と、前記第１金属層のセラミック層配置側とは反対側に配置されるとともにＮｉを必須元素として含む第２金属層とが積層状に接合一体化された放熱用絶縁基板であって、絶縁基板のそり、割れ、剥離などの不良の発生を防止すること。
【解決手段】絶縁基板１Ａの第１金属層３と第２金属層５との間に超弾性合金層４が介在されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センシング誤差を低減して、実際の冷媒温度を精度良く検出することが可能な冷却器を提供することである。
【解決手段】冷却器１０は、天板１２及び底板１３から構成される冷却器本体１１と、導入パイプ１５と、導出パイプ１６と、冷媒の温度を検出する温度センサ２８とを備える。冷却器本体１１には、底板１３の導入部１８に位置する部分に、ネジ２５が形成された円柱形状の凹状部２４である取り付け部２３が形成されている。温度センサ２８は、取り付け部２３に締結されたスタッドボルト２６にボルト穴２９が通されて、ナット２７により固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子チップに大きな電力を供給することが可能な実装構造を提供する。高い放熱効果が得られる実装構造を提供する。
【解決手段】実装構造１は、配線基板１０に半導体素子チップ２０が実装されたものであり、配線基板１０は、配線基板１０を厚み方向に貫通して開孔されたスルーホールより大きい少なくとも１つの孔部３０を有し、孔部３０内に外部から半導体素子チップ２０の外部接続端子２１Ｂに給電するための給電端子３１が挿入され、給電端子３１が絶縁材３２により孔部３０内に固定されたものである。半導体素子チップが放熱端子を有する場合、配線基板は、スルーホールより大きい少なくとも１つの孔部を有し、孔部内に半導体素子チップの放熱端子から外部への放熱を行う外部放熱端子が挿入され、外部放熱端子が絶縁材により孔部内に固定された構造とすれば、高い放熱効果が得られる実装構造を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子を用いて形成したことに見合う高い熱伝導率を有し、しかもその大きさを、製造設備等の制約を受けることなく任意に大きくできる半導体素子搭載部材、およびその製造方法と前記半導体素子搭載部材を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載部材は、ダイヤモンド粒子同士を直接に接触させた状態で焼結され、前記ダイヤモンド粒子の露出した表面にのみ選択的に溶浸補助層が形成された多孔質体中にマトリクス金属が溶浸された。製造方法は、ダイヤモンド粒子と溶浸補助層のもとになる元素の粉末と塩化アンモニウムの粉末の混合物を圧縮成形したのち９００℃以上に加熱して前記多孔質体を形成する工程を含む。半導体装置は、前記半導体素子搭載部材の素子搭載面に、接合層を介して半導体素子を搭載した。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて放熱性及び信頼性の向上が図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を実装した金属部材３に絶縁シート２を介して金属シート５を設け、上記金属シートを一側面に露出させて上記半導体素子及び上記金属部材を樹脂封止して作製された半導体モジュール２０と、上記金属シートに、はんだ７０を介して接合され、上記半導体素子が発する熱を放散させる冷却装置６０とを有する半導体装置１０１において、上記金属シートは、上記はんだが接合される接合領域５２と、上記接合領域の周囲に位置し上記はんだが接触せずはんだ付けされない非接合領域５３とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と電極のような２種類の材質を面で接合した構造において、温度変化時に接合部に発生する熱応力を極力低減し、高温域でも高い信頼性を確保することが可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子と、この半導体素子に、接合材を介して接続され、穴が形成された第一の応力調節材と、この穴に圧入される突起が設けられた第二の応力調節材と、この第一の応力調節材とこの第二の応力調節材との間に充填された熱伝導材とを有する。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安く、しかも放熱性能の優れた放熱装置を提供する。
【解決手段】放熱装置１は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板３と、絶縁基板３の他面に固定されたヒートシンク５とを備えている。絶縁基板３における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層７を形成する。絶縁基板３の金属層７とヒートシンク５との間に、複数の貫通穴９が形成されたアルミニウム板10からなり、かつ貫通穴９が応力吸収空間となっている応力緩和部材４を介在させる。応力緩和部材４を、絶縁基板３の金属層７およびヒートシンク５にろう付する。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きくても、セラミック基板の反り、割れの発生を抑制することが可能なパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法及び、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金の板材からなる金属層１３と、この金属層１３の一方の面に配設されたセラミックス基板と、このセラミックス基板の上に配設され、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、を備え、金属層１３は、セラミックス基板よりも面積が大きく設定されており、金属層１３には、前記一方の面側部分において、アルミニウムの母相中に第２相が分散した硬化層３１と、アルミニウムの単一相からなる軟質層３２と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きくても、セラミック基板の反り、割れの発生を抑制することが可能なパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法及び、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面上に配設され、銅または銅合金からなる回路層１２と、を備え、セラミックス基板１１が、Ｓｉ_３Ｎ_４または強化Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかで構成されており、回路層１２の厚さｔｃが、０．８ｍｍ≦ｔｃ≦２．０ｍｍの範囲内に設定されるとともに、セラミックス基板１１の一方の面の面積の２５％以上６０％以下を占めるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良を抑えて歩留まりを向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム８の表面に実装された半導体素子６と、リードフレーム８の裏面８ｄに接着される接着部５ａを一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部１０を有するヒートシンク４と、リードフレーム８及び半導体素子６を一体的にモールドするモールド樹脂９とを備え、突起部５ｃを凹凸部１０の周囲に形成することにより、突起部５ｃの先端面が金型と密着してモールド樹脂９が凹凸部１０に漏れ出ることを防ぐようにする。 （もっと読む）

【課題】発熱部品と冷却器とをろう付け接合することによって製造される発熱部品冷却装置において、高い熱疲労耐久性を有する発熱部品冷却装置の製造に用いられる熱応力緩和材として好適な、面接合性に優れたアルミニウム・クラッド材を提供する。
【解決手段】心材２０の片面或いは両面にＡｌ−Ｓｉ系合金ろう材からなる皮材２２をクラッドしたアルミニウム・クラッド材１６において、かかる心材２０を、不可避的不純物の含有量を０．１質量％以下とした、アルミニウム純度が９９．９質量％以上の高純度アルミニウムにて構成した。 （もっと読む）

【課題】高い熱疲労耐久性を有する発熱部品冷却装置の製造に用いられる熱応力緩和材として好適な、面接合性に優れたアルミニウム・クラッド材を、有利に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】不可避的不純物の含有量を０．１質量％以下とした、アルミニウム純度が９９．９質量％以上の高純度アルミニウムからなる柱状の心素材３２にＡｌ−Ｓｉ系合金ろう材からなる所定厚さの皮素材３４を重ね合わせ乃至は巻き付けてなる構造の複合ビレット３０を用いて、細長なダイス孔を通じて熱間押出することにより、フラットバー形状の複合押出物を形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱ベースとカーボン治具との間の隙間から半田材料の流出を効果的に防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】鉛を含まない半田を用いてセラミック等の絶縁基板１を放熱用の銅ベース２上に半田接合する方法であって、２枚のカプトンシート５ａ，５ｂを半田飛散の抑止手段として、銅ベース２上のカーボン治具４との隙間に挿入するように設置し、銅ベース２上で絶縁基板１の位置決めを行う。カプトンシート５は、耐熱性を有する有機物材料からなる薄膜シートであって、カーボン治具４の開口部と同一形状の開口部５１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発熱体から放熱体へと熱を伝える放熱方法において、発熱体及び放熱体との熱膨張係数の差にかかわらず、熱応力を良好に緩和して放熱することが可能な放熱方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る放熱方法は、熱膨張係数の差が０．５×１０^-6／Ｋ以上である発熱体及び放熱体を接触させて発熱体から放熱体に熱を伝える放熱方法において、該放熱体が、発熱体と接触する面の少なくとも一部がＳiＣである基板と、該基板の当該面又は両面の、全面又は一部に形成されたＢＮナノチューブ層とを有し、該放熱体の基板面に形成されたＢＮナノチューブ層を発熱体と接触させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子のダメージを抑制し、且つ、放熱性を向上することのできる半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子における半導体層側表面に、開口部を有する絶縁膜を形成するとともに開口部を覆いつつ絶縁膜と重なる電極を形成し、物理的堆積により、共晶点を有する単一組成の合金膜を、絶縁膜及び電極を覆いつつ絶縁膜と電極とを積層してなる突起部に倣った凸部を有するように形成する。そして、ヒートシンク上の金属膜に合金膜の凸部が接するように半導体レーザ素子をヒートシンクに積層配置し、積層方向に半導体レーザ素子とヒートシンクを加圧しつつ合金膜の共晶点未満の温度で加熱した状態で、積層方向とは略垂直な方向に超音波振動を印加して合金膜における凸部を含む一部のみを溶融させ、少なくとも突起部及び開口部に対応する部位にて合金膜と金属膜とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】発熱部材の表面に固定される放熱構造体であって、パターン化されたカーボンナノチューブアレイと、固定層と、を含み、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイは、前記固定層により前記発熱部材に固定されることを特徴とする放熱構造体。又、本発明は、放熱構造体の製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、実装した電子部品の放熱を良好に行うことができるフレキシブルプリント配線基材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一方面に形成された導電体層をパターニングした導電体パターンを含む配線パターン１２とを具備するフレキシブルプリント配線基材１０であって、前記絶縁基材１１の他方面に設けられた金属材料からなる放熱層１４を具備し、前記絶縁基材１１及び前記配線パターン１２を貫通して設けられて前記放熱層１４の上に電子部品３０を実装可能とした貫通部１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップと金属製ディスクの接合、及び金属製ディスクと放熱用金属製ベースとの接合を同時にでき、組み立て工程の簡素化、コスト低減を図ることを目的とする。
【解決手段】放熱用の金属製ベース１と、該金属製ベース１上に第１の低融点半田材料層２を介して形成された金属製ディスク３と、該金属製ディスク３上に第２の低融点半田材料層４を介して形成されたチップ５と、第２の低融点半田材料層４上に搭載された，該低融点材料層に対応する部分が開口されたインサートケース６と、前記チップ５とボンディングワイヤ８を介して接続された外部リード７と、前記チップ５，ボンディングワイヤ８及び外部リード７の一部を樹脂封止する樹脂製外囲器９と、インサートケース６に冠着されたキャップ１０を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）