【課題】本発明は、放熱性を維持しつつ、ヒートシンクと絶縁樹脂シートの密着性を向上させることのできるパワーモジュールおよび該パワーモジュール用リードフレームを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュールである。 （もっと読む）

【課題】被形成物に反りが発生しないようにしつつ、アンカー効果が十分得られるような凹凸を形成できるようにする。
【解決手段】粗面処理としてプレス加工を行い、プレス加工によって、ヒートシンク３の下面３ｂに凸部３ｃおよび凹部３ｄからなる凹凸を形成する。このように粗面処理をプレス加工によって行えば、ヒートシンク３の上面３ａおよび下面３ｂを挟み込むようにして力が加えられるため、ヒートシンク３が反らず、かつ、十分に力を加えられるため、アンカー効果を得るのに十分な大きさの凹凸を形成できる。また、プレス型によって決まった形状の凹凸を形成することになるため、粗面の面内バラツキやヒートシンク３間でのバラツキが発生しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】 セラミック表面に形成される凹凸が、結晶粒径より小さい、超微細なものであると、Ｗ等の高融点金属ペーストまたはＣｕやＡｇ−Ｃｕ等にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属を添加したメタライズ組成物のペーストを塗布した後、加熱してもこのセラミック表面では十分なアンカー効果が得られず、メタライズ層はセラミック基板に対して高い密着力を得ることができない。
【解決手段】 平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび／または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えているセラミック基体１とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ、絶縁基板、冷却体（ヒートシンク）との各接合において、半田を用いない接合とすることで、高性能で高信頼性の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１の表面電極２５とリードフレーム４３を同一材料にして、リードフレーム４３の先端部４４を凸状に加工し、半導体チップの表面膜２５とリードフレーム４３を互いに向き合せて、加圧しながら超音波振動させることで、最表面（界面）に形成された同一金属が互いに拡散し、半田レスで直接金属接合できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのヒートスプレッダーに適しており、表面性状に優れる複合部材、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム基合金からなる金属マトリクス中に炭化珪素からなる粒子が分散された複合素材(CIP成型体)11を用意し、アルミニウム基合金からなる筒状材12内に挿入する。複合素材を収納した筒状材12(ビュレット10)を押し出して、被覆層21を具える被覆素材20を形成する。この押出は、焼結も兼ねる。この被覆素材20を圧延して、Al-SiC複合材料からなる基材の表面にアルミニウム基合金からなる表面層を具える複合部材を製造する。複合部材は、塑性加工が施されてなる表面層を具えることで、表面性状に優れる。表面層の表面粗さRaは、1.5μm以下である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラーを含有する接着剤を介して、発熱部品と放熱板を機械的・熱的に接合してなる電子装置において、接着剤のペースト特性を極力維持しつつ、接着剤の熱伝導特性を向上させる。
【解決手段】接着剤３０を、その厚さ方向と直交する面内において熱伝導性フィラー３２が密に存在する第１の領域３０ａと第１の領域３０ａよりも熱伝導性フィラー３２が疎に存在する第２の領域３０ｂとを有するものとし、第１の領域３０ａを、発熱部品１０のうち当該発熱部品１０の駆動時に最も発熱が大きい部位である発熱部１１の直下に位置させ、第２の領域３０ｂを第１の領域３０ａの外周に設けた。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板の一面に第１の電子部品、他面に第２の電子部品を搭載するとともに、このセラミック基板の他面に放熱などの機能を有する金属板を取り付け、これらをハーフモールドしてなる電子装置において、モールド工程にて、セラミック基板の一面側から印加されるモールド樹脂による基板への応力を低減する。
【解決手段】セラミック基板１０の一面側に第１の電子部品２０を搭載し、セラミック基板１０の他面に第２の電子部品３０を搭載し、第２の電子部品３０をモールド樹脂８０で封止し、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着した。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールにおいては、１ｋＶを超える高電圧のものや、半導体の動作温度が１００℃を超えるものでは、半導体素子と放熱体との間の放熱性及び絶縁性が重要な特性となっている。このようなパワーモジュールに使用されるセラミックス基板の割れを防ぎ、絶縁性を有しながら、効率的に放熱する半導体装置が望まれていた。
【解決手段】放熱する放熱部材と、筐体に半導体を含む電子部品を収容し、該電子部品を搭載する金属部材と、通電する電極とを備える半導体装置であって、金属部材と、セラミックス粉体層と、表面粗部を備える放熱部材とが、順次接してなることを備える、半導体装置。前記セラミック粉体層に脱気層を備える、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ロウ材の回り込みの発生を抑制したパワーモジュール用基板を提供すること。
【解決手段】セラミックス基板１１が、金属層１２や回路層１３それぞれの配置領域の外周縁を含む外側及び内側に該外周縁に沿って形成された粗面部１４ａ、１５ａと、前記配置領域において粗面部１４ａ、１５ａによって囲まれて粗面部１４ａ、１５ａよりも平滑な平滑部１４ｂ、１５ｂとを有しており、粗面部１４ａ、１５ａの算術平均粗さが、０．４μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】基板に対する端子及びヒートシンク等の取り付けを樹脂により異種金属であっても同時に封止状態で射出成形接合し、確実で安定化を図った半導体基板の封止成形体とその封止成形技術を提供する。
【解決手段】金属製のヒートシンクと端子キャップに化学エッチングにより表面処理を施し、表面に微細凹凸面を形成する。ヒートシンクに第１樹脂体を射出成形し、この射出成形されたヒートシンクに電子部品６が実装され端部に端子接続部の設けられた半導体基板を合体させ、端子キャップ４を取り付けた状態で第２樹脂体を射出成形し封止成形体１とする。
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【課題】回路層の表面に半導体チップをはんだ付けにより強固に接合できるとともに、金属層の表面にヒートシンクをろう付けにて強固に接合することができるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス板１１の一方の面１１Ａに回路層１２が接合され、他方の面１１Ｂに金属層１３が接合されており、回路層１２の表面に半導体チップ１５がはんだ接合されるとともに金属層１３の表面にヒートシンク１７がろう付けされるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の表面粗さが、金属層１３の表面粗さよりも小さくなるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路素子からの熱をより効果的に金属基板に伝達させ、回路装置としての放熱性を向上させる。
【解決手段】金属基板１の上に配線層２０が形成され、配線層２０の上に、制御部１００を構成する回路素子１１４の他、パワー素子１２０およびパワー素子１３０が搭載されている。金属基板１の主面には、所定パターンの溝により段差が形成されている。相対的に発熱量が大きいパワー素子１２０およびパワー素子１３０は、金属基板１の凸部の上方に搭載され、相対的に発熱量が小さい回路素子１１４は、金属基板１の凹部の上方に搭載されている。換言すると、相対的に発熱量が大きいパワー素子１２０およびパワー素子１３０と、パワー素子１２０およびパワー素子１３０にそれぞれ対向する金属基板１との距離は、相対的に発熱量が小さい制御部１００の回路素子１１４と、回路素子１１４に対向する金属基板１との距離に比べて短い。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクをモールド樹脂により封止してなる樹脂封止型の電子装置において、ヒートシンクとモールド樹脂との剥離を抑制する。
【解決手段】電子部品４０、４１が実装された配線基板２０を、ヒートシンク１０の一面１１上に搭載し、ヒートシンク１０、電子部品４０、４１および配線基板２０をモールド樹脂８０により封止してなる電子装置において、ヒートシンク１０の表面のうち少なくともモールド樹脂８０と接する部位には、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが形成されており、この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面は、凹凸形状を持つように粗化されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ、絶縁基板、冷却体（ヒートシンク）との各接合において、半田を用いない接合とすることで、高性能で高信頼性の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１の表面電極２５とリードフレーム４３を同一材料にして、リードフレーム４３の先端部４４を凸状に加工し、半導体チップの表面膜２５とリードフレーム４３を互いに向き合せて、加圧しながら超音波振動させることで、最表面（界面）に形成された同一金属が互いに拡散し、半田レスで直接金属接合できる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率がグラファイトフィルムにほぼ匹敵するものでありながら馴染み性が極端には劣らない特性を有する膨張黒鉛シートに着目してこれを改良することにより、良好な熱伝導率は維持しながらも馴染み性を改善して、全体としての熱伝導性能が向上する伝熱シートを提供する。
【解決手段】膨張黒鉛を主原料として成るシート状体２の表面に、膨張黒鉛の密度を下げることで成る低密度部分３が形成されている伝熱シート。低密度部分３は、シート状体２の表面を毛羽立たせることで形成される。 （もっと読む）